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• 上傳了資料 2022-02-16 20:16

  EQ6HL130 Device User Guide

  FPGA XC6SLX150

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• 發布了產品 2022-02-16 20:08

  EQ6HL45 PtP XC6SLX45 XC6SLX25 XC6SLX16 XC6SLX9 XC6SLX4

  

  產品型號：EQ6HL45 規模(萬門)：425 工藝：40nm CGS324塑封：232I/O

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• 上傳了資料 2022-02-16 20:06

  EQ6HL45 Device User Guide

  FPGA

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• 發布了文章 2022-02-16 01:09

  8.1 結型場效應晶體管(JFET)∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  8.1.1夾斷電壓8.1結型場效應晶體管(JFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.4結勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管7.3.4電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》7.3.3“i”區的電勢下降∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》7.3

  晶體管

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• 發布了文章 2022-02-16 01:08

  9.5.11 新型光刻膠材料∈《集成電路產業全書》

  

  點擊上方藍字關注我們NextGenerationLithographyMaterials撰稿人：北京科華微電子材料有限公司陳昕審稿人：復旦大學鄧海光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸

  集成電路

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• 發布了文章 2022-02-15 01:07

  7.4 結勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  7.4結勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.3.4電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》7.3.3“i”區的電勢下降∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》7.3.2“i”區中的載流子濃度∈《碳化硅技術基本原

  二極管 碳化硅

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• 發布了文章 2022-02-15 01:06

  9.5.10 極紫外光刻膠∈《集成電路產業全書》

  

  點擊上方藍字關注我們EUVPhotoresist撰稿人：北京科華微電子材料有限公司陳昕http://www.kempur.com審稿人：復旦大學鄧海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻膠材料第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸

  集成電路 光刻膠

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• 發布了產品 2022-02-14 18:04

  EQ6GL9LL 替換 XC6SLX4/ XC6SLX9 iCE40 UltraPlus

  

  產品型號：EQ6GL9LL LUT：9280 寄存器：9280 存儲單元：32

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• 上傳了資料 2022-02-14 18:02

  UG206_EQ6GL9 Device User Guide

  FPGA 用戶指南

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• 發布了文章 2022-02-14 01:15

  7.3.2 “i”區中的載流子濃度∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

  

  7.3.2“i”區中的載流子濃度7.3pn與pin結型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.3.1大注入與雙極擴散方程∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》7.3pn與pin結型二極管∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》7.2肖特基勢磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術基本原理

  SiC

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