動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-01-03 01:27

  6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.2.1反應(yīng)

  SiC

  1.4k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-01-03 01:25

  9.3.8 直拉單晶硅中的氮∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們NitrogeninCZSilicon撰稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn/審稿人：浙江大學(xué)楊德仁9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗

  集成電路

  456瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-01-02 01:28

  6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.6離子注

  SiC

  1.1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-01-02 01:26

  9.3.7 直拉單晶硅中的碳∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、GaN基板、藍(lán)寶

  集成電路

  491瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-01-01 02:13

  化合物半導(dǎo)體電子器件研究與進(jìn)展

  

  西安電子科技大學(xué)教授、副校長(zhǎng)郝躍中國(guó)科學(xué)院微電子研究所劉新宇一、引言化合物半導(dǎo)體具有飽和速度高、能帶易剪裁、帶隙寬等特性，在超高頻、大功率、高效率等方面表現(xiàn)出優(yōu)越的性能，因此，化合物半導(dǎo)體電子器件已經(jīng)成為發(fā)展信息大容量傳輸和高速處理、獲取的重要器件。以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導(dǎo)體技術(shù)日趨成熟，已廣泛地應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)通信、光電通信等領(lǐng)域，成為目前高端信息

  半導(dǎo)體

  2.6k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-01-01 02:12

  6.2.3 濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.6離子注入及后續(xù)退火過(guò)程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.5高溫

  SiC

  1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2022-01-01 02:11

  9.3.6 直拉單晶硅中的氧∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們OxygeninCZSilicon撰稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn/審稿人：浙江大學(xué)楊德仁9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備

  集成電路

  508瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2021-12-31 09:44

  Trench MOS 30V-150V DFN5X6 TO-220 TO-251 TO-252 TO-263 SOP-8選型說(shuō)明

  

  晶圓

  738瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2021-12-31 09:38

  6.2.2 高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

  

  6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.6離子注入及后續(xù)退火過(guò)程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6

  碳化硅

  1.4k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2021-12-31 09:37

  9.3.5 微缺陷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

  

  9.3硅材料中的缺陷與雜質(zhì)第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)????????ADT12寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)詳情：切割機(jī)(劃片機(jī)).ADT.823012寸全自動(dòng)雙軸晶圓切割機(jī)成倍提高生產(chǎn)率日本晶圓清洗設(shè)備，大量裝機(jī)，提供SiC晶圓、GaN基板、藍(lán)寶石晶圓

  集成電路

  839瀏覽量