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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子技術(shù)應(yīng)用>電子常識(shí)>什么是散裂中子源

什么是散裂中子源

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2023-09-11 09:41:20188

中子星內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

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2023-09-08 15:17:19385

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2023-08-24 08:56:32123

單像素中子成像新方法

? ??近日,由中科院高能所梁天驕研究員、上海交通大學(xué)物理與天文學(xué)院陳黎明教授、中科院物理所吳令安研究員組成的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)探索出一種用于真實(shí)物體的單像素中子成像的新方法。 ??該方法通過(guò)深硅刻蝕
2023-08-11 06:51:51237

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最麻煩的PLL雜信號(hào)——整數(shù)邊界雜

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為什么不帶電的中子會(huì)產(chǎn)生超強(qiáng)磁場(chǎng)呢?

中子星是一種奇特的天體,它們由大質(zhì)量恒星在死亡時(shí)坍縮而成,半徑只有幾十公里,但質(zhì)量卻相當(dāng)于太陽(yáng)的幾倍。
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一文簡(jiǎn)析中國(guó)中子源中子譜儀

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為什么要做雜測(cè)試?

對(duì)無(wú)線電管理工作來(lái)說(shuō),雜散發(fā)射是產(chǎn)生干擾的重要原因 . 在無(wú)線電發(fā)射設(shè)備檢測(cè)過(guò)程中,雜測(cè)試是一個(gè)重要的必測(cè)項(xiàng)目。雜是指在工作帶寬外某個(gè)頻點(diǎn)或某些頻率上的發(fā)射,其發(fā)射電平可降低但不影響相應(yīng)的信息傳遞。包括:諧波發(fā)射、寄生發(fā)射、互調(diào)產(chǎn)物、以及變頻產(chǎn)物,但帶外發(fā)射除外。
2022-09-16 15:49:551988

EFS 的非中子聚變反應(yīng)堆項(xiàng)目

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2022-08-05 16:21:27781

混凝土抗劑固含量快速測(cè)定儀

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光電倍增管中子直照響應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究

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2010-10-20 16:34:4638

基于DDS技術(shù)的雜分析及抑制方法

直接數(shù)字頻率合成(DDS)技術(shù)推動(dòng)了頻率合成領(lǐng)域的高速發(fā)展,但固有的雜特性極大的限制了其應(yīng)用發(fā)展。在分析DDS工作原理及雜噪聲來(lái)源的基礎(chǔ)上,介紹了幾種雜抑制的方法,
2010-07-31 10:36:1932

中子照相犆犆犇成像系統(tǒng)反射鏡引入本底分析

在基于CCD 相機(jī)的中子照相系統(tǒng)中,反射鏡距離閃爍屏太近就會(huì)將部分熒光反射回閃爍屏,將閃爍屏照亮,入射中子束的少部分還會(huì)被反向散射回閃爍屏,形成圖像本底疊加在
2010-03-05 14:02:108

短溝道MOSFET粒噪聲測(cè)試方法研究

短溝道MOSFET粒噪聲測(cè)試方法研究  近年來(lái)隨著介觀物理和納米電子學(xué)對(duì)粒噪聲研究的不斷深入,人們發(fā)現(xiàn)粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由
2010-01-26 16:45:13554

快周期同步加速器磁鐵電源監(jiān)測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

根據(jù)中國(guó)中子源(CSNS)快周期同步加速器(RCS)磁鐵電源的需要,提出并介紹了RCS 磁鐵電源監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。該方案選擇嵌入式FPGA+ARM 的硬件結(jié)構(gòu)配合基于Linux 操作系統(tǒng)的
2009-12-08 11:23:4016

LED芯片常見(jiàn)暗原因分析

LED芯片常見(jiàn)暗原因分析 在生產(chǎn)過(guò)程中,LED芯片產(chǎn)生暗的原因有很多。因此,我們僅從參數(shù)、機(jī)構(gòu)、工具三方面進(jìn)行簡(jiǎn)要分析。
2009-11-20 09:48:012389

一種基于度量層信息的基本信任分配構(gòu)造方法

在決策層融合目標(biāo)識(shí)別中,Dempster 組合規(guī)則是一種常用的融合算子,它的有效應(yīng)用取決于相應(yīng)基本信任分配的合理建立。該文針對(duì)決策層融合目標(biāo)識(shí)別問(wèn)題中子源傳感器輸出的度量
2009-11-17 14:36:399

隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器低能中子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)

隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器低能中子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng):建立了中子單粒子翻轉(zhuǎn)可視化分析方法,對(duì)不同特征尺寸(0.13~1.50μm)CMOS工藝商用隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)器件
2009-10-31 14:23:4235

數(shù)字直放站鎖相的雜問(wèn)題解決方案

數(shù)字直放站采用數(shù)字中頻處理技術(shù)方式并通過(guò)光纖實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離信號(hào)傳輸, 此對(duì)系統(tǒng)中的鎖相的相位噪聲提出了很高的要求。小數(shù)分頻鎖相相對(duì)整數(shù)分頻鎖相的最大優(yōu)勢(shì)就是
2009-08-12 16:42:2711

相延時(shí)整形互鎖電路

選擇8098單片機(jī)HSO0、HSO1、HSO2輸出三路SPWM波,經(jīng)圖相延時(shí)整形互鎖電路后得到6路SPWM信號(hào)。這樣采用了硬件電路進(jìn)行相并由硬件電路進(jìn)行延時(shí)產(chǎn)生死區(qū)時(shí)間,使得逆變器同一橋臂
2009-07-25 11:16:221593

基于設(shè)備性能的藍(lán)牙列網(wǎng)構(gòu)建算法

藍(lán)牙規(guī)范中沒(méi)有提供藍(lán)牙列網(wǎng)的構(gòu)建方法。該文采用基于設(shè)備性能組建列網(wǎng)的思想,提出一種列網(wǎng)構(gòu)建算法。算法選擇性能優(yōu)良的設(shè)備擔(dān)任主節(jié)點(diǎn)和橋節(jié)點(diǎn),并采取措施控制
2009-03-29 11:00:4114

中子束于半導(dǎo)體薄膜材料之運(yùn)用 Applications of

中子束于半導(dǎo)體薄膜材料之運(yùn)用Applications of neutron beam on semiconductor thin films一、緣起與目的本計(jì)劃于清華水池式反應(yīng)器(THOR)中子束,建立一條多功能之儀器測(cè)試中子
2009-03-06 13:57:2525

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