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深圳市致知行科技有限公司

代理:AGM CPLD/FPGA;OV sensor;NOR Flash;SiC SBD/MOS;GaN MOS;壓力傳感器;相機等方案開發

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動態

  • 發布了文章 2022-01-08 01:23

    9.3.13 外延缺陷∈《集成電路產業全書》

    9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備,大量裝機,提供SiC晶圓、GaN基板、藍
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  • 發布了文章 2022-01-07 01:15

    6.3.4.3 確定表面勢、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    6.3.4.4Terman法6.3.4.3確定表面勢6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.2MOS電容等效電路∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.4.1SiC特有的基本現象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用
    SiC
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  • 發布了文章 2022-01-07 01:14

    9.3.12 氧化誘生層錯∈《集成電路產業全書》

    9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備,大量裝機,提供S
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  • 發布了文章 2022-01-06 01:14

    6.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.4.1SiC特有的基本現象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.3熱氧化氧化硅的結構和物理特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.2氧
    MOS
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  • 發布了文章 2022-01-06 01:12

    9.3.11 失配位錯∈《集成電路產業全書》

    9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備,大量裝機,提供SiC晶圓、GaN基板、
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  • 發布了文章 2022-01-05 01:20

    MCR:MOS Controlled Rectifier,MOS控制的二極管/整流器,超低反向漏電、175°結溫、高浪涌

    晶圓型號選型表歡迎索樣測試驗證:張先生18676796057(微信)相關鏈接:1、長期提供:耐高溫、超低漏電工業級二極管晶圓、SBD8寸晶圓MCR二極管-8寸晶圓NCD15S10W-MCR8寸晶圓:150V10A,性能優于Diodes同規格產品NCD20S10W-MCR8寸晶圓:200V10A,性能優于Diodes同規格產品NCD30S10W-MCR8寸晶圓
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  • 發布了文章 2022-01-05 01:19

    6.3.4.1 SiC特有的基本現象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    6.3.4.1SiC特有的基本現象6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.3熱氧化氧化硅的結構和物理特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.1氧化速率
    SiC
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  • 發布了文章 2022-01-05 01:17

    9.3.10 滑移位錯∈《集成電路產業全書》

    9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備,大量裝機,提供SiC晶圓、GaN基板、藍寶
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  • 發布了文章 2022-01-04 01:17

    6.3.3 熱氧化氧化硅的結構和物理特性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

    6.3.3熱氧化氧化硅的結構和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用
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  • 發布了文章 2022-01-04 01:16

    9.3.9 直拉單晶硅中的金屬雜質∈《集成電路產業全書》

    9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情:切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備,大量裝機,提供SiC晶
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地址:福田區金田路2022號華軒大廈305

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