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• 發布了文章 2025-01-07 11:21

  晶圓級封裝技術詳解：五大工藝鑄就輝煌！

  

  隨著半導體技術的飛速發展，晶圓級封裝（Wafer Level Packaging, WLP）作為一種先進的封裝技術，正逐漸在集成電路封裝領域占據主導地位。晶圓級封裝技術以其高密度、高可靠性、小尺寸和低成本等優點，成為滿足現代電子產品小型化、多功能化和高性能化需求的關鍵技術。本文將詳細解析晶圓級封裝的五項基本工藝，包括光刻（Photolithography）工

  光刻膠 封裝 晶圓

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• 發布了文章 2025-01-06 10:49

  深入剖析MEMS壓力傳感器封裝與測試，揭秘其背后的奧秘！

  

  MEMS（微機電系統）壓力傳感器以其體積小、功耗低、集成度高、性能優異等特點，在汽車、生物醫學、航空航天等領域得到了廣泛應用。然而，MEMS壓力傳感器的性能不僅取決于其設計和制造過程，還與其封裝和測試環節密切相關。本文將詳細探討MEMS壓力傳感器的封裝工藝及其測試方法，以期為相關領域的研究人員和工程師提供參考。

  mems 傳感器 封裝

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• 發布了文章 2025-01-04 10:53

  TCB熱壓鍵合：打造高性能半導體封裝的秘訣

  

  隨著半導體技術的飛速發展，封裝技術作為連接芯片與外界環境的橋梁，其重要性日益凸顯。在眾多封裝技術中，TCB（Thermal Compression Bonding，熱壓鍵合）技術以其獨特的優勢，在高性能、高密度封裝領域占據了一席之地。本文將深入剖析TCB熱壓鍵合技術，探討其原理、應用、優勢以及未來發展趨勢。

  半導體封裝 基板 芯片

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• 發布了文章 2025-01-03 12:56

  倒裝封裝（Flip Chip）工藝：半導體封裝的璀璨明星！

  

  在半導體技術的快速發展中，封裝技術作為連接芯片與外部世界的橋梁，其重要性不言而喻。其中，倒裝封裝（Flip Chip）工藝以其獨特的優勢和廣泛的應用前景，成為當前半導體封裝領域的一顆璀璨明星。本文將深入解析倒裝封裝工藝的原理、優勢、應用以及未來發展趨勢。

  倒裝芯片 半導體封裝 焊盤 集成電路

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• 發布了文章 2025-01-02 12:46

  探秘GaN功率半導體封裝：未來趨勢一網打盡！

  

  隨著電子技術的飛速發展，功率半導體器件在電力電子、射頻通信等領域的應用日益廣泛。其中，氮化鎵（GaN）功率半導體器件以其高電子遷移率、高擊穿電壓、低導通電阻等優異特性，成為了當前研究的熱點。然而，GaN功率半導體器件的優異性能要想得到充分發揮，離不開先進的封裝技術。本文將深入探討GaN功率半導體器件的封裝技術，分析其面臨的挑戰、現有的解決方案以及未來的發展趨

  GaN 功率半導體 芯片封裝

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• 發布了文章 2024-12-31 10:57

  一文讀懂系統級封裝(SiP)技術：定義、應用與前景

  

  隨著電子技術的飛速發展，系統級封裝(SiP)技術作為一種創新的集成電路封裝方式，正逐漸成為半導體行業中的關鍵一環。SiP技術通過將多個集成電路(IC)和無源元件高度集成于單一封裝體內，實現了功能完整、協同工作的系統單元。本文將詳細介紹SiP技術的定義、關鍵工藝、應用領域以及未來發展趨勢。

  SiP 晶圓 系統級封裝

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• 發布了文章 2024-12-30 11:22

  全方位解析碳化硅：應用廣泛的高性能材料！

  

  碳化硅（SiC），又稱碳硅石，是當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中應用最廣泛、最經濟的一種。它以其優異的物理和化學性質，在多個領域展現了不可替代的優勢。本文將深入探討碳化硅的性質、制備工藝、應用領域以及未來的發展趨勢。

  SiC 材料 碳化硅

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• 發布了文章 2024-12-27 14:11

  長周期認證下的IGBT封裝：先發企業的優勢與后來者的困境

  

  絕緣柵雙極晶體管（IGBT）功率模塊是現代電力電子系統中的核心組件，廣泛應用于新能源發電、電動汽車、智能電網等領域。然而，IGBT功率模塊的封裝技術卻面臨著諸多挑戰。本文將從材料選擇、熱管理、可靠性、工藝控制等方面詳細探討IGBT功率模塊封裝面臨的主要問題。

  IGBT 半導體封裝 封裝 晶體管

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• 發布了文章 2024-12-26 13:58

  Chiplet技術革命：解鎖半導體行業的未來之門

  

  隨著半導體技術的飛速發展，芯片設計和制造面臨著越來越大的挑戰。傳統的單芯片系統（SoC）設計模式在追求高度集成化的同時，也面臨著設計復雜性、制造成本、良率等方面的瓶頸。而Chiplet技術的出現，為這些問題提供了新的解決方案。本文將詳細解析Chiplet技術的原理、優勢以及其在半導體領域的應用前景。

  chiplet 半導體 芯片封裝

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• 發布了文章 2024-12-25 13:08

  納米銀燒結技術：SiC半橋模塊的性能飛躍

  

  隨著電力電子技術的快速發展，碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，以其優異的物理和化學性能在高壓、高頻、高溫等惡劣環境下展現出巨大的應用潛力。尤其在雷達陣面高功率密度的需求下，SiC寬禁帶半導體器件逐步取代傳統硅功率器件。然而，SiC功率器件的高結溫和高功率特性對封裝技術提出了更高的要求。納米銀燒結技術作為一種先進的界面互連技術，以其低溫燒結、高溫使用的優點

  SiC 半導體材料 碳化硅

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