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• 發布了文章 2025-02-10 11:35

  半導體封裝革新之路：互連工藝的升級與變革

  

  在半導體產業中，封裝是連接芯片與外界電路的關鍵環節，而互連工藝則是封裝中的核心技術之一。它負責將芯片的輸入輸出端口（I/O端口）與封裝基板或外部電路連接起來，實現電信號的傳輸與交互。本文將詳細介紹半導體封裝中的互連工藝，包括其主要分類、技術特點、應用場景以及未來的發展趨勢。

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• 發布了文章 2025-02-08 10:44

  從研發到應用：國產高速高精度貼片機的全面發展之路

  

  在電子制造行業的快速發展浪潮中，表面貼裝技術（SMT）作為電子組裝領域的主流技術，正以前所未有的速度推動著電子產品的生產效率和質量提升。而貼片機作為SMT生產線中的核心設備，其性能和技術水平直接決定了電子產品的制造效率和品質。近年來，國產高速高精度貼片機在技術創新、市場拓展等方面取得了顯著的成就，正逐步打破國際品牌的壟斷，成為全球電子制造業中不可忽視的力量。

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• 發布了文章 2025-02-07 11:32

  濕度大揭秘！如何影響功率半導體器件芯片焊料熱阻？

  

  近年來，隨著電力電子技術的快速發展，功率半導體器件在風力發電、光伏發電、電動汽車等戶外工況中的應用日益廣泛。然而，這些戶外環境往往伴隨著較高的濕度，這對功率半導體器件的運行可靠性構成了嚴峻挑戰。特別是濕度對功率半導體器件芯片焊料熱阻的影響，已成為學術界和工業界關注的焦點。本文將深入探討濕度對功率半導體器件芯片焊料熱阻的影響機理，以期為功率半導體器件的設計、制

  半導體封裝 熱阻 焊料

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• 發布了文章 2025-02-06 11:33

  碳化硅SiC MOSFET：八大技術難題全解析！

  

  碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型功率半導體器件，因其高耐壓、低損耗、高頻率等優異性能，在電力電子領域得到了廣泛應用。然而，SiCMOSFET在研發和應用過程中也面臨著一系列技術問題。本文將詳細探討SiCMOSFET的八大技術問題，并給出相應的解決方案或研究方向。一、SiCMOSFET的柵極氧化層可靠性問題問題概述：SiCMOSFET的柵極氧化層是其核

  MOSFET SiC 半導體器件 碳化硅

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• 發布了文章 2025-01-24 11:01

  集成電路外延片詳解：構成、工藝與應用的全方位剖析

  

  集成電路是現代電子技術的基石，而外延片作為集成電路制造過程中的關鍵材料，其性能和質量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延片的組成、制備工藝及其對芯片性能的影響。

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• 發布了文章 2025-01-23 10:30

  揭秘Au-Sn共晶鍵合：MEMS封裝的高效解決方案

  

  隨著微型機電系統（MEMS）技術的快速發展，其在汽車、醫療、通信、消費電子等領域的應用日益廣泛。MEMS器件由于其獨特的結構和功能特性，對封裝技術提出了極高的要求。其中，氣密性封裝是MEMS封裝中的關鍵技術之一，它不僅能夠保護MEMS器件免受外部環境的影響，還能提高器件的性能和可靠性。Au-Sn共晶鍵合技術作為一種先進的封裝技術，在MEMS氣密性封裝中展現出

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• 發布了文章 2025-01-22 12:57

  集成電路新突破：HKMG工藝引領性能革命

  

  隨著集成電路技術的飛速發展，器件尺寸不斷縮小，性能不斷提升。然而，這種縮小也帶來了一系列挑戰，如柵極漏電流增加、多晶硅柵耗盡效應等。為了應對這些挑戰，業界開發出了高K金屬柵（High-K Metal Gate，簡稱HKMG）工藝。HKMG工藝作為現代集成電路制造中的關鍵技術之一，對提升芯片性能、降低功耗具有重要意義。本文將詳細介紹HKMG工藝的基本原理、分類

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• 發布了文章 2025-01-20 11:44

  半導體制造里的ALD工藝：比“精”更“精”！

  

  在半導體制造這一高度精密且不斷進步的領域，每一項技術都承載著推動行業發展的關鍵使命。原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡稱ALD）工藝，作為一種先進的薄膜沉積技術，正逐漸成為半導體制造中不可或缺的一環。本文將深入探討半導體中為何會用到ALD工藝，并分析其獨特優勢和應用場景。

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• 發布了文章 2025-01-17 14:45

  揭秘PoP封裝技術，如何引領電子產品的未來？

  

  隨著電子產品的日益小型化、多功能化，對半導體封裝技術提出了更高要求。PoP（Package on Package，疊層封裝）作為一種先進的封裝技術，在智能手機、數碼相機、便攜式穿戴設備等消費類電子產品中得到了廣泛應用。本文將詳細探討PoP疊層封裝工藝的原理、特點、結構類型、關鍵技術、應用以及未來發展趨勢。

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• 發布了文章 2025-01-16 13:14

  引線框架質量大起底：影響集成電路的關鍵因素

  

  集成電路（IC）是現代電子信息技術的核心內容，是現代電子工程、計算機和信息工業開發的重要基礎。在集成電路的構成中，引線框架作為連接芯片與外部電路的關鍵部件，其質量對集成電路的整體性能、可靠性和使用壽命具有至關重要的影響。本文將深入分析集成電路中引線框架的質量影響因素，探討其對集成電路性能的具體影響，并提出相應的質量控制措施。

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