動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-01-08 13:06

  銀燒結(jié)技術(shù)助力功率半導(dǎo)體器件邁向高效率時(shí)代

  

  隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件，正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在這些領(lǐng)域中，功率半導(dǎo)體器件不僅需要有更高的效率和可靠性，還要滿足壽命長(zhǎng)、制造步驟簡(jiǎn)單易行以及無鉛監(jiān)管的要求。這些都對(duì)焊接材料和工藝提出了更高、更全面的可靠性要求。而銀燒結(jié)技術(shù)，作為一種新型的高可靠性連接技術(shù)，正在逐漸成為功率半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域

  功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體器件 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-01-07 11:21

  晶圓級(jí)封裝技術(shù)詳解：五大工藝鑄就輝煌！

  

  隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Packaging, WLP）作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，正逐漸在集成電路封裝領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。晶圓級(jí)封裝技術(shù)以其高密度、高可靠性、小尺寸和低成本等優(yōu)點(diǎn)，成為滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品小型化、多功能化和高性能化需求的關(guān)鍵技術(shù)。本文將詳細(xì)解析晶圓級(jí)封裝的五項(xiàng)基本工藝，包括光刻（Photolithography）工

  光刻膠 封裝 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-01-06 10:49

  深入剖析MEMS壓力傳感器封裝與測(cè)試，揭秘其背后的奧秘！

  

  MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）壓力傳感器以其體積小、功耗低、集成度高、性能優(yōu)異等特點(diǎn)，在汽車、生物醫(yī)學(xué)、航空航天等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，MEMS壓力傳感器的性能不僅取決于其設(shè)計(jì)和制造過程，還與其封裝和測(cè)試環(huán)節(jié)密切相關(guān)。本文將詳細(xì)探討MEMS壓力傳感器的封裝工藝及其測(cè)試方法，以期為相關(guān)領(lǐng)域的研究人員和工程師提供參考。

  mems 傳感器 封裝

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• 發(fā)布了文章 2025-01-04 10:53

  TCB熱壓鍵合：打造高性能半導(dǎo)體封裝的秘訣

  

  隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，封裝技術(shù)作為連接芯片與外界環(huán)境的橋梁，其重要性日益凸顯。在眾多封裝技術(shù)中，TCB（Thermal Compression Bonding，熱壓鍵合）技術(shù)以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，在高性能、高密度封裝領(lǐng)域占據(jù)了一席之地。本文將深入剖析TCB熱壓鍵合技術(shù)，探討其原理、應(yīng)用、優(yōu)勢(shì)以及未來發(fā)展趨勢(shì)。

  半導(dǎo)體封裝 基板 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-01-03 12:56

  倒裝封裝（Flip Chip）工藝：半導(dǎo)體封裝的璀璨明星！

  

  在半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展中，封裝技術(shù)作為連接芯片與外部世界的橋梁，其重要性不言而喻。其中，倒裝封裝（Flip Chip）工藝以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景，成為當(dāng)前半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的一顆璀璨明星。本文將深入解析倒裝封裝工藝的原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢(shì)。

  倒裝芯片 半導(dǎo)體封裝 焊盤 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2025-01-02 12:46

  探秘GaN功率半導(dǎo)體封裝：未來趨勢(shì)一網(wǎng)打盡！

  

  隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子、射頻通信等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。其中，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體器件以其高電子遷移率、高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻等優(yōu)異特性，成為了當(dāng)前研究的熱點(diǎn)。然而，GaN功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)異性能要想得到充分發(fā)揮，離不開先進(jìn)的封裝技術(shù)。本文將深入探討GaN功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)，分析其面臨的挑戰(zhàn)、現(xiàn)有的解決方案以及未來的發(fā)展趨

  GaN 功率半導(dǎo)體 芯片封裝

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• 發(fā)布了文章 2024-12-31 10:57

  一文讀懂系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)：定義、應(yīng)用與前景

  

  隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)作為一種創(chuàng)新的集成電路封裝方式，正逐漸成為半導(dǎo)體行業(yè)中的關(guān)鍵一環(huán)。SiP技術(shù)通過將多個(gè)集成電路(IC)和無源元件高度集成于單一封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了功能完整、協(xié)同工作的系統(tǒng)單元。本文將詳細(xì)介紹SiP技術(shù)的定義、關(guān)鍵工藝、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢(shì)。

  SiP 晶圓 系統(tǒng)級(jí)封裝

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• 發(fā)布了文章 2024-12-30 11:22

  全方位解析碳化硅：應(yīng)用廣泛的高性能材料！

  

  碳化硅（SiC），又稱碳硅石，是當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種。它以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)了不可替代的優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討碳化硅的性質(zhì)、制備工藝、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來的發(fā)展趨勢(shì)。

  SiC 材料 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-12-27 14:11

  長(zhǎng)周期認(rèn)證下的IGBT封裝：先發(fā)企業(yè)的優(yōu)勢(shì)與后來者的困境

  

  絕緣柵雙極晶體管（IGBT）功率模塊是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心組件，廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。然而，IGBT功率模塊的封裝技術(shù)卻面臨著諸多挑戰(zhàn)。本文將從材料選擇、熱管理、可靠性、工藝控制等方面詳細(xì)探討IGBT功率模塊封裝面臨的主要問題。

  IGBT 半導(dǎo)體封裝 封裝 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-12-26 13:58

  Chiplet技術(shù)革命：解鎖半導(dǎo)體行業(yè)的未來之門

  

  隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片設(shè)計(jì)和制造面臨著越來越大的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的單芯片系統(tǒng)（SoC）設(shè)計(jì)模式在追求高度集成化的同時(shí)，也面臨著設(shè)計(jì)復(fù)雜性、制造成本、良率等方面的瓶頸。而Chiplet技術(shù)的出現(xiàn)，為這些問題提供了新的解決方案。本文將詳細(xì)解析Chiplet技術(shù)的原理、優(yōu)勢(shì)以及其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用前景。

  chiplet 半導(dǎo)體 芯片封裝

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