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IGBT與MOSFET的區(qū)別2023-11-23 13:55
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氮化鎵在低功率電動(dòng)車中的應(yīng)用2023-11-22 13:45
雖然氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中仍處于早期階段，它正迅速進(jìn)入更高電壓領(lǐng)域。考慮到其高功率密度和效率，氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于低壓和高壓應(yīng)用，它能應(yīng)用于各種汽車系統(tǒng)。GaN有潛力大幅提高整體效率，我們預(yù)計(jì)，它會(huì)對(duì)汽車工業(yè)產(chǎn)生顯著影響。 -
AMD選擇三星代工廠制造下一代的4nm Zen 5c架構(gòu)產(chǎn)品2023-11-22 13:44
AMD一向傾向于使用臺(tái)積電打造其最先進(jìn)的硅設(shè)計(jì)，當(dāng)然，并不包括他們目前正在研發(fā)中的下一代Zen 5c架構(gòu)產(chǎn)品。根據(jù)一份來(lái)自臺(tái)灣的新報(bào)告，AMD已經(jīng)選擇三星代工廠來(lái)生產(chǎn)為其下一代平臺(tái)打造的Zen 5c架構(gòu)產(chǎn)品，這一決策標(biāo)志著公司大的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。AMD仍然會(huì)使用臺(tái)積電的服務(wù)，但在Zen 5c的生產(chǎn)中，AMD似乎希望多元化資源，而非像其在Zen 4及前幾代產(chǎn)品中那樣 -
探索高功率器件材料：金剛石2023-11-21 15:34
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印度首個(gè)360千瓦超級(jí)充電站由CHARGE+ZONE建成2023-11-21 15:33
首批超級(jí)充電站計(jì)劃于2023年11月在孟買和維洛爾的CCD啟用。這些站點(diǎn)配備了180千瓦雙槍充電器和360千瓦電源柜。這是該技術(shù)首次在印度引入。CHARGE+ZONE的超級(jí)充電器旨在將交流（AC）轉(zhuǎn)換為直流（DC），直接向電動(dòng)汽車電池提供高功率直流電壓和電流，以實(shí)現(xiàn)快速充電。 -
人工智能如何影響芯片制造業(yè)?2023-11-20 14:11
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MOSFET創(chuàng)新助力汽車電子功率密度提升2023-11-20 14:10
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電流傳感在清潔能源的未來(lái)之路2023-11-17 18:01
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為什么制造半導(dǎo)體需要如此多的水？2023-11-17 18:00
建立半導(dǎo)體工廠需要大面積的土地、大量的能源以及高精度的機(jī)械設(shè)備。由于芯片工廠的復(fù)雜性不斷增加，美國(guó)國(guó)會(huì)為提升國(guó)家的技術(shù)獨(dú)立性，已經(jīng)撥款超過(guò)500億美元用于美國(guó)國(guó)內(nèi)芯片生產(chǎn)的提升。半導(dǎo)體工廠是一個(gè)巨大的資源黑洞，數(shù)不清的資源都向其在涌入，其中水資源也是半導(dǎo)體工廠極其需要的。 -
SiC驅(qū)動(dòng)模塊的應(yīng)用與發(fā)展2023-11-16 15:53
SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天等領(lǐng)域。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和成本的降低，SiC驅(qū)動(dòng)器模塊將進(jìn)一步提升性能，擴(kuò)大市場(chǎng)份額，并推動(dòng)下一代功率器件的發(fā)展。
