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發布了文章 2022-03-11 01:08
9.7.6 有機封裝基板∈《集成電路產業全書》
OrganicPackagingSubstrate撰稿人：中國科學院化學研究所楊士勇http://www.iccas.ac.cn審稿人：中國電子材料行業協會袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封裝結構材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明463瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-10 01:09
國科微GK7202V300 PtP Hi3518EV300 Hi3518ERNCV300 低功耗IPC
國科微，gokemicro，位于長沙，產品涉及存儲、智能機頂盒、視頻編解碼、物聯網等。安防芯片代表作有GK7102（130萬IPCSOC），GK7202（200萬IPCSOC），GK7205V200（200萬/300萬H.265IPCSOC，相當于海思3516EV200），GK7205V300（500萬IPCSOC，相當于海思3516EV300），GK7604.2k瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-10 01:08
?９.１.１內部電流∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
９.１.１內部電流９.１雙極結型晶體管（BJT）第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列往期內容：8.2.12.1453瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-10 01:07
9.7.5 陶瓷基板材料∈《集成電路產業全書》
CeramicSubstrateMaterials撰稿人：中國電子科技集團公司第十三研究所劉志平http://13.cetc.com.cn審稿人：中國電子材料行業協會袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封裝結構材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Alter549瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-09 05:01
8.2.12.5-8 關斷過程∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.2.12.5關斷過程，0538瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-09 01:06
9.7.4 金屬封裝材料∈《集成電路產業全書》
MetalPackagingMaterials撰稿人：中國電子科技集團公司第十三研究所劉志平http://13.cetc.com.cn審稿人：中國電子材料行業協會袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封裝結構材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.82347瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-08 01:08
8.2.12.1-4 開通過程∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.2.12.1開通過程，0550瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-08 01:07
9.7.3 陶瓷封裝材料∈《集成電路產業全書》
CeramicPackagingMaterials撰稿人：中國電子科技集團公司第十三研究所劉志平http://13.cetc.com.cn審稿人：中國電子材料行業協會袁桐http://www.cemia.org.cn9.7封裝結構材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.385瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-07 01:09
國產CPLD、FPGA PINtoPIN替代Altera選型說明
查看全部文章，請點擊↓↓↓FPGA是四大高端芯片之一（CPU、DSP、存儲器、FPGA），由于具有先購買再設計的特性，廣泛應用在原型驗證、通信、汽車電子、工業控制、航空航天、數據中心等領域。2019年全球FPGA市場規模約69億美元，中國FPGA市場約120億人民幣，其中民用市場約100億，國產滲透率僅約4%。從前年的華為事件開始，半導體的國產替代進程開始逐6.7k瀏覽量 -
發布了文章 2022-03-07 01:08
8.2.12 MOSFET 瞬態響應∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.2.12MOSFET瞬態響應8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.2.11氧化層可靠性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實驗結果8.2.10.2反型層遷移率的器件相關定義8.2.10.1影響反型層903瀏覽量