動態
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發布了文章 2022-04-03 01:08
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發布了文章 2022-04-02 05:01
10.2.5 量子集成電路∈《集成電路產業全書》
我們QuantumIntegratedCircuit審稿人：中國科學院半導體研究所吳南健http://www.semi.ac.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Alte697瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-02 01:13
10.1.1 碰撞電離和雪崩擊穿∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.1.1碰撞電離和雪崩擊穿10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系685瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-01 03:01
９.３.６.2 負的柵極脈沖關斷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
９.３.６.2負的柵極脈沖關斷９.３.６關斷過程９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK653瀏覽量 -
發布了文章 2022-04-01 01:07
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發布了文章 2022-03-31 01:09
９.３.６.1 電壓反轉關斷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
９.３.６.1電壓反轉關斷９.３.６關斷過程９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK72390瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-31 01:07
10.2.3 可重構計算集成電路∈《集成電路產業全書》
ReconfigurableComputingIntegratedCircuits審稿人：清華大學劉雷波https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD560瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-30 03:01
９.３.５ di/dt的限制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
９.３.５di/dt的限制９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtP438瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-30 01:07
10.2.2 類腦芯片∈《集成電路產業全書》
Brian-inspiredChip審稿人：清華大學何偉https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產511瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-29 01:09
９.３.４ dv/dt觸發∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
９.３.４dv/dt觸發９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPH465瀏覽量