功率半導體器件陶瓷覆銅板用無氧銅帶
陶瓷覆銅板是在高溫，流動氣氛下銅帶與陶瓷基片通過高溫熔煉和擴散過程而形成的一種高導熱、高絕緣強度的復....
芯片工程師，是時候了解GAA晶體管了
雖然只有12年的歷史，但finFET已經走到了盡頭。從3nm開始，它們將被環柵 (GAA)取代，預計....
封裝技術的發展歷程 存儲器容量需求是否影響芯片技術
扇出型晶圓級封裝（Fan-out wafer-level packaging, 簡稱Fan-out ....
Si3N4為何要用AMB工藝？AMB Si3N4的生產流程介紹
功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業領域得到越來越廣泛的應用。
介紹芯片鍵合(die bonding)工藝
作為半導體制造的后工序，封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯....
內聯重布線層（IRDL）及其主要功能簡介
隨著移動設備和可穿戴設備的日益普及，移動存儲器的需求也在穩步提升。對于移動設備來說，便攜性是最重要的....
2023年半導體供應鏈變化的五種趨勢
根據 World Fab Forecast 報告，2022 年將有 33 座新的半導體晶圓廠開工建設....
IGBT功率器件靜態參數測試解決方案
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是電力控制和電力轉換的核心器件，是由BJT（雙極型晶體管）和MOS（絕....
半導體光刻膠重要性凸出，國產替代加速推進
光刻膠是IC制造的核心耗材，技術壁壘極高。根據TECHCET數據，預計2022年全球半導體光刻膠市場....
IGBT功率模塊封裝主要面臨哪些問題？
功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發展，在工作損耗不變的情況下，使得器件的發熱功率密度變得更大，在....
第四代半導體制備連獲突破，氧化鎵將與碳化硅直接競爭？
此外，氧化鎵的導通特性約為碳化硅的10倍，理論擊穿場強約為碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽車、軌道....
日月光最先進扇出型堆棧封裝(FOPoP)實現低延遲高帶寬
先進封裝的創新優勢為競爭日益激烈的市場帶來前所未有的機遇。尤其是外形尺寸的改變和電性優勢為客戶提供優....
中國研發團隊在SOT-MRAM取得重要進展
據“中科院微電子研究所”消息，為了更好地解決SOT-MRAM的刻蝕技術難題以實現SOT-MTJ的高密....
晶圓廠開啟價格戰，成熟制程最慘烈
南韓科技巨擘三星傳出發動晶圓代工價格戰搶單，鎖定成熟制程，降價幅度高達一成，三星來勢洶洶，聯電、世界....
LIDE激光誘導深度蝕刻技術在MEMS封裝領域的應用
良好的機械強度：玻璃是一種相對堅固且耐用的材料，可以保護MEMS器件免受機械應力的影響。另外，不同于....
Microchip重金擴產碳化硅的助力與底氣
Microchip指出，科羅拉多斯普林斯區目前擁有超過850名員工，主要生產6英寸芯片芯片，因此Mi....
工商網監