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先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝：技術(shù)突破與行業(yè)變革2025-04-08 11:40
本文聚焦于先進(jìn)碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)，闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在移動(dòng)應(yīng)用功率密度提升的背景下，對封裝技術(shù)提出全新要求。先進(jìn)的封裝技術(shù)能夠充分發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)勢，提升功率模塊的性能與可靠性，推動(dòng)電力電子系統(tǒng)向更高效率、更高功率密度方向發(fā)展。 -
多芯片封裝：技術(shù)革新背后的利弊權(quán)衡2025-04-07 11:32
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碳化硅VS硅基IGBT：誰才是功率半導(dǎo)體之王？2025-04-02 10:59
在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當(dāng)前市場上的兩大主流產(chǎn)品，各自擁有獨(dú)特的優(yōu)勢與應(yīng)用場景。那么，碳化硅功率模塊與硅基IGBT功率模塊相比，究竟誰更勝一籌？碳化硅是否會(huì)取代硅基IGBT成為未來的主流？本文將從多 -
靜電卡盤：半導(dǎo)體制造中的隱形冠軍2025-03-31 13:56
在半導(dǎo)體制造的精密工藝流程中，每一個(gè)零部件都扮演著至關(guān)重要的角色，而靜電卡盤（Electrostatic Chuck，簡稱E-Chuck）無疑是其中的佼佼者。作為固定晶圓的關(guān)鍵設(shè)備，靜電卡盤以其獨(dú)特的靜電吸附原理、高精度的溫度控制能力以及廣泛的適用性，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。 -
深入了解氣密性芯片封裝，揭秘其背后的高科技2025-03-28 11:43
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新型SIC功率芯片：性能飛躍，引領(lǐng)未來電力電子！2025-03-27 10:49
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，對功率半導(dǎo)體器件的性能要求日益提高。碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）作為一種第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。近年來，新型SIC功率芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造技術(shù)取得了顯著進(jìn)展，為電力電子系統(tǒng)的高效、可靠運(yùn)行提供了有力支持。 -
IC封裝產(chǎn)線分類詳解：金屬封裝、陶瓷封裝與先進(jìn)封裝2025-03-26 12:59
在集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)中，封裝是不可或缺的一環(huán)。它不僅保護(hù)著脆弱的芯片，還提供了與外部電路的連接接口。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，IC封裝技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和進(jìn)步。本文將詳細(xì)探討IC封裝產(chǎn)線的分類，重點(diǎn)介紹金屬封裝、陶瓷封裝以及先進(jìn)封裝等幾種主要類型。 -
深度解讀：真空共晶爐加熱板的材質(zhì)與性能關(guān)系2025-03-25 13:19
在半導(dǎo)體封裝、微電子器件制造等領(lǐng)域，真空共晶爐是一種至關(guān)重要的設(shè)備，它利用真空環(huán)境和精確的溫度控制，實(shí)現(xiàn)器件之間的高質(zhì)量焊接。而加熱板作為真空共晶爐的核心部件之一，其材質(zhì)和性能直接影響到焊接的質(zhì)量和效率。本文將深入探討真空共晶爐加熱板的選擇及其區(qū)別，以期為相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員和決策者提供參考。 -
不只依賴光刻機(jī)！芯片制造的五大工藝大起底！2025-03-24 11:27
在科技日新月異的今天，芯片作為數(shù)字時(shí)代的“心臟”，其制造過程復(fù)雜而精密，涉及眾多關(guān)鍵環(huán)節(jié)。提到芯片制造，人們往往首先想到的是光刻機(jī)這一高端設(shè)備，但實(shí)際上，芯片的成功制造遠(yuǎn)不止依賴光刻機(jī)這一單一工具。本文將深入探討芯片制造的五大關(guān)鍵工藝，揭示這些工藝如何協(xié)同工作，共同鑄就了現(xiàn)代芯片的輝煌。 -
HBM新技術(shù)，橫空出世：引領(lǐng)內(nèi)存芯片創(chuàng)新的新篇章2025-03-22 10:14
隨著人工智能、高性能計(jì)算（HPC）以及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對內(nèi)存帶寬和容量的需求日益增長。傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù)，如DDR和GDDR，已逐漸難以滿足這些新興應(yīng)用對高性能、低延遲和高能效的嚴(yán)苛要求。正是在這樣的背景下，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，以其獨(dú)特的3D堆疊架構(gòu)和TSV（硅通孔）技術(shù)，為內(nèi)存芯片行業(yè)帶來了前所未有的創(chuàng)新。
