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6.2.1 反應性離子刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2021-12-31 08:50
6.2.1反應性離子刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.4半絕緣區域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和碳化硅 1343瀏覽量 -
9.3.4 體缺陷∈《集成電路產業全書》2021-12-31 08:49
9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備，大量裝機，提供SiC晶圓、GaN基板、藍寶石晶圓及集成電路 410瀏覽量 -
BeSTMOS 600V 650V 700V TO-220F TO-247 TO-252 選型說明2021-12-31 07:45
晶圓 1454瀏覽量 -
6.1.5 高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2021-12-31 07:44
6.1.5高溫退火和表面粗糙化6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.4半絕緣區域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.3p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.碳化硅 888瀏覽量 -
9.3.2 線缺陷∈《集成電路產業全書》2021-12-31 07:42
9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備，大量裝機，提供SiC晶圓、GaN基板、藍寶石晶圓及集成電路 434瀏覽量 -
6.1.6 離子注入及后續退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2021-12-31 07:41
6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.4半絕緣區域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.3p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、碳化硅 886瀏覽量 -
9.3.3 面缺陷∈《集成電路產業全書》2021-12-31 07:40
9.3硅材料中的缺陷與雜質第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產率日本晶圓清洗設備，大量裝機，提供SiC晶圓、GaN基板、藍寶石集成電路 345瀏覽量 -
9.2.4 切片工藝∈《集成電路產業全書》2021-12-31 05:34
點擊上方藍字關注我們SilicingTechnology撰稿人：浙江金瑞泓科技股份有限公司梁興勃http://www.zjjrh.com/審稿人：浙江大學余學功https://www.zju.edu.cn/9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸集成電路 253瀏覽量 -
肖特基二極管(SBD) 與普通二極管的區別制2021-12-31 05:33
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。1、二極管 3553瀏覽量 -
9.2.5 研磨工藝∈《集成電路產業全書》2021-12-31 05:30
9.2硅片加工第9章集成電路專用材料《集成電路產業全書》下冊相關鏈接：8.2.8研磨機LappingMachineADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.8集成電路 435瀏覽量