過度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會導致表面粗糙。當硅表面在HF過程中暴露于OH離子時，硅表面可能會變得粗糙....
![的頭像]()
FindRF 發表于 11-05 09:25
?1121次閱讀
等離子體蝕刻機需要與濕法蝕刻相同的元素：化學蝕刻劑和能量源。從物理上講，等離子體蝕刻機由室、真空系統....
![的頭像]()
FindRF 發表于 11-05 09:22
?658次閱讀
蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕....
![的頭像]()
FindRF 發表于 10-24 15:58
?544次閱讀
下圖列出了一個11步工藝，如第5章所示。典型的站點良率列在第3列，累積良率列在第5列。對于單個產品，....
![的頭像]()
FindRF 發表于 10-09 09:50
?1180次閱讀
在晶圓制造良率部分討論的工藝變化會影響晶圓分選良率。在制造區域，通過抽樣檢查和測量技術檢測工藝變化。....
![的頭像]()
FindRF 發表于 10-09 09:45
?1064次閱讀
制造后，晶圓被送到晶圓分選測試儀。在測試期間，每個芯片都會進行電氣測試，以檢查設備規范和功能。每個電....
![的頭像]()
FindRF 發表于 10-09 09:43
?721次閱讀
硅晶圓相對容易處理，并且良好的實踐和自動設備已將晶圓斷裂降至低水平。然而，砷化鎵晶圓并不是那么堅韌，....
![的頭像]()
FindRF 發表于 10-09 09:39
?929次閱讀
晶圓實際被加工的時間可以以天為單位來衡量。但由于在工藝站點的排隊以及由于工藝問題導致的臨時減速，晶圓....
![的頭像]()
FindRF 發表于 07-01 11:18
?2056次閱讀
晶圓制造和封裝是一個極其漫長和復雜的過程，涉及數百個要求嚴格的步驟。這些步驟從未每次都完美執行，污染....
![的頭像]()
FindRF 發表于 05-20 10:55
?2359次閱讀
有許多單獨的模式處理步驟，這些處理步驟標識了器件的數量、器件的具體結構，器件中堆疊層的組合方式，并且....
![的頭像]()
FindRF 發表于 01-26 09:29
?1153次閱讀
電路設計是制造微芯片的第一步。電路設計人員首先會從設計電路的單元功能圖開始，如邏輯圖中所示的這樣。
![的頭像]()
FindRF 發表于 01-22 09:12
?935次閱讀
下圖中描述了一個中等規模集成(MSI)/雙極顯微照片集成電路。選擇整合的水平，以便一些表面細節可以看....
![的頭像]()
FindRF 發表于 01-19 09:24
?1063次閱讀
在本章當中，我們將為大家介紹硅片制造中使用的四種基本工藝，這四種基本工藝常用于在晶圓片表面上加工集成....
![的頭像]()
FindRF 發表于 01-15 09:33
?1378次閱讀
最后的拋光步驟是進行化學蝕刻和機械拋光的結合，這種形式的拋光稱為化學機械拋光(CMP)。首先要做的事....
![的頭像]()
FindRF 發表于 01-12 09:54
?1477次閱讀
一旦晶體在切割塊上被定向了，我們就可以沿著切割塊的這一根軸線打磨出一個平面或缺口(具體可以見下圖所示....
![的頭像]()
FindRF 發表于 01-08 09:47
?874次閱讀
在晶體生長的過程中，由于某些條件的引入將會導致結構缺陷的生成。
![的頭像]()
FindRF 發表于 01-05 09:12
?638次閱讀
浮區晶體生長是本文所解釋的幾個過程之一，這項關鍵性的技術是在歷史早期發展起來的技術，至今仍用于特殊用....
![的頭像]()
FindRF 發表于 12-28 09:12
?922次閱讀
我們看到的半導體晶圓是從一塊完整的半導體大晶體切成出來形成的。
![的頭像]()
FindRF 發表于 12-25 09:28
?1389次閱讀
晶體材料可能有兩層原子結構。首先是原子以特定的形狀排列在單個晶胞的特定的點上。
![的頭像]()
FindRF 發表于 12-22 10:21
?1085次閱讀
在接下來的一個章節里面，我們將主要介紹用砂子制備半導體級硅的方法，以及后續如何將其轉化為晶體和晶圓片....
![的頭像]()
FindRF 發表于 12-18 09:30
?1074次閱讀
另一個重要方面是壓力。壓強，作為一種物質的基本性質，通常是用于液體和氣體物質狀態的描述量。
![的頭像]()
FindRF 發表于 12-11 09:35
?1144次閱讀
書接上節，常見的物質的第四種自然狀態是等離子體狀態。我們比較熟知的恒星天體就是等離子體態的一個例子。....
![的頭像]()
FindRF 發表于 12-08 09:47
?1079次閱讀
當我們想要描述一個原子的結構時，每次繪制下圖所示的這樣的圖表時都不是非常的方便。更常見的做法是寫出分....
![的頭像]()
FindRF 發表于 12-03 14:07
?784次閱讀
硅/鍺原子的間距比普通硅原子的更寬。在沉積的過程中，硅原子伸展到與SI/Ge原子對齊，使硅層染色。電....
![的頭像]()
FindRF 發表于 12-03 11:05
?919次閱讀
盡管有這些優點，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進而變成主流的半導體材料。原因在于我們必須要在實際的材....
![的頭像]()
FindRF 發表于 11-27 10:09
?944次閱讀
鍺和硅是兩種基本的半導體。世界上第一個晶體管是由鍺材料制成的，作為固態電路時代的最初的一個標志。
![的頭像]()
FindRF 發表于 11-20 10:10
?1135次閱讀
以同樣的方式理解p型材料(如下圖所示)。不同之處在于，只有元素周期表第三列的硼被用來使p型的硅摻雜。....
![的頭像]()
FindRF 發表于 11-17 09:11
?3822次閱讀
本征態的半導體材料在制作固態器件時是無用的，因為它沒有自由移動的電子或者空穴，所以不能導電。
![的頭像]()
FindRF 發表于 11-13 09:38
?874次閱讀
本征態的半導體材料在制作固態器件時是無用的，因為它沒有自由移動的電子或者空穴，所以不能導電。然而，通....
![的頭像]()
FindRF 發表于 11-13 09:36
?4328次閱讀
許多材料的一個重要特性是導電能力(即:支持電流流動的能力)。電流就是流動的電子。導電發生在元件和材料....
![的頭像]()
FindRF 發表于 11-10 09:44
?1309次閱讀
工商網監
湘ICP備2023018690號-1
