隨著集成電路工藝技術不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成電....

WAT技術詳解

套刻計量（Overlay metrology）工具可提高精度，同時提供可接受的吞吐量，解決日益復雜的....

PVD篇 PVD是通過濺射或蒸發(fā)靶材材料來產(chǎn)生金屬蒸汽，然后將金屬蒸汽冷凝在晶圓表面上的過程。應用材....

Producer Black Diamond 3 系統(tǒng)設計為可與 應用材料公司的 Producer ....

作為中微公司自主研發(fā)的產(chǎn)出效率高且性能卓越的12英寸LPCVD設備，Preforma Uniflex....

這是一種晶圓鍵合方法，其中兩個表面之間的粘附是由于兩個表面的分子之間建立的化學鍵而發(fā)生的。

在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用焊錫球凸點(solder bump....

銅的替代品，如釕和鉬，可以集成使用雙鑲嵌。不過，它們可能更適合使用金屬蝕刻的減法方案，自從鋁互連的日....

TSV 是目前半導體制造業(yè)中最為先進的技術之一，已經(jīng)應用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實現(xiàn)其制程的關鍵設備選擇與工....

在深入探討這些主題之前，讓我們簡要介紹一下公司的歷史以及他們獨特的文化。在專注于半導體之前，DISC....

追求更小的 DRAM 單元尺寸（cell size)仍然很活躍并且正在進行中。對于 D12 節(jié)點，....

通過控制溫度來控制晶相，將非晶AlO、T相ZrO制作為新型介質薄膜。因為主要貢獻點是EOT很低的新型....

DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Re....

擴大支撐列可以提供更好的結構穩(wěn)定性，但會增加字線電阻，占用更多的空間。因此，在器件的結構完整性允許的....

在將晶圓制成半導體的過程中需要采用數(shù)百項工程。其中，一項最重要的工藝是蝕刻（Etch）——即，在晶圓....

最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù)，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉移到具有 3 個柵極....

添加更多的柵極（例如在 FinFET 中），將使其中的溝道被限制在三個柵極之間，從而能夠將 Lg 縮....

志橙半導體成立于2017年底，專注于為半導體芯片設備提供核心部件-SiC涂層石墨基座，據(jù)稱是國內首家....

2019年、2020年和2021年，微導納米的營收分別為2．16億元、3．13億元和4．28億元；凈....

FinFET路線圖有三個重要的技術挑戰(zhàn)：翅片彎曲、高k金屬柵極（HKMG）和接口關鍵尺寸縮放以及源極....

柵極由絕緣膜(柵氧化層, gate oxide)和電極(柵電極, gate electrode)組成....

和晶圓制造工藝類似，圖形放置位置是光掩膜量測中相當重要的一部份。完整的芯片設計不僅對每一層光掩膜的特....