動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2022-01-26 01:41
9.4.14 化合物量子阱材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們CompoundQuantumWellMaterials撰稿人：北京大學(xué)王茂俊https://www.pku.edu.cn/審稿人：北京大學(xué)康寧9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本433瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-25 01:38
6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理1.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-25 01:37
9.4.13 碳化硅薄膜∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓444瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-24 01:19
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.7遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、1.8k瀏覽量 -
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9.4.12 碳化硅單晶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸581瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-23 01:25
6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.7遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化798瀏覽量 -
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9.4.11 藍(lán)寶石晶體與襯底材料∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝346瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-22 01:32
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.7遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)1.2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-22 01:31
9.4.10 氮化鎵薄膜∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大476瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2022-01-21 01:24
6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.5.4其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.5.3界面氮化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、1.2k瀏覽量