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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 西門子與英特爾共同研發制造先進半導體技術2023-12-05 17:15

    為滿足全球對半導體的日益增長的需求,英特爾認為必須有更可持續、更具彈性和全球平衡的供應鏈。英特爾和西門子將深化合作,以尋找西門子自動化解決方案組合的新應用,這些應用有助于提高半導體基礎設施、設施和工廠運營的可持續性和效率。這項備忘錄將讓無論是區域還是全球的產業價值鏈都能獲益。
  • 發光二極管的原理和應用2023-12-05 17:14

    LED技術基于發光二極管的原理,通過載流子的復合釋放出光能,實現光的發射。LED技術的應用廣泛,包括照明、顯示、通信等領域。隨著技術的不斷發展,LED的亮度和效果不斷提升,成為替代傳統照明技術的主要選擇。值得注意的是,雖然LED技術在能源消耗和環境保護方面有著顯著的優勢,但是在制造過程中也存在一定的環境污染問題,需要進一步研究和改進
    led 二極管 電子元件 1421瀏覽量
  • 博通斥資690億美元收購VMware后全球裁員已超2800人2023-12-04 16:02

    來自VMware內部的消息透露,裁員總數可能在1萬至2萬之間。許多裁員是階段性進行的,時間跨度可能長達9個月。VMware的超過3.8萬名員工遍布全球各地,所以博通收購VMware交易后的裁員將會產生全球影響。
    VMware 博通 792瀏覽量
  • 汽車電氣化需求正在刺激封裝技術創新2023-12-04 16:01

    現代的汽車已由復雜的機械系統逐漸演變為復雜的計算機系統。文章著重探討了整合大量電子控制單元(ECUs)和轉向區域架構的挑戰和創新,關注點在于封裝創新如何釋放這場科技革命的潛力。如今的汽車已不再是我們熟悉的傳統車輛,它們更像是一臺裝有輪子的電子設備。
  • 碳化硅開啟功率半導體的新時代2023-12-01 17:49

    隨著電動汽車和充電站對高電壓和在高溫惡劣環境下工作的要求日益加大,碳化硅(SiC)因其制造和包裝成本高昂,推廣初期步履蹣跚。然而情況正在改變,根據PowerAmerica首席技術官Victor Veliadis介紹,目前SiC電力模塊的價格已經與硅基模塊持平,這進一步促進了供應合作以及新的SiC工廠的建造。
    SiC 半導體 碳化硅 433瀏覽量
  • 中國長鑫存儲自主研發 LPDDR5 完成2023-12-01 17:48

    長鑫存儲最近在其官網上宣布,已研發出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片,并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5及DSC封裝的6GB LPDDR5等一系列產品。該產品代表最新一代的低功耗 DRAM(Low-Power DDR5 DRAM),相比上一代 LPDDR4X,新一代 LPDDR5 的容量和速度提高了50%,容量
    DRAM LPDDR5 芯片 長鑫存儲 1231瀏覽量
  • 碳化硅的超強性能2023-12-01 17:46

    電力半導體的進步并不完全取決于節點尺寸的減小。硅電力開關,如MOSFETs和IGBTs,被設計用來處理12V到+3.3kV的電壓和數百安培的電流。這些開關管理著大量的電力!然而,他們的能力有限,這正推動著新材料如碳化硅(SiC)的開發。在這種材料中,電子開始自由運動需要的能量是普通硅的三倍。這種更寬的帶隙賦予了材料一些有趣的特性,如更快的開關速度和更高的功率
    IGBT MOSEET SiC 536瀏覽量
  • 中國TCL集團縮減其芯片設計的野心2023-12-01 17:45

    電視面板制造商TCL科技集團有限公司已關閉了一家專門設計顯示驅動芯片的子公司,退出了利潤空間正在縮小的市場領域:位于廣東省的總公司解散了Mooresilicon這個子公司,這是一家擁有不到100人的團隊。這一舉動對TCL科技的整體芯片發展策略影響甚微,公司仍在設計電源芯片。電源芯片是電子系統中控制電流流動的關鍵組件,它們被廣泛應用于從手機到電動車的各種產品中
  • LG電子將進軍美國電動車充電市場2023-12-01 14:56

    LG電子計劃于2024年發布其首批交流和直流電動車充電站產品線,進軍美國迅速擴張的電動車充電器市場。正如LG商業解決方案美國公司的高級副總裁Nicolas Min所述,該產品線將包括2級和3級電動車(EV)充電器。這一發展將為各市、商業機構和其他公共場所提供新的機會,通過自主運營的充電站助力美國的電氣化進程。
    LG 充電樁 電動汽車 1274瀏覽量
  • SiCMOSFET和IGBT在短路時的對比2023-12-01 14:54

    基于溝道的硅碳功率金氧半場效應晶體管(MOSFETs)為電力轉換開關設備的性能優化系數(FOM)帶來了顯著提升。這讓系統性能得以凸顯,提高了多種應用的效率和功率密度,并降低了整體系統的成本。
    FOM MOSFET SiC 1001瀏覽量
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