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9.4.8 銦鎵砷∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-01-21 01:23
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高集成電路 736瀏覽量 -
6.3.7 遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-21 01:21
6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.5.4其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長SiC 1290瀏覽量 -
9.4.9 氮化鎵單晶∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-01-21 01:20
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生產(chǎn)率日本晶集成電路 690瀏覽量 -
6.3.5.5 界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-19 01:12
6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.4其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.5.3界面氮化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.5.2氧化后退火∈《碳化SiC 827瀏覽量 -
9.4.7 磷化銦單晶制備∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-01-19 01:11
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.82集成電路 698瀏覽量 -
6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-18 01:12
6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.3界面氮化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.5.2氧化后退火∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.5.1界面態(tài)分布∈《碳化硅技SiC 1107瀏覽量 -
9.4.6 磷化銦的性質(zhì)∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-01-18 01:10
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自集成電路 720瀏覽量 -
6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-17 02:09
6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.2氧化后退火∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.5.1界面態(tài)分布∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.8其他方法∈《碳化硅技SiC 1100瀏覽量 -
9.4.4 砷化鎵外延∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》2022-01-17 02:07
9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生集成電路 706瀏覽量 -
6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》2022-01-13 01:08
6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.1界面態(tài)分布∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.8其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》6.3.4.7電導(dǎo)法∈《碳化硅技術(shù)SiC 1105瀏覽量