日本半導(dǎo)體制造商 ROHM 已正式將適用于工業(yè)裝置、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等變流器/轉(zhuǎn)換器的碳化硅MOSFET 模組（額定規(guī)格1200V/ 180A）投入量產(chǎn)。
2013-01-30 09:32:42
1332 空間大 ? 國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展神速，首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進(jìn)度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距，另一方面是產(chǎn)能擴(kuò)張上的投入越來越大。這使得國內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中，無論是從市場需求，還是
2023-12-12 01:35:001178 。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
Mos管代替上圖中兩個(gè)串聯(lián)的MOS，三電平變換器簡化成傳統(tǒng)兩電平全橋變換器，如下圖。 同時(shí)，我們將開關(guān)頻率設(shè)定到160KHz，減小了磁性器件和整個(gè)變換器的體積。 8KW 碳化硅全橋LLC解決方案
2018-10-17 16:55:50
本文對5G生態(tài)鏈中的五個(gè)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行分析，詳細(xì)梳理當(dāng)前國內(nèi)外5G核心產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展情況。 5G技術(shù)的快速發(fā)展正在推動(dòng)包括通信、電子元器件、芯片、終端應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈的升級。從上游基站射頻、基帶芯片等到中游網(wǎng)
2020-12-22 06:18:04
)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻(xiàn)。 碳化硅的不足是： 碳化硅圓片的價(jià)格還較高,其缺陷也多。 三、碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn) 上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低，約
2019-01-11 13:42:03
應(yīng)用，處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。
碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構(gòu)建類似
MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關(guān)注，不僅因?yàn)樗?/div>
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
）新的650V碳化硅器件有助于在幾個(gè)方面降低成本。與硅基650V MOSFET相比，碳化硅器件的導(dǎo)通損耗降低了50%，開關(guān)損耗降低了75%，而功率密度提高了三倍，因此，不僅可以實(shí)現(xiàn)更高效率，而且還可以降低磁性
2023-02-27 14:28:47
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出。 2、SiCMOSFET 對于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
，同比增長15.77%。2020年H1，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元，同比增長16.1%。碳化硅（SiC）的應(yīng)用碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，應(yīng)用最廣
2021-01-12 11:48:45
精細(xì)化，集成化方向發(fā)展。 在新技術(shù)驅(qū)動(dòng)下，汽車電子行業(yè)迎來新一輪技術(shù)革命，行業(yè)整體升級。在汽車大量電子化的帶動(dòng)之下，車用電路板也會(huì)向上成長。車用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點(diǎn)吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近幾年的快速發(fā)展 近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，作為光伏產(chǎn)業(yè)用的材料，碳化硅的銷售市場也是十分火爆，許多磨料磨具業(yè)內(nèi)人開始關(guān)注起碳化硅這個(gè)行業(yè)了。目前碳化硅制備技術(shù)非常
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
第二代碳化硅肖特基二極管-JBS簡介 產(chǎn)業(yè)界以第一代標(biāo)準(zhǔn)肖特基結(jié)構(gòu)做成的肖特基二極管（SBD）漏電流大，反向耐壓低，產(chǎn)品競爭力差，商業(yè)應(yīng)用價(jià)值低。為了提升產(chǎn)品競爭力，碳化硅肖特基二極管的結(jié)構(gòu)也從標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-28 16:55:45
、10A、15A三等級電流測試中，碳化硅肖特基二極管的反向恢復(fù)電流比硅快恢復(fù)二極管小，有利提升產(chǎn)品效率。 硅快速恢復(fù)二極管（10A） 碳化硅肖特基二極管（10A） 硅快恢復(fù)二極管在5A、10A
2023-02-28 16:34:16
半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元，同比增長15.77%。2020年H1，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539億元，同比增長16.1%。每一次材料的更新?lián)Q代，都是產(chǎn)業(yè)的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高鐵、太陽能光伏、風(fēng)能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領(lǐng)域均有不小單的作用。
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
車型都會(huì)配置高壓快充功能。各車廠將在高壓快充全新賽道上一比高下，與之相匹配的SiC(碳化硅)產(chǎn)業(yè)鏈有望駛?cè)?b class="flag-6" style="color: red">產(chǎn)業(yè)化快車道。然而，碳化硅還有價(jià)格和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)二個(gè)攔路虎，我們看看與會(huì)專家的意見分析。今年9月
2022-12-27 15:05:47
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求。 相較于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
的量產(chǎn)化，并于 2010 年全球首家成功實(shí)現(xiàn)了 SiC-MOSFET 的量產(chǎn)。羅姆希望通過本次研討會(huì)，讓更多同行了解 SiC 的優(yōu)點(diǎn)和特性，更好地應(yīng)用 SiC 功率器件。研討會(huì)的演講概要如下： 1
2018-07-27 17:20:31
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗，提高開關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權(quán)衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。碳化硅MOSFET
2022-03-29 10:58:06
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54
國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)：1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
和分析，為滿足不同的市場需求，基本半導(dǎo)體為圖騰柱無橋PFC這一硬開關(guān)拓?fù)湓O(shè)計(jì)了能同時(shí)兼顧效率與性價(jià)比的混合碳化硅分立器件，同時(shí)也提供了更高效率的全碳化硅 MOSFET方案。 04 對比測試 這里
2023-02-28 16:48:24
設(shè)計(jì)CoolSiC電路時(shí)允許選擇新的驅(qū)動(dòng)集成電路器，則值得考慮具有較高欠壓鎖定（約13V）的驅(qū)動(dòng)集成電路，以確保CoolSiC和系統(tǒng)可以在任何異常工作條件下安全運(yùn)行。 碳化硅MOSFET的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)
2023-03-14 14:05:02
特點(diǎn), 高壓輸入隔離DC/DC變換器的拓?fù)淇梢缘玫胶喕◤脑瓉淼?b class="flag-6" style="color: red">三電平簡化為傳統(tǒng)全橋拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅MOSFET在軟開關(guān)橋式上具有以下明顯的優(yōu)勢:高阻斷電壓可以簡化拓?fù)湓O(shè)計(jì),電路從復(fù)雜三電平變?yōu)閮呻娖?b class="flag-6" style="color: red">全
2016-08-05 14:32:43
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
可有效減小功率回路寄生電感參數(shù)，減小開關(guān)過程中的震蕩、過沖現(xiàn)象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。驅(qū)動(dòng)集成技術(shù)也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了 SiC 智能
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，國內(nèi)首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，在國內(nèi)碳化硅功率器件制造商中率先完成了質(zhì)量管理體系---汽車行業(yè)生產(chǎn)件與相關(guān)服務(wù)件的組織實(shí)施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
LLC和移相電路的應(yīng)用由于碳化硅MOSFET的高阻斷電壓（一般高于1000V）,快速開關(guān)及低損耗等特點(diǎn),高壓輸入隔離DC/DC變換器的拓?fù)淇梢缘玫胶喕痆2]（從原來的三電平簡化為傳統(tǒng)全橋拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2016-08-25 14:39:53
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導(dǎo)體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET。 2、通用型驅(qū)動(dòng)核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發(fā)的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng)，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅MOSFET橋臂電路串?dāng)_抑制方法_鐘志遠(yuǎn)
2017-01-04 16:32:50
17 支持電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 碳化硅概念股有哪些？碳化硅國內(nèi)企業(yè)有哪些？國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)盤點(diǎn)分析：英飛凌以1.39億美元收購初創(chuàng)企業(yè)Siltectra，獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上，進(jìn)一步加碼
2018-12-06 16:08:00138137 ，中電科總經(jīng)理李斌表示，目前國際上碳化硅晶片的合格率最高是70%-80%，而原來國內(nèi)實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)的碳化硅晶片的合格率僅有30%。但在碳化硅產(chǎn)業(yè)基地，這個(gè)合格率可以達(dá)到65%。現(xiàn)在我們在實(shí)現(xiàn)迅速研發(fā)的同時(shí)也進(jìn)一步開展量產(chǎn)，三年內(nèi)整個(gè)項(xiàng)目要達(dá)
2020-06-09 18:58:422344 中國化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺——三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80m＆Omega；產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛
2020-12-04 14:18:432228 6月23日上午，總投資160億元的湖南三安半導(dǎo)體基地一期項(xiàng)目正式點(diǎn)亮投產(chǎn)，將打造國內(nèi)首條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，可月產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅晶圓。湖南三安半導(dǎo)體基地位于長沙高新產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)，規(guī)劃
2021-06-24 14:14:432159 前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267 基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839 
12月30日，基本半導(dǎo)體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線，采用先進(jìn)碳化硅專用封裝工藝技術(shù)，打造
2021-12-31 10:55:432797 
在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072 比亞迪作為國內(nèi)車企，在車上用碳化硅已經(jīng)有差不多5、6 年的歷史，最早是在車載的OBC上用，后面是在車載彈簧、車載電控上面用，目前國內(nèi)在碳化硅車型上，我們用的碳化硅的量是國內(nèi)最多的，去年算上車載電控
2022-08-26 09:15:131695 前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號延遲和抗干擾**幾個(gè)方面。
2023-02-03 14:54:471076 碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù)，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)包括結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料選擇、工藝制程、測試技術(shù)等。
2023-02-15 16:19:007598 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:041284 碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483430 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 來源：碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 
聚焦強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈，國基南方、55所持續(xù)推進(jìn)新能源汽車用碳化硅MOSFET關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，貫通碳化硅襯底、外延、芯片等全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺，率先在新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域規(guī)模化應(yīng)用，累計(jì)保障超過160萬輛新能源汽車應(yīng)用需求。
2023-07-12 11:20:58316 隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:49855 
當(dāng)前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢，碳化硅材料七成以上來自美國公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應(yīng)用開發(fā)方面占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢。
2023-08-15 10:07:41260 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面，碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展，多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個(gè)環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57931 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 安森美(onsemi) 中國區(qū)汽車市場技術(shù)應(yīng)用負(fù)責(zé)人、碳化硅首席專家吳桐博士 近日就碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈迭代趨勢以及完善產(chǎn)業(yè)鏈背后 安森美的公司業(yè)績、 運(yùn)營模式、市場前景與產(chǎn)業(yè)合作等內(nèi)容
2023-11-01 19:15:02394 
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26322 
碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412 
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