電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《8位PIC單片機(jī)的位拆裂增強(qiáng)型UART.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 09:45:50
0 在整個(gè)PCBA生產(chǎn)制造過(guò)程中, PCB 設(shè)計(jì)是至關(guān)重要的一部分,今天主要是關(guān)于 PCB 雜散電容、影響PCB 雜散電容的因素,PCB 雜散電容計(jì)算,PCB雜散電容怎么消除。
2023-09-11 09:41:20
188 
雖然描述強(qiáng)相互作用的量子色動(dòng)力學(xué)(QCD)已經(jīng)被建立,但在中子星內(nèi)部幾倍飽和核物質(zhì)密度的能標(biāo)下,相互作用是非微擾的。人們還不能從QCD第一性原理計(jì)算出中子星內(nèi)部的結(jié)構(gòu),這是中子星物態(tài)之謎的關(guān)鍵。學(xué)者們從不同角度出發(fā),給出了多種中子星結(jié)構(gòu)模型。
2023-09-08 15:17:19
385 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講如何減少PCB雜散電容的影響?減少PCB雜散電容的PCB設(shè)計(jì)方法。當(dāng)提到PCBA上的電子電路時(shí),經(jīng)常使用的術(shù)語(yǔ)是雜散電容。PCB上的導(dǎo)體、無(wú)源器件的預(yù)制電路板
2023-08-24 08:56:32
123 ? ??近日,由中科院高能所梁天驕研究員、上海交通大學(xué)物理與天文學(xué)院陳黎明教授、中科院物理所吳令安研究員組成的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)探索出一種用于真實(shí)物體的單像素中子成像的新方法。 ??該方法通過(guò)深硅刻蝕
2023-08-11 06:51:51
237 
分布式聲學(xué)傳感(DAS)數(shù)據(jù)已被廣泛用于監(jiān)測(cè)多裂縫水力壓裂。利用DAS數(shù)據(jù)解釋水力壓裂幾何形狀(寬度和長(zhǎng)度)是當(dāng)前研究的熱門主題。
2023-07-17 16:42:39
277 
鎖相環(huán) (PLL) 和壓控振蕩器 (VCO) 輸出特定頻率的RF信號(hào),理想情況下此信號(hào)應(yīng)當(dāng)是輸出中的唯一信號(hào)。但事實(shí)上,輸出中存在干擾雜散信號(hào)和相位噪聲。本文討論最麻煩的雜散信號(hào)之一——整數(shù)邊界雜散,它如何仿真與消除,你真的搞清楚了?
2023-05-22 11:10:35
1298 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講有翅金屬?gòu)椘焙鸽娐钒邋a裂或翅膀斷裂是什么原因?。接下來(lái)為大家介紹有翅金屬?gòu)椘焙鸽娐钒邋a裂或翅膀斷裂問(wèn)題。
2023-05-04 09:12:57
598 中子星是一種奇特的天體,它們由大質(zhì)量恒星在死亡時(shí)坍縮而成,半徑只有幾十公里,但質(zhì)量卻相當(dāng)于太陽(yáng)的幾倍。
2023-04-01 11:21:54
654 中子星是一種奇特的天體,它們由大質(zhì)量恒星在死亡時(shí)坍縮而成,半徑只有幾十公里,但質(zhì)量卻相當(dāng)于太陽(yáng)的幾倍。
2023-04-01 11:21:54
297 NOSHOK用于水力壓裂的壓力變送器解決方案想要一款壓力傳感器既可以用來(lái)測(cè)量粘性流體,又可以在天然氣井的水力壓裂過(guò)程中可以遠(yuǎn)程監(jiān)控車輛不同階段的壓力?虹科Noshok是您的不二選擇,通過(guò)這篇文章帶您
2023-03-29 10:41:05
147 
電容器的寄生作用與雜散電容
2023-03-01 15:37:55
0 換流回路中的雜散電感會(huì)引起波形震蕩,EMI或者電壓過(guò)沖等問(wèn)題。
2023-02-07 16:43:47
724 
中子譜儀利用中子與原子核的作用來(lái)進(jìn)行物質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)和動(dòng)力學(xué)的研究。如果把散裂中子源比做超級(jí)顯微鏡,每臺(tái)中子譜儀都是一個(gè)“顯微鏡”。
2023-02-01 15:15:05
404 -本文要點(diǎn)理解電路中的雜散電容。了解雜散電容如何影響電子電路。探索減少電路中雜散電容的策略。雜散電容就像被遺棄的寵物流浪在街道和巷子里一樣,它們潛伏在電路中。本文將了解電子電路中的雜散電容是如何產(chǎn)生
2023-01-05 15:45:29
914 
電容器的寄生作用與雜散電容
2022-12-30 09:21:51
0 對(duì)無(wú)線電管理工作來(lái)說(shuō),雜散發(fā)射是產(chǎn)生干擾的重要原因 . 在無(wú)線電發(fā)射設(shè)備檢測(cè)過(guò)程中,雜散測(cè)試是一個(gè)重要的必測(cè)項(xiàng)目。雜散是指在工作帶寬外某個(gè)頻點(diǎn)或某些頻率上的發(fā)射,其發(fā)射電平可降低但不影響相應(yīng)的信息傳遞。包括:諧波發(fā)射、寄生發(fā)射、互調(diào)產(chǎn)物、以及變頻產(chǎn)物,但帶外發(fā)射除外。
2022-09-16 15:49:55
1988 Electric Fusion Systems (EFS) 最近展示了其實(shí)驗(yàn)室成功的非中子聚變實(shí)驗(yàn),該實(shí)驗(yàn)涉及一種新的無(wú)輻射能源技術(shù),該技術(shù)僅釋放極少量的危險(xiǎn)中子。實(shí)驗(yàn)是通過(guò)涉及鋰+質(zhì)子,氦+能量輸出產(chǎn)品來(lái)進(jìn)行的。
2022-08-05 16:21:27
781 
一、產(chǎn)品名稱:混凝土抗裂劑固含量快速測(cè)定儀二、發(fā)明專*號(hào):201420090168.1三、產(chǎn)品型號(hào):CSY-G2 四、固含量快速測(cè)定儀產(chǎn)品介紹:在外加劑固含量檢測(cè)領(lǐng)域,測(cè)量準(zhǔn)確性和測(cè)量速度
2022-05-27 16:48:30
換流回路中的雜散電感會(huì)引起波形震蕩,EMI或者電壓過(guò)沖等問(wèn)題。因此在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候需要特別留意。本文給出了電路雜散電感的測(cè)量方法以及模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)中雜散電感的定義方法。 圖1為半橋電路的原理電路以及
2021-10-13 15:36:13
3200 
院HI-13串列加速器上,利用9Be(d,n)10B反應(yīng)白光中子源,實(shí)驗(yàn)研究了光電倍增管對(duì)0.75~15MeV之間的出射中子直照靈敏度。根據(jù)光電倍增管的工作原理,采用MCNP程序模擬計(jì)算了光電倍增管的中子直照
2010-04-22 11:49:25
目前,致密油藏的高效開(kāi)采仍是世界研究的重點(diǎn)及難點(diǎn),其中CO2壓裂技術(shù)受到廣泛重視。為了進(jìn)一步明確CO2前置壓裂流體之間的相互作用機(jī)理,利用室內(nèi)實(shí)驗(yàn)對(duì)地層條件下CO2注入后原油高壓物性(密度、黏度
2021-04-15 15:08:19
4 近日,廣汽集團(tuán)在科技日上發(fā)布了“中子星”戰(zhàn)略,并展示了兩項(xiàng)全新電池技術(shù):海綿硅負(fù)極片電池技術(shù)及超級(jí)快充電池技術(shù)。
2021-04-12 11:47:55
1679 電子組件向無(wú)鉛焊料的轉(zhuǎn)變促使制造商在電子元器件或電路基板上使用純錫或軟金等材料來(lái)替代錫-鉛可焊端接精飾。金有焊點(diǎn)脆裂風(fēng)險(xiǎn),這就可能會(huì)降低焊點(diǎn)的機(jī)械壽命。對(duì)于脆裂材料及其機(jī)理,我們采用了特寫和橫截面
2021-04-04 10:25:00
6055 
在基礎(chǔ)研究和關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)方面,科技實(shí)力得到進(jìn)一步增強(qiáng)。量子信息、鐵基超導(dǎo)、干細(xì)胞、合成生物學(xué)等取得一批重大原創(chuàng)成果。嫦娥四號(hào)首登月背、北斗導(dǎo)航全球組網(wǎng)、C919首飛成功、悟空、墨子等系列科學(xué)實(shí)驗(yàn)衛(wèi)星成功發(fā)射。磁約束核聚變、散裂中子源等設(shè)施建設(shè)取得突破,國(guó)家實(shí)驗(yàn)室加快布局。
2020-10-22 10:02:43
1806 阿貝克傳感器是業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的核燃料組件及核輻射環(huán)境下應(yīng)用位移傳感器供應(yīng)商,公司推出的水下高溫耐核輻射位移傳感器已應(yīng)用于中國(guó)核動(dòng)力運(yùn)行研究院、中核武漢核電運(yùn)行技術(shù)有限公司、中廣核、中國(guó)原子能科學(xué)研究院(401)、中科院高能物理研究所(中國(guó)散列中子源項(xiàng)目)、中科院上海應(yīng)用物理研究所(上海同步光源項(xiàng)目)。
2020-10-18 10:57:38
5441 鎖相環(huán) (PLL) 和壓控振蕩器 (VCO) 輸出特定頻率的RF信號(hào),理想情況下此信號(hào)應(yīng)當(dāng)是輸出中的唯一信號(hào)。但事實(shí)上,輸出中存在干擾雜散信號(hào)和相位噪聲。本文討論最麻煩的雜散信號(hào)之一——整數(shù)邊界雜散——的仿真與消除。
2020-09-09 10:09:56
3556 
散片,可以說(shuō)是很多玩家裝機(jī)的選擇了。今天就和大家聊聊什么是散片CPU,這些CPU又從何而來(lái)。
2020-03-06 10:45:43
7782 散片,可以說(shuō)是很多玩家裝機(jī)的選擇了。今天就和大家聊聊什么是散片CPU,這些CPU又從何而來(lái)。
2020-03-06 08:42:07
4765 上周特斯拉的Cybertruck發(fā)布會(huì)上充滿了驚喜,但是最讓人感到震驚的,就是該公司首席設(shè)計(jì)師Franz von Holzhausen用金屬球砸裂車輛“裝甲玻璃”的一幕。這肯定不是埃隆·馬斯克
2019-11-26 16:57:13
5403 散裂中子源是用高能強(qiáng)流質(zhì)子加速器產(chǎn)生能量1GeV以上的質(zhì)子束,轟擊重元素靶(如鎢或鈾),在靶中發(fā)生散裂反應(yīng),產(chǎn)生大量的中子。當(dāng)一個(gè)高能質(zhì)子,打到重原子核上時(shí),一些中子被轟擊出來(lái),這個(gè)過(guò)程被稱為散裂反應(yīng)。
2018-03-30 09:25:50
19547 建在廣東東莞的中國(guó)散裂中子源日前按期、高質(zhì)量完成了全部工程建設(shè)任務(wù),并于當(dāng)日通過(guò)了中國(guó)科學(xué)院組織的工藝鑒定和驗(yàn)收。
2018-03-28 10:23:00
814 加速器驅(qū)動(dòng)次臨界系統(tǒng)(ADS)被國(guó)際公認(rèn)為是最有前景的核廢料嬗變技術(shù),該系統(tǒng)以加速器產(chǎn)生的高能強(qiáng)流質(zhì)子束轟擊靶核產(chǎn)生散裂中子作為外源中子驅(qū)動(dòng)和維持次臨界堆運(yùn)行,具有固有安全性。中子散裂靶起著將散裂
2018-03-12 16:00:45
0 為提高BNCT(硼中子俘獲治療】的超熱中子產(chǎn)生效率,利用蒙特卡洛程序MCNP設(shè)計(jì)了一種基于低能電子加速器驅(qū)動(dòng)中子產(chǎn)生器的結(jié)構(gòu),并對(duì)該結(jié)構(gòu)模型各參數(shù)下的中子通量進(jìn)行對(duì)比計(jì)算,找到能使超熱中子通量達(dá)到
2018-03-09 16:00:00
1 新華社北京1月13日電作為一種最尋常的基本粒子,中子可能有著不同尋常的黑暗秘密。美國(guó)科學(xué)家新近提出,中子會(huì)衰變成暗物質(zhì)粒子,這種中子“暗衰變”可以解釋中子壽命“測(cè)不準(zhǔn)”的原因。 被束縛在原子核里的中子很穩(wěn)定,但自由中子的壽命大約只有15分鐘,它會(huì)進(jìn)行貝塔衰變,產(chǎn)生一個(gè)質(zhì)子、一個(gè)電子和一個(gè)反中微子。
2018-01-15 05:05:07
3034 RFID技術(shù)在壓裂滑套工具中的應(yīng)用_李紅偉
2017-03-19 18:58:37
0 (CFETR)——的速度,中國(guó)在合肥啟動(dòng)強(qiáng)流氘氚聚變中子源(HINEG),目標(biāo)是用核聚變技術(shù)生成世界最強(qiáng)的中子束。
2016-12-09 14:43:27
1021 新大管道雜散電流干擾影響研究新大管道雜散電流干擾影響研究
2015-11-16 14:43:22
0 2015年 2月6日, NI (美國(guó)國(guó)家儀器公司,National Instruments,簡(jiǎn)稱NI) 作為致力于為工程師和科學(xué)家提供解決方案來(lái)應(yīng)對(duì)全球最嚴(yán)峻的工程挑戰(zhàn)的供應(yīng)商,今日宣布與中國(guó)散裂中子源在東莞共同成立“智能工業(yè)控制技術(shù)實(shí)驗(yàn)室”。
2015-02-09 16:09:03
614 無(wú)源互調(diào)(PIM)是一種發(fā)生在無(wú)源器件上的互調(diào)失真,比如濾波器,合路器,浪涌保護(hù)器,線纜,連接頭,天線等。這些器件通常被認(rèn)為是線性的,但是他們受到高功率信號(hào)激勵(lì)時(shí)會(huì)產(chǎn)生雜散信號(hào)。基站的無(wú)源互調(diào)問(wèn)題已經(jīng)成為干擾網(wǎng)絡(luò)性能的最前沿問(wèn)題。
2013-03-07 13:55:44
3984 
直接數(shù)據(jù)頻率合成器(DDS)因能產(chǎn)生頻率捷變且殘留相位噪聲性能卓越而著稱。另外,多數(shù)用戶都很清楚DDS輸出頻譜中存在的雜散噪聲,比如相位截?cái)嚯s散以及與相位-幅度轉(zhuǎn)換過(guò)程相關(guān)的
2012-02-02 10:41:21
44 國(guó)內(nèi)首座散裂中子源(csns)在東莞開(kāi)建,CSNS將成為發(fā)展中國(guó)家擁有的第一座散裂中子源,也將躋身世界第四大脈沖散裂中子源,從而大幅提升中國(guó)材料、生命、納米等學(xué)科前沿基礎(chǔ)研究和高
2011-11-06 19:22:07
2891 針對(duì)頻率源的相噪會(huì)惡化采樣數(shù)據(jù)的信噪比,雜散會(huì)降低接收機(jī)靈敏度,提出了一種低相噪低雜散的設(shè)計(jì)方法。該方法利用Hittite公司的新推出的集成VCO的鎖相環(huán)芯片HMC830進(jìn)行設(shè)計(jì),供電
2011-10-25 17:29:13
185 該電路制作簡(jiǎn)單,只需要電阻和電容等簡(jiǎn)單的電子元器件即可自制。15V電源接入,音頻輸入端輸入,兩路輸出。 裂相 放大器電路:
2011-09-08 10:35:00
1017 
雜散抑制是PLL 頻率合成器的幾個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)之一。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,雜散的輸出種類比較多,產(chǎn)生的原因也各不一樣,但是它們中的大多數(shù)并不常見(jiàn)。首先從雜散的基本概念出發(fā),詳細(xì)地介紹了
2011-09-01 16:34:56
68 系統(tǒng)地研究了快速跳頻PLL 中雜散來(lái)源,給出了環(huán)路雜散模型,定義了雜散抑制比。定性分析了MF2SK2FH 通信系統(tǒng)檢測(cè)誤碼率Pe 與雜散抑制比之間的關(guān)系,并通過(guò)計(jì)算機(jī)輔助分析,定量計(jì)算出誤
2011-09-01 16:30:45
46 Hash函數(shù)H(m)也名單向散列函數(shù),它是現(xiàn)代密碼學(xué)的核心。散列函數(shù)一直在計(jì)算機(jī)科學(xué)中使用,散列函數(shù)就是把可變的輸入長(zhǎng)度串轉(zhuǎn)換成固定長(zhǎng)度輸出值(叫做散列值)的一種函數(shù)。而單向散
2011-08-25 18:00:49
3309 中子數(shù)字成像過(guò)程中,散射中子可降低像質(zhì)致使提取樣品的定量信息變得困難。針對(duì)該情況,分析了中子微光成像系統(tǒng)圖像散射降質(zhì)的原理,采用點(diǎn)擴(kuò)展函數(shù)的疊加來(lái)表征散射中子引起
2011-04-01 16:19:19
34 無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍(SFDR)
SFDR(無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍)衡量的只是相對(duì)于轉(zhuǎn)換器滿量程范圍(dBFS)或輸入信號(hào)電平(dBc)的最差頻譜偽像。比較ADC時(shí)
2011-01-01 12:14:56
12425 雜散特性限制著直接數(shù)字頻率合成(DDS)技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展,其中相位舍位、幅度量化和DAC的非理想特性等是影響DDS輸出頻譜質(zhì)量的主要雜散源。文中主要研究相位舍位對(duì)DDS輸出頻
2010-10-20 16:35:31
28 雜散特性是制約DDS(直接數(shù)字頻率合成)技術(shù)進(jìn)一步應(yīng)用和發(fā)展的重要因素,其相位舍位、幅度量化和DAC(數(shù)模轉(zhuǎn)換器)的非理想特性等是影響DDS輸出頻譜質(zhì)量的主要雜散源。文中對(duì)
2010-10-20 16:34:46
38 直接數(shù)字頻率合成(DDS)技術(shù)推動(dòng)了頻率合成領(lǐng)域的高速發(fā)展,但固有的雜散特性極大的限制了其應(yīng)用發(fā)展。在分析DDS工作原理及雜散噪聲來(lái)源的基礎(chǔ)上,介紹了幾種雜散抑制的方法,
2010-07-31 10:36:19
32 在基于CCD 相機(jī)的中子照相系統(tǒng)中,反射鏡距離閃爍屏太近就會(huì)將部分熒光反射回閃爍屏,將閃爍屏照亮,入射中子束的少部分還會(huì)被反向散射回閃爍屏,形成圖像本底疊加在
2010-03-05 14:02:10
8 短溝道MOSFET散粒噪聲測(cè)試方法研究
近年來(lái)隨著介觀物理和納米電子學(xué)對(duì)散粒噪聲研究的不斷深入,人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由
2010-01-26 16:45:13
554 
根據(jù)中國(guó)散裂中子源(CSNS)快周期同步加速器(RCS)磁鐵電源的需要,提出并介紹了RCS 磁鐵電源監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。該方案選擇嵌入式FPGA+ARM 的硬件結(jié)構(gòu)配合基于Linux 操作系統(tǒng)的
2009-12-08 11:23:40
16 LED芯片常見(jiàn)暗裂原因分析
在生產(chǎn)過(guò)程中,LED芯片產(chǎn)生暗裂的原因有很多。因此,我們僅從參數(shù)、機(jī)構(gòu)、工具三方面進(jìn)行簡(jiǎn)要分析。
2009-11-20 09:48:01
2389 在決策層融合目標(biāo)識(shí)別中,Dempster 組合規(guī)則是一種常用的融合算子,它的有效應(yīng)用取決于相應(yīng)基本信任分配的合理建立。該文針對(duì)決策層融合目標(biāo)識(shí)別問(wèn)題中子源傳感器輸出的度量
2009-11-17 14:36:39
9 隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器低能中子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng):建立了中子單粒子翻轉(zhuǎn)可視化分析方法,對(duì)不同特征尺寸(0.13~1.50μm)CMOS工藝商用隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)器件
2009-10-31 14:23:42
35 數(shù)字直放站采用數(shù)字中頻處理技術(shù)方式并通過(guò)光纖實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離信號(hào)傳輸, 此對(duì)系統(tǒng)中的鎖相源的相位噪聲提出了很高的要求。小數(shù)分頻鎖相源相對(duì)整數(shù)分頻鎖相源的最大優(yōu)勢(shì)就是
2009-08-12 16:42:27
11 選擇8098單片機(jī)HSO0、HSO1、HSO2輸出三路SPWM波,經(jīng)圖裂相延時(shí)整形互鎖電路后得到6路SPWM信號(hào)。這樣采用了硬件電路進(jìn)行裂相并由硬件電路進(jìn)行延時(shí)產(chǎn)生死區(qū)時(shí)間,使得逆變器同一橋臂
2009-07-25 11:16:22
1593 
藍(lán)牙規(guī)范中沒(méi)有提供藍(lán)牙散列網(wǎng)的構(gòu)建方法。該文采用基于設(shè)備性能組建散列網(wǎng)的思想,提出一種散列網(wǎng)構(gòu)建算法。算法選擇性能優(yōu)良的設(shè)備擔(dān)任主節(jié)點(diǎn)和橋節(jié)點(diǎn),并采取措施控制
2009-03-29 11:00:41
14 中子束于半導(dǎo)體薄膜材料之運(yùn)用Applications of neutron beam on semiconductor thin films一、緣起與目的本計(jì)劃于清華水池式反應(yīng)器(THOR)中子束,建立一條多功能之儀器測(cè)試中子
2009-03-06 13:57:25
25
評(píng)論