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北京中科同志科技股份有限公司

集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的真空回流焊、亞微米貼片機、smt生產(chǎn)線設(shè)備、真空共晶爐、點膠機、印刷機等SMT設(shè)備及PCB設(shè)備的廠家

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北京中科同志科技股份有限公司文章

  • 連接器電鍍金屬大揭秘:銅、鎳、錫、金誰最強?2025-03-08 10:53

    在電子設(shè)備的制造過程中,連接器作為連接不同電路或組件的橋梁,其性能和可靠性至關(guān)重要。而電鍍作為提升連接器性能的關(guān)鍵工藝之一,通過在不同金屬表面鍍上一層或多層金屬,可以顯著改善連接器的導(dǎo)電性、耐腐蝕性和機械性能。在眾多電鍍金屬中,銅、鎳、錫、金是連接器電鍍中最常用的幾種金屬。本文將詳細介紹這四種金屬的特性及其在連接器電鍍中的應(yīng)用,并探討為何在某些情況下焊接區(qū)域
  • 我國首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破!2025-03-07 11:43

    2025年3月5日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布,成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標志著我國在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了國際領(lǐng)先地位,也為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全面發(fā)展帶來了新的機遇和動力。一、氧化鎵8英寸單晶的技術(shù)突破與意義氧化鎵(Ga?O?)作為第四代半導(dǎo)體材料的代表,具有超寬的禁帶寬度(約4.8eV),遠
  • 真空共晶爐加熱板怎么選?全面解析助您決策2025-03-06 11:11

    在高科技制造領(lǐng)域,真空共晶爐作為一種關(guān)鍵的焊接設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝、微電子組件連接等高精度、高可靠性的焊接場景中。而加熱板作為真空共晶爐的核心部件之一,其性能直接影響著焊接質(zhì)量、生產(chǎn)效率和設(shè)備穩(wěn)定性。因此,在選擇真空共晶爐加熱板時,必須綜合考慮多個因素,以確保選擇到最適合自身需求的加熱板。
  • 碳化硅SiC芯片封裝:銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘2025-03-05 10:53

    隨著碳化硅(SiC)功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認可。然而,要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢,封裝技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。在SiC芯片封裝過程中,銀燒結(jié)和銅燒結(jié)技術(shù)因其獨特的優(yōu)勢,成為業(yè)界關(guān)注的焦點。本文將深入探討碳化硅SiC芯片封裝中的銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備技術(shù),分析其技術(shù)原理、應(yīng)用優(yōu)勢、市場現(xiàn)狀以及未來發(fā)展趨勢。
    SiC 碳化硅 芯片 890瀏覽量
  • 深入探索:晶圓級封裝Bump工藝的關(guān)鍵點2025-03-04 10:52

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,晶圓級封裝(WLP)作為先進封裝技術(shù)的重要組成部分,正逐漸成為集成電路封裝的主流趨勢。在晶圓級封裝過程中,Bump工藝扮演著至關(guān)重要的角色。Bump,即凸塊,是晶圓級封裝中實現(xiàn)芯片與外部電路電氣連接的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。本文將深入解析晶圓級封裝Bump工藝的關(guān)鍵點,探討其技術(shù)原理、工藝流程、關(guān)鍵參數(shù)以及面臨的挑戰(zhàn)和解決方案。
    wlp 封裝 晶圓 1757瀏覽量
  • 50%新型HPC擁抱多芯片設(shè)計:性能飛躍的新篇章2025-03-03 11:34

    在當今這個數(shù)據(jù)爆炸的時代,高性能計算(HPC)已經(jīng)成為推動科技進步、產(chǎn)業(yè)升級和經(jīng)濟社會發(fā)展的重要力量。從天氣預(yù)報、基因測序到新能源開發(fā)、航空航天,HPC的應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛,對計算性能的需求也日益增長。為了滿足這種需求,HPC系統(tǒng)不斷在架構(gòu)、處理器、存儲和網(wǎng)絡(luò)等方面進行創(chuàng)新和優(yōu)化。其中,多芯片設(shè)計作為一種新興的技術(shù)趨勢,正在逐漸被越來越多的HPC系統(tǒng)所采用。近
  • 真空回流焊接中高鉛錫膏、板級錫膏等區(qū)別探析2025-02-28 10:48

    在電子制造領(lǐng)域,回流焊接技術(shù)是一種至關(guān)重要的工藝,它確保電子元器件與印刷電路板(PCB)之間的可靠連接。隨著技術(shù)的不斷進步,各種類型的錫膏應(yīng)運而生,以滿足不同應(yīng)用場景的需求。其中,高鉛錫膏和板級錫膏作為回流焊接中的關(guān)鍵材料,各自具有獨特的特點和應(yīng)用場景。本文將深入探討真空回流焊接中高鉛錫膏、板級錫膏等區(qū)別,以期為電子制造行業(yè)提供有價值的參考。
  • 新型功率器件真空回流焊焊接空洞的探析及解決方案2025-02-27 11:05

    隨著5G時代的到來,電子技術(shù)向著高功率、高密度和集成化的方向發(fā)展,對于大功率器件的封裝,如IGBT、MOS、大功率LED等,也相應(yīng)地對焊接材料提出了更高的、更全面的可靠性需求。其中,焊接空洞問題成為影響功率器件性能和可靠性的關(guān)鍵因素之一。真空回流焊技術(shù)作為一種先進的焊接方法,在解決新型功率器件焊接空洞問題上展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。本文將深入探討新型功率器件真空回流焊
  • 真空共晶爐加熱板熱膨脹系數(shù)探究2025-02-25 11:26

    在微電子封裝、半導(dǎo)體制造以及精密儀器制造等領(lǐng)域,真空共晶爐作為一種關(guān)鍵設(shè)備,扮演著至關(guān)重要的角色。真空共晶爐加熱板作為其核心部件之一,其性能直接影響到共晶焊接的質(zhì)量與效率。而加熱板的熱膨脹系數(shù),作為評估其性能的關(guān)鍵指標之一,對于確保焊接過程中的尺寸穩(wěn)定性和可靠性具有重要意義。本文將深入探討真空共晶爐加熱板的熱膨脹系數(shù),包括其定義、影響因素、對焊接質(zhì)量的影響以
  • 納米銅燒結(jié)為何完勝納米銀燒結(jié)?2025-02-24 11:17

    在半導(dǎo)體功率模塊封裝領(lǐng)域,互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來,隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展,納米銀燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互連技術(shù),備受業(yè)界關(guān)注。然而,在眾多應(yīng)用場景中,納米銅燒結(jié)技術(shù)逐漸展現(xiàn)出其獨特的優(yōu)勢,甚至在某些方面被認為完勝納米銀燒結(jié)。本文將深入探討納米銅燒結(jié)技術(shù)為何能夠在這一領(lǐng)域脫穎而出。
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