電動汽車電池系統(tǒng)方面的耐久性,換個說法就是耐久性方面的考慮。原則上,就是需要在考慮使用時間、使用公里數(shù)、使用條件和使用環(huán)境等條件下,輸入給電池系統(tǒng)一個等效的負荷環(huán)境。
2017-06-06 15:24:10
1963 其延長的寫周期耐久性和數(shù)據(jù)保留時間,FRAM技術(shù)可幫助設(shè)計人員滿足使用可用FRAM IC和基于FRAM的MCU的十年,低功耗NVM操作的要求,這些MCU來自賽普拉斯半導(dǎo)體,富士通半導(dǎo)體,ROHM Semiconductor等制造商和德州儀器。
2019-03-18 08:08:00
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NRAM則兼具FRAM的高速寫入、高讀寫耐久性(比NOR Flash高1000倍),又具備與NOR Flash相當?shù)拇笕萘颗c造價成本并實現(xiàn)很低的功耗(待機模式時功耗幾乎為零),同時可靠性非常高,在80度時存儲數(shù)據(jù)時限高達1000年,在300度時亦可達到10年。
2020-07-21 14:17:36
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富士通高級產(chǎn)品工程師伍宏杰先生表示,“恰恰是FRAM高速讀寫的特性,決定了FRAM可以實現(xiàn)在無電池或是突然斷電的情況下實現(xiàn)讀寫,避免數(shù)據(jù)的丟失。”
2014-07-29 16:59:27
1410 FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,已有對傳統(tǒng)非易失性內(nèi)存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
2020-05-11 10:37:43
1004 0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
多個品牌總代理資質(zhì),主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片,致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品,是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
2020-10-09 14:27:35
EDR實施將配對具有2 Mb或4 Mb密度的無限耐久性FRAM器件和高密度閃存。存儲器通常將配置為連續(xù)存儲最新的1到5 s的數(shù)據(jù),而閃存陣列用于批量存儲較舊的數(shù)據(jù)。對于Excelon-Auto設(shè)備,有一
2020-08-12 17:41:09
多年,并長期保持數(shù)據(jù)的能力建立這些強大的設(shè)備進入低功耗能量收集應(yīng)用程序。設(shè)備配置設(shè)計人員可以找到FRAM存儲器支持并行,SPI串行或I2C / 2線串行接口。例如,連同其平行的1Mb MB85R1001A
2021-12-09 08:28:44
FRAM的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題;但受鐵電晶體特性制約,FRAM仍有最大訪問(讀)次數(shù)的限制。
2019-09-11 11:30:59
Altera公司產(chǎn)品和企業(yè)市場副總裁DannyBiran低功耗是一種戰(zhàn)略優(yōu)勢 在器件的新應(yīng)用上,F(xiàn)PGA功耗和成本結(jié)構(gòu)的改進起到了非常重要的作用。Altera針對低功耗,同時對體系結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝進行
2019-07-16 08:28:35
BLE低功耗藍牙的優(yōu)勢及典型應(yīng)用
2021-04-02 06:50:06
在Siga-S16開發(fā)板使用ddr2操作讀寫數(shù)據(jù)時 怎么判斷讀寫數(shù)據(jù)命令是否執(zhí)行完畢 如果根據(jù)fifo的輸出count進行讀寫數(shù)據(jù)命令的發(fā)送 要求高速時會出錯 目前只能自己加延時等待 降低速度保證數(shù)據(jù)的正確 請教怎么提速啊
2013-07-11 19:47:31
FM17520是一款高度集成的工作在13.56MHz下的非接觸讀寫器芯片,支持符合ISO/IEC?14443?TypeA協(xié)議的非接觸讀寫器模式。?FM17520具有低電壓、低功耗、驅(qū)動能力強等特點
2017-09-28 10:14:40
FM17520 是一款高度集成的工作在 13.56MHz 下的非接觸讀寫器芯片,支持符合 ISO/IEC 14443TypeA 協(xié)議的非接觸讀寫器模式。FM17520 具有低電壓、低功耗、驅(qū)動
2019-02-15 17:37:54
傳輸數(shù)據(jù)。我們想知道是否需要對數(shù)據(jù)包采用前向糾錯,因為我們不確定EEPROM的可靠性。該數(shù)據(jù)表引用了1,000,000個周期的“最大寫入耐久性循環(huán)耐久性”。這個數(shù)字是否意味著在預(yù)期發(fā)生單個故障之前
2019-07-26 16:36:20
寫或讀高耐久性閃存(在這種情況下,我讀/寫從0x7f0到0x7FF)。我正在使用最新版本的代碼配置器生成的讀/寫函數(shù)。這聽起來像是我遺漏的“常見”功能嗎?謝謝,塞爾吉奧
2019-10-21 13:01:27
PSoC? 6 中嵌入式閃存的正確最低耐久性是多少?
PSoC? 6 的數(shù)據(jù)表聲稱閃光燈耐久性至少為 100k 次。
TRM 聲稱續(xù)航時間為 10k 個周期。
請參閱第 6.5 節(jié) 62x7 數(shù)據(jù)表
2024-02-26 06:46:06
SD卡的傳輸協(xié)議和讀寫程序SD/MMC 卡是一種大容量(最大可達4GB)、性價比高、體積小、訪問接口簡單的存儲卡。SD/MMC 卡大量應(yīng)用于數(shù)碼相機、MP3 機、手機、大容量存儲設(shè)備,作為這些便攜式設(shè)備的存儲載體,它還具有低功耗、非易失性、保存數(shù)據(jù)無需消耗能量等特點。[hide][/hide]
2009-12-08 09:53:05
SI522(超低功耗13.56M芯片)替代RC522 完全兼容 PIN對PINSI522是應(yīng)用于13.56MHz 非接觸式通信中高集成度讀寫卡系列芯片中的一員。 Si522 主要優(yōu)勢點:1. 直接
2019-07-06 11:06:46
400kBd,高速模式速率達 3400kBd串行 UART,速率達 1228.8kBd·64 字節(jié) FIFO·靈活的中斷模式·低功耗硬復(fù)位功能·支持軟掉電模式·集成可編程定時器·27.12MHz 內(nèi)部
2022-10-11 09:20:34
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點與富士通FRAM相比,升級到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢:?更快的隨機訪問操作時間?高可靠性和數(shù)
2023-04-07 16:26:28
ntfs格式文件更加方便。 快速讀寫Windows NTFS文件系統(tǒng)使用Tuxera NTFS for Mac我們可快速進行磁盤訪問、編輯、存儲等操作,讓NTFS磁盤兼容Mac和Win平臺。 基礎(chǔ)功能
2020-09-11 11:35:51
電源范圍內(nèi)工作。此外,與存儲電荷的存儲器設(shè)備,FRAM裝置具有耐α粒子和通常表現(xiàn)出軟錯誤率(SER)檢測極限以下。FRAM的優(yōu)勢的影響漣漪通過的系統(tǒng),例如無線傳感器節(jié)點,需要高速寫入和低功耗工作的組合
2016-02-25 16:25:49
,“讀寫數(shù)據(jù)后最對比,若數(shù)據(jù)一致則記錄一次成功,重復(fù)記錄N次直至數(shù)據(jù)不一致”但是進行測試的時候,我突然意識到一個問題。我在FRAM的介紹里面看到說:“FRAM讀寫次數(shù)超限之后它只是不再有非易矢性,但是
2013-09-03 10:52:35
文件③ DSP讀寫U盤文件④ FPGA讀寫U盤文件⑤ PLC讀寫U盤文件二、 通過高速串口快速讀寫U盤文件的解決方案① 單片機SPI口讀寫U盤文件② 用ARM的SPI口讀寫U盤文件暫不同步③ 用DSP
2014-04-14 15:59:44
嗨,哪里可以獲得有關(guān)X射線輻射損傷的設(shè)備耐久性和X射線輻射損傷的KRads總劑量閾值的信息,我需要在這些設(shè)備上具有高度重要性的信息:1 .SPARTAN2 2.5V FPGA 150,000
2019-05-15 14:18:56
要求。”在類似如上所述的系統(tǒng)中,FRAM 可帶來多種優(yōu)勢。 結(jié)合我們 FRAM MCU 的非易失性、寫入速度和低功耗以及與 AES 模塊及存儲器保護單元的集成,使得諸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
低功耗應(yīng)用提高安全性。此外,它們還采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或閃存提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲器架構(gòu),從而可簡化安全系統(tǒng)設(shè)計。
2019-07-08 06:03:16
通信通道安全的加密數(shù)據(jù)(如安全密鑰及密碼等)等。最新低功耗微處理器(MCU)集成降低安全應(yīng)用成本與功耗所需的高性能以及各種特性,可幫助開發(fā)人員為低功耗應(yīng)用提高安全性。此外,它們還采用非易失性FRAM替代
2014-09-01 17:44:09
本文介紹了汽車PCM耐久性測試系統(tǒng)的整體設(shè)計思路和測試規(guī)范,重點討論了關(guān)鍵子系統(tǒng)的設(shè)計原理,并通過原型樣機對幾種PCM模塊長久性測試,驗證了該系統(tǒng)的可靠性和通用性。
2021-05-17 06:53:06
德州儀器推出業(yè)界首款超低功耗 FRAM 微控制器開發(fā)人員藉此可讓世界變得更加智能MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可為開發(fā)人員帶來高達100倍的寫入速度增幅及250倍的功耗降幅,因而
2011-05-04 16:37:37
、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失性靜態(tài)存儲器)等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優(yōu)勢和劣勢:存儲器
2019-07-23 06:15:10
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器(MCU)系列包含幾款器件,采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設(shè)集,面向各種感應(yīng)和測量應(yīng)用。該架構(gòu)、FRAM和外設(shè),結(jié)合大量低功耗模式,可以延長
2021-11-03 07:28:04
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優(yōu)勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗,如果要寫13Kbps的數(shù)據(jù)到DRAM里需要花1秒時間,大約要用2200uA的功耗去做寫的功能,但如果用FRAM來做只要10ms
2021-11-24 07:19:40
1 引言RFID(Radio Frequency Identification Technology,無線射頻識別技術(shù))由于
具有高速移動物體識別、多目標識別和非接觸識別
等特點,顯示出巨大的發(fā)展?jié)摿?/div>
2019-07-29 06:04:33
電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
2020-05-07 15:56:37
什么是FRAM?FRAM(鐵電隨機存取存儲器)是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存取器)的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
高密度MRAM具有非常低的功率,高的讀取速度,非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性,適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0.0456平方微米,讀取速度為10ns,讀取功率為0.8mA/MHz/b,在低功耗待機模式
2020-07-02 16:33:58
鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器,應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用, 并給出FRAM 與MCS-51 單片機的接口電路和軟件設(shè)計。
2009-05-13 16:25:45
25 51 系列單片機慢速讀寫的時序擴展
2009-05-15 14:28:16
18 FM25C160 是美國Ramtron 公司生產(chǎn)的非易失性鐵電介質(zhì)讀寫存儲器。它具有高速讀寫,超低功耗和無限次寫入等特性。文中介紹了FM25C160 的性能特點﹑管腳定義﹑內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作
2009-11-12 14:11:03
35 為滿足手持式RFID 讀寫器的低功耗要求,提出了一種在低功耗硬件的基礎(chǔ)上,通過軟件調(diào)節(jié)系統(tǒng)的工作時鐘頻率和管理系統(tǒng)的工作模式來降低讀寫器系統(tǒng)功耗的設(shè)計方法。并為測
2009-12-19 15:48:13
28 燈具耐久性試驗設(shè)施設(shè)計方案
摘要:文章根據(jù)標準GB7000.1-2007《燈具 第一部分:一般要求與試驗》標準12.3 規(guī)定和附錄K 中的要求,介紹了燈具耐久性試驗設(shè)施的
2010-04-14 15:59:41
39 :低功耗模式寫入工作,實現(xiàn)相同的讀/寫通信距離。? 大容量內(nèi)置存儲單元:記錄信息于電子標簽,實現(xiàn)追溯應(yīng)用所需的大容量內(nèi)存單元。? 讀寫工作高耐久性:保證最高1萬億次
2023-12-27 13:53:33
利用SD卡研究、設(shè)計一種大容量心電存儲及回放系統(tǒng)。系統(tǒng)基于高速低功耗的msp430單片機,利用串行外圍接口總線與SD卡相連,實現(xiàn)對sD卡的數(shù)據(jù)讀寫。為方便微處理器和pc機對sD卡
2010-10-20 16:07:43
813 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器(FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:50
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STCl2C5A60S2單片機的SD卡讀寫
摘要:分析了基于STC單片機的SD卡的讀寫操作,給出了一種基于高速、低功耗、超強抗干擾的新一代STCl2C5A60S2系列IT單片機的SD卡讀寫方法。該方
2010-04-23 14:59:50
3842 
本文將具體闡述低功耗設(shè)計理念在基于MSP430和MFRC522的非接觸式讀寫器上的應(yīng)用與實現(xiàn)。
2011-08-25 10:31:47
1372 
本文介紹一款便攜式巡更機(射頻讀寫器)的設(shè)計。該讀寫器主要由MCU、射頻IC卡讀寫模塊、天線及USB通信接口等部分組成。為了方便對巡更情況的實時記錄,系統(tǒng)采用了具有時間基準
2012-07-10 13:58:46
687 
FRAM(鐵電隨機存取存儲器)是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存取器)的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。
2017-03-28 18:05:30
1459 本視頻主要內(nèi)容:介紹了富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品特性:低功耗,快速讀寫,高讀寫次數(shù)和防輻射特性。
2017-03-29 11:34:27
951 FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點呢?
2017-09-04 14:46:30
10691 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點呢?
2017-09-17 16:34:22
9446 
選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產(chǎn)品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性,以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達1014
2018-06-02 02:46:00
14463 MSP430 (3) 超低功耗FRAM
2018-08-14 01:50:00
9499 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是PIC18F87K90單片機讀寫FRAM鐵電存儲器的方法存儲器免費下載。
2019-01-23 16:41:25
32 關(guān)鍵詞:RFID , FRAM , EEPROM , 非易失性存儲器 在RFID中嵌入FRAM,打破傳統(tǒng)RFID標簽的一系列限制 開車的朋友可能會有這樣的經(jīng)歷,當經(jīng)過高速公里收費站時,交通收費卡在
2019-03-09 12:55:01
496 富士通半導(dǎo)體利用FRAM的高速寫入,高讀寫耐久性(多次讀寫次數(shù))特長, 提供RFID用LSI以及應(yīng)用于電子設(shè)備的FRAM內(nèi)置驗證IC產(chǎn)品。富士通提供使用無限接口的FRAM內(nèi)置RFID用LSI。富士通
2020-05-21 14:01:03
751 FRAM是一種鐵電存儲器,它使用鐵電膜作為電容來存儲數(shù)據(jù),即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫,高讀寫耐久性,低功耗,防篡改等方面具有
2020-09-27 14:32:31
1634 是具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。本篇文章主要介紹關(guān)于FRAM的耐久性。 SRAM具有無限的耐久性,可以無限地對其進行讀寫。FRAM具有高(數(shù)量),將應(yīng)用程序限制為讀取或?qū)懭雴蝹€字節(jié)不超過指定的周期數(shù)。緩解的最佳方法是通過設(shè)計知道
2020-10-19 14:22:59
626 UV膠粘接耐久性 UV膠粘接力是UV膠水各項性能中相當重要的一項,而提高UV膠水粘接的耐久性是粘接技術(shù)面臨的重要任務(wù),也是結(jié)構(gòu)連接的的可靠保證。AVENTK作為UV膠水生產(chǎn)廠家,在UV膠水領(lǐng)域已有
2020-12-23 15:10:57
2341 內(nèi)存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對于盡管嚴格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序,內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速,非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05
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獨特性能成就技術(shù)“硬核”,FRAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外, FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢:高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗,這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:31
3503 相比,具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM(鐵電隨機存取存儲器)芯片,由262,144字×16位非易失性存儲單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)制造。能夠保留數(shù)據(jù),而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02
823 
FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢
2021-05-04 10:17:00
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監(jiān)控,記錄和分析處理。因此需要提高存儲器性能和耐久性設(shè)計。只有非易失性?高速?高讀寫耐久性的車規(guī)級的存儲器FRAM才可以滿足所要求的可靠性和無遲延的要求。 FRAM在電池管理系統(tǒng)BMS應(yīng)用 高燒寫耐久性,高速寫入操作: ?系統(tǒng)每0.1或1秒,
2021-05-04 10:18:00
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存儲器的性能和耐久性設(shè)計,這些要求使FRAM成為理想的存儲選擇。 FRAM在Car Infotainment中的應(yīng)用 高速燒寫,高讀寫耐久性: 系統(tǒng)經(jīng)常會會受到發(fā)動機關(guān)閉,導(dǎo)航,倒車攝像或電話進入時的干擾,高端的car infotainment需要實時記錄當前狀態(tài),并在干擾之后回復(fù)當前
2021-05-04 10:15:00
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與傳統(tǒng)的存儲技術(shù)相比,FRAM在需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久等綜合性能的應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出眾、口碑良好。富士通 FRAM量產(chǎn)20年以來,出貨量更是超過了41億顆!咱們富士通這么多
2021-04-24 10:56:48
422 FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。那么
2021-04-26 14:31:28
544 2882lite是一款高性能的UHF超高頻電子標簽讀寫器,完全自主知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計,結(jié)合專有的高效信號處理算法,在保持高識讀率的同時,實現(xiàn)對電子標簽的快速讀寫處理,可廣泛應(yīng)用于物流、門禁系統(tǒng)、防偽系統(tǒng)
2021-04-29 17:22:06
435 仍有最大訪問(讀)次數(shù)的限制。FRAM在耐久性、讀寫速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM性能比EEPROM好的的三個優(yōu)勢: 1、壽命,讀寫的次數(shù)比較多, EEPROM和flash
2021-04-30 17:10:17
1083 FRAM是一種新型存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點,與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫更快、壽命更長,FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中,預(yù)計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點,符合科創(chuàng)板屬性,目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:20
2107 的數(shù)據(jù)傳輸速率。 MB85RQ4ML具有高速運行和非易失性的特點,非常適合用于需要快速數(shù)據(jù)重寫的工業(yè)計算和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,如可編程邏輯控制器(PLC)和路由器。代理商英尚微支持樣品測試及技術(shù)支持。 富士通半導(dǎo)體20多年來量產(chǎn)的FRAM產(chǎn)品與EEPROM和閃存相比,具有更高的讀寫耐久性、更快的寫入速度和更低的
2021-07-26 18:05:54
713 FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:28
1158 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:09
1055 FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點,富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片,這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17
579 仍讓它無法滿足高速RAM應(yīng)用必須兼具高速寫入、無限耐久性,以及可接受的數(shù)據(jù)保存能力之需求。 ? STT-MRAM(也稱為STT-RAM或有時稱為ST-MRAM和ST-RAM)是一種高級類型的MRAM設(shè)備。與常規(guī)設(shè)備相比,STT-MRAM可實現(xiàn)更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相對于
2021-12-11 14:47:44
519 ? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億
2022-01-12 15:12:20
351 鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數(shù)據(jù)的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點,具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周期耐久性。也稱為FeRAM。FRAM鐵電存儲器
2022-02-17 15:33:24
1666 
Si522A_13.56MHz超低功耗非接觸式讀寫器芯片,支持ISO/IEC 14443A/MIFARE,支持自動載波偵測功能(ACD)
2022-03-09 17:40:46
590 
鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:44
741 低功耗高性能SI512非接觸式讀卡芯片讀寫模式與參數(shù)
2022-10-12 17:50:01
611 
后數(shù)據(jù)不會丟失,是非易失性存儲器; 讀寫速度快:無延時寫入數(shù)據(jù),可覆蓋寫入; 壽命長:可重復(fù)讀寫,重復(fù)次數(shù)可達到萬億次,耐久性強,使用壽命長; 功耗低:待機電流低,無需后備電池,無需采用充電泵電路; 可靠性高:兼容CMOS工藝,工作溫度范圍寬,可靠性
2022-11-10 17:00:14
1784 
13.56MHz 的非接觸式讀寫器Si522A-內(nèi)部集成低功耗自動尋卡與定時喚醒功能
2022-12-13 18:25:06
777 PB85RS128鐵電存儲器是不需要備用電池就可以保持數(shù)據(jù),和EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
2023-02-03 14:25:32
671 FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56
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本文將探討戶外儲能電池的可靠性和耐久性設(shè)計,以確保其在使用過程中具備高效、安全和長壽命的特點。
2023-08-08 13:50:06
379 型號是在易燃氣體環(huán)境中開關(guān)的理想選擇。這些器件在額定負載下具有低功耗和高電氣耐久性。 圖:Omron 的 G5PZ 緊湊型 PCB 功率繼電器 01 產(chǎn)品特性 250 VAC 時 20A,以超薄封裝
2023-09-20 20:10:14
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FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46
416 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
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