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北京中科同志科技股份有限公司

集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的真空回流焊、亞微米貼片機(jī)、smt生產(chǎn)線設(shè)備、真空共晶爐、點(diǎn)膠機(jī)、印刷機(jī)等SMT設(shè)備及PCB設(shè)備的廠家

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動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2025-06-16 14:07

    混合集成電路(HIC)芯片封裝中真空回流爐的選型指南

    混合集成電路(HIC)芯片封裝對(duì)工藝精度和產(chǎn)品質(zhì)量要求極高,真空回流爐作為關(guān)鍵設(shè)備,其選型直接影響封裝效果。本文深入探討了在混合集成電路芯片封裝過(guò)程中選擇真空回流爐時(shí)需要考慮的多個(gè)關(guān)鍵因素,包括溫度控制精度、真空度、加熱均勻性、設(shè)備穩(wěn)定性與可靠性、工藝兼容性、成本效益以及售后服務(wù)等,旨在為相關(guān)企業(yè)和研發(fā)人員提供全面且實(shí)用的選型參考,助力其做出更科學(xué)合理的設(shè)備
  • 發(fā)布了文章 2025-06-03 15:43

    功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例

    隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中,銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角。本文深入探討了功率器件采用銀燒結(jié)技術(shù)的原因,從銀燒結(jié)技術(shù)的原理出發(fā),分析了其在熱性能、電性能、機(jī)械性能以及可靠性等方面的優(yōu)勢(shì),并結(jié)合SiC和IGBT功率器
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  • 發(fā)布了文章 2025-05-30 11:09

    半導(dǎo)體硅表面氧化處理:必要性、原理與應(yīng)用

    半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料,其表面性質(zhì)對(duì)器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),通過(guò)在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅(SiO?)層,顯著改善了硅材料的電學(xué)、化學(xué)和物理特性。本文從半導(dǎo)體硅表面氧化的必要性出發(fā),深入探討其原理、方法、優(yōu)勢(shì)以及在集成電路、微電子器件等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,旨在揭示表面氧化處理在推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展中的重要作
  • 發(fā)布了文章 2025-05-29 11:40

    芯片制造“鍍”金術(shù):化學(xué)鍍技術(shù)的前沿突破與未來(lái)藍(lán)圖

    隨著芯片技術(shù)的飛速發(fā)展,對(duì)芯片制造中關(guān)鍵工藝的要求日益提高。化學(xué)鍍技術(shù)作為一種重要的表面處理技術(shù),在芯片制造中發(fā)揮著不可或缺的作用。本文深入探討了化學(xué)鍍技術(shù)在芯片制造中的應(yīng)用現(xiàn)狀,分析了其原理、優(yōu)勢(shì)以及面臨的挑戰(zhàn),并對(duì)近年來(lái)該技術(shù)的研究進(jìn)展進(jìn)行了全面梳理,同時(shí)展望了其未來(lái)的發(fā)展方向,旨在為芯片制造領(lǐng)域中化學(xué)鍍技術(shù)的進(jìn)一步優(yōu)化和創(chuàng)新提供參考。
  • 發(fā)布了文章 2025-05-28 14:56

    甲酸真空共晶焊接工藝:開(kāi)啟精密焊接新時(shí)代

    在現(xiàn)代電子制造領(lǐng)域,焊接工藝的優(yōu)劣直接關(guān)乎產(chǎn)品的性能與可靠性。隨著電子器件不斷向小型化、高性能化發(fā)展,傳統(tǒng)焊接技術(shù)逐漸暴露出諸多局限性。在此背景下,甲酸真空共晶焊接工藝憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)脫穎而出,成為眾多高端電子制造領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。
  • 發(fā)布了文章 2025-04-18 13:39

    聚焦塑封集成電路:焊錫污染如何成為可靠性“絆腳石”?

    本文聚焦塑封集成電路焊錫污染問(wèn)題,闡述了焊錫污染發(fā)生的條件,分析了其對(duì)IC可靠性產(chǎn)生的多方面影響,包括可能導(dǎo)致IC失效、影響電化學(xué)遷移等。通過(guò)實(shí)際案例和理論解釋,深入探討了焊錫污染對(duì)封裝塑封體的不可恢復(fù)性及在特定條件下的再次失效情況。同時(shí),針對(duì)SMT工程師提出了避免焊錫污染導(dǎo)致可靠性失效的建議,旨在為集成電路產(chǎn)業(yè)在生產(chǎn)制造過(guò)程中有效控制焊錫污染、提高產(chǎn)品質(zhì)量
  • 發(fā)布了文章 2025-04-14 13:49

    高密度系統(tǒng)級(jí)封裝:技術(shù)躍遷與可靠性破局之路

    本文聚焦高密度系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù),闡述其定義、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景及技術(shù)發(fā)展,分析該技術(shù)在熱應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力、電磁干擾下的可靠性問(wèn)題及失效機(jī)理,探討可靠性提升策略,并展望其未來(lái)發(fā)展趨勢(shì),旨在為該領(lǐng)域的研究與應(yīng)用提供參考。
  • 發(fā)布了文章 2025-04-11 14:02

    芯片封裝中的四種鍵合方式:技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用

    芯片封裝作為半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié),承擔(dān)著物理保護(hù)、電氣互連和散熱等關(guān)鍵功能。其中,鍵合技術(shù)作為連接裸芯片與外部材料的橋梁,直接影響芯片的性能與可靠性。當(dāng)前,芯片封裝領(lǐng)域存在引線鍵合、倒裝芯片、載帶自動(dòng)鍵合和混合鍵合四種主流技術(shù),它們?cè)诠に嚵鞒獭⒓夹g(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景上各具優(yōu)勢(shì)。本文將深入剖析這四種鍵合方式的技術(shù)原理、發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì),為產(chǎn)業(yè)界提供技術(shù)參考。
  • 發(fā)布了文章 2025-04-10 14:36

    從焊錫膏到3D堆疊:材料創(chuàng)新如何重塑芯片性能規(guī)則?

    在摩爾定律逼近物理極限的當(dāng)下,先進(jìn)封裝技術(shù)正成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能瓶頸的關(guān)鍵路徑。以系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)、晶圓級(jí)封裝(WLP)、3D堆疊、Chiplet異構(gòu)集成為代表的顛覆性方案,正重新定義芯片性能躍遷的軌跡。隨著AI芯片需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)及臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能限制,先進(jìn)封裝材料作為產(chǎn)業(yè)鏈核心上游,其性能直接決定封裝密度、可靠性及功能性,成為推動(dòng)技術(shù)持續(xù)進(jìn)步的
  • 發(fā)布了文章 2025-04-09 13:35

    功率半導(dǎo)體與集成技術(shù):開(kāi)啟能源與智能新紀(jì)元

    本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇,并對(duì)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,在新能源、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,功率半導(dǎo)體器件正朝著高性能、高集成度、智能化方向發(fā)展,功率集成技術(shù)也日益成熟,為各行業(yè)帶來(lái)了更高的效率和可靠性。

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認(rèn)證信息: 中科同志科技

聯(lián)系人:張經(jīng)理

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地址:馬駒橋聯(lián)東U谷科技園區(qū)15號(hào)12I

公司介紹:中科同志專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)真空回流焊、氮?dú)饣亓骱负蛠單⒚踪N片機(jī),從事半導(dǎo)體真空封裝設(shè)備20年,2014年真空回流焊獲得國(guó)家科技部火炬計(jì)劃產(chǎn)業(yè)化示范項(xiàng)目,2016-2022年,20多項(xiàng)產(chǎn)品獲得獲得北京市新技術(shù)新產(chǎn)品。在真空回流焊領(lǐng)域,中科同志獲得100多項(xiàng)專利,是目前行業(yè)其他公司的3倍以上。

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