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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機(jī)等方案開發(fā)

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動態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2022-01-03 01:27

    6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

    6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.2.1反應(yīng)
    SiC
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-03 01:25

    9.3.8 直拉單晶硅中的氮∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們NitrogeninCZSilicon撰稿人:浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn/審稿人:浙江大學(xué)楊德仁9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-02 01:28

    6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

    6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.6離子注
    SiC
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-02 01:26

    9.3.7 直拉單晶硅中的碳∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備,大量裝機(jī),提供SiC晶圓、GaN基板、藍(lán)寶
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-01 02:13

    化合物半導(dǎo)體電子器件研究與進(jìn)展

    西安電子科技大學(xué)教授、副校長郝躍中國科學(xué)院微電子研究所劉新宇一、引言化合物半導(dǎo)體具有飽和速度高、能帶易剪裁、帶隙寬等特性,在超高頻、大功率、高效率等方面表現(xiàn)出優(yōu)越的性能,因此,化合物半導(dǎo)體電子器件已經(jīng)成為發(fā)展信息大容量傳輸和高速處理、獲取的重要器件。以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導(dǎo)體技術(shù)日趨成熟,已廣泛地應(yīng)用于無線通信、光電通信等領(lǐng)域,成為目前高端信息
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-01 02:12

    6.2.3 濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

    6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.5高溫
    SiC
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  • 發(fā)布了文章 2022-01-01 02:11

    9.3.6 直拉單晶硅中的氧∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們OxygeninCZSilicon撰稿人:浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn/審稿人:浙江大學(xué)楊德仁9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備
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  • 發(fā)布了文章 2021-12-31 09:44

  • 發(fā)布了文章 2021-12-31 09:38

    6.2.2 高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

    6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.6離子注入及后續(xù)退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6
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  • 發(fā)布了文章 2021-12-31 09:37

    9.3.5 微缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》

    9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)詳情:切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備,大量裝機(jī),提供SiC晶圓、GaN基板、藍(lán)寶石晶圓
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企業(yè)信息

聯(lián)系人:張涵清

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地址:福田區(qū)金田路2022號華軒大廈305

公司介紹:代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機(jī)等方案開發(fā)

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