碳化硅性能優(yōu)異， 襯底為最核心環(huán)節(jié)：碳化硅材料性能突破硅基極限， 相較于傳統(tǒng)硅基器件，碳化硅功率器件的功率密度、開(kāi)關(guān)效率和器件損耗上都有大幅度優(yōu)化。碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)流程從材料端襯底與外延的制備開(kāi)始，經(jīng)歷 芯片的設(shè)計(jì)與制造， 再到模塊的封裝后，最終流向下游應(yīng)用市場(chǎng)。從成本拆分來(lái)看，襯底成本占比達(dá) 46% ，是 產(chǎn)業(yè)鏈中最為核心的環(huán)節(jié)。目前襯底制備環(huán)節(jié)中，晶體生長(zhǎng)環(huán)節(jié)，受碳化硅長(zhǎng)晶速度慢，黑箱操作以及碳化硅晶 體結(jié)構(gòu)類(lèi)型眾多影響，導(dǎo)致碳化硅襯底產(chǎn)量小，良率低；在切割研磨拋光環(huán)節(jié)， 由于碳化硅是高硬度的脆性材料， 期切磨拋的加工難度增加，對(duì)碳化硅晶柱的材料利用率較低，產(chǎn)出晶片數(shù)量較少。上述難點(diǎn)造成了碳化硅目前制 備成本較高，成為限制產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。未來(lái)隨著襯底尺寸從 6 寸向8 寸提升，持續(xù)優(yōu)化良率以及相關(guān)生產(chǎn)切割、 拋光工藝的的升級(jí)，碳化硅材料成本有望顯著下降，將有效降低整體器件價(jià)格， 提升下游客戶(hù)的替代意愿，拉升 碳化硅功率器件的市場(chǎng)滲透率。

市場(chǎng)高度集中， 海內(nèi)外公司齊發(fā)力：全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠(chǎng)積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭(zhēng)之地。為獲取到長(zhǎng)期穩(wěn)定有效的碳化硅襯底供應(yīng)，海外功率 大廠(chǎng)均在大力布局，與碳化硅襯底公司合作頻繁，并開(kāi)始建立自己的產(chǎn)業(yè)陣營(yíng)， 形式包括簽訂長(zhǎng)期供貨訂單，或 直接收購(gòu)?fù)顿Y上游襯底廠(chǎng)商等。目前，襯底市場(chǎng)呈現(xiàn)出高度集中的格局，CR3 占據(jù) 90%市場(chǎng)份額。目前海內(nèi)外 企業(yè)均在積極擴(kuò)產(chǎn)碳化硅襯底，而我國(guó)碳化硅襯底廠(chǎng)商擴(kuò)產(chǎn)力度更大，市場(chǎng)份額在未來(lái)有望得到顯著提升。在此 背景下，碳化硅襯底市場(chǎng)規(guī)模將得到顯著擴(kuò)容，根據(jù) Wolfspeed 的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)至 2026 年，全球碳化硅材料(襯 底+外延)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá) 17 億美元， 相較于 2022 年提升近 2.5 倍。

建議關(guān)注大力布局碳化硅襯底賽道的本土公司：目前我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)整體處于早期階段，本土企業(yè)已開(kāi)始加大布局力度，在技術(shù)升級(jí)與下游客戶(hù)導(dǎo)入上均實(shí)現(xiàn)突破， 國(guó)產(chǎn)替代正有序推進(jìn)。展望未來(lái)， 本土碳化硅玩家有望在 3-5 年內(nèi)加速成長(zhǎng)，成為國(guó)際市場(chǎng)上的重要力量。建議關(guān)注天岳先進(jìn)、三安光電、 東尼電子、天科合達(dá)(未上市) 等。

?一、碳化硅性能優(yōu)異，襯底為最核心環(huán)節(jié)?

(一) 碳化硅：打破硅基極限，性能全方位提升

半導(dǎo)體材料主要分為三個(gè)代際。其中第一代半導(dǎo)體以材料硅Si、鍺Ge為代表，目前在半導(dǎo)體領(lǐng)域中第一代硅Si材料應(yīng)用最為廣泛；第二代半導(dǎo)體主要以化合物材料砷化鎵GaAs、磷化銦InP為代表；第三代半導(dǎo)體主要以化合物材料碳化硅SiC、氮化鎵GaN、氮化鋁AlN為代表，其具有明顯的禁帶寬度大、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大的特征，又被成為寬禁帶半導(dǎo)體。

? 半導(dǎo)體特性的差異決定了不同材料在半導(dǎo)體元件中的應(yīng)用，而第三代半導(dǎo)體在各個(gè)性能領(lǐng)域都優(yōu)于硅基器件。 圖 1：碳化硅在各個(gè)性能領(lǐng)域勝出 數(shù)據(jù)來(lái)源：RESEARCHGATE，Wolfspeed，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心 ?

以SiC為例，由于其帶隙寬度較寬、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，使其具備在高壓環(huán)境下 的應(yīng)用能力；而較高的熱導(dǎo)率和熔點(diǎn)使其能夠?qū)崿F(xiàn)快速的散熱，滿(mǎn)足高溫環(huán)境的應(yīng)用；而其較高的飽和飄逸速度使其能夠達(dá)到更高的工作頻率和實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)的性能。 此外SiC的平均密度約為3 g/cm3，因此重量相對(duì)較輕，它具有化學(xué)惰性和耐腐蝕性， 即使暴露在高達(dá)800°C的溫度下，也不會(huì)受到任何酸、熔鹽或堿的侵蝕。SiC具有非 常低的熱膨脹系數(shù)， 這意味著在極端溫度變化下， 它也保持尺寸穩(wěn)定(例如，它在 受熱時(shí)不會(huì)顯著膨脹或在受冷時(shí)顯著收縮)， 它還具有出色的抗熱震性。對(duì)比傳統(tǒng) 的硅基器件它的功率密度、開(kāi)關(guān)效率和器件損耗上都有大幅度提升。其性能賦予其 應(yīng)用范圍廣、冷卻成本低、尺寸小、輕量化、低損耗等特征。 ?

(二) 碳化硅襯底：產(chǎn)業(yè)鏈皇冠上的明珠，制備難度較大 ? ?

碳化硅生產(chǎn)流程包含材料端襯底與外延的制備， 以及后續(xù)芯片的設(shè)計(jì)與制造，再到 器件的封裝，最終流向下游應(yīng)用市場(chǎng)。從成本拆分來(lái)看， 目前受制于產(chǎn)能及良率， 襯底成本占比最高， 達(dá)46%。我們將聚焦于碳化硅襯底層面進(jìn)行分析：

碳化硅按襯底制備方式以及面向的下游應(yīng)用分可為兩種類(lèi)型。一種是通過(guò)生長(zhǎng)碳化 硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車(chē)、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底， 外延層上制造各類(lèi)功率器件；另一種是通過(guò)生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延， 下游應(yīng)用于5G通 訊、國(guó)防等射頻領(lǐng)域的半絕緣型襯底，主要用于制造氮化鎵射頻器件。

碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、 切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)， 其中制備重難點(diǎn)主要是晶體生長(zhǎng)和切割研磨拋光環(huán)節(jié)，是整個(gè)襯底生產(chǎn)環(huán)節(jié)中的重點(diǎn)與難點(diǎn)，成為限制碳化硅良率與 產(chǎn)能提升的瓶頸。

1、晶體生長(zhǎng)環(huán)節(jié)：該環(huán)節(jié)是多學(xué)科交叉知識(shí)的應(yīng)用， 綜合生長(zhǎng)條件控制、生長(zhǎng)效率、 缺陷控制等因素，物理氣相傳輸法( PVT)是技術(shù)成熟度最高、應(yīng)用最廣泛的方法，具有設(shè)備成本低、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、技術(shù)成熟等優(yōu)點(diǎn)。國(guó)際龍頭Wolfspeed、II-VI公司、 SiCrystal ( Rohm子公司) 等襯底生產(chǎn)企業(yè)均采用物理氣相傳輸法。

晶體生長(zhǎng)難點(diǎn)：

(1) 長(zhǎng)晶速度慢。碳化硅生長(zhǎng)速度僅有0.3-0.5mm/h ，且晶體最大長(zhǎng)度僅能達(dá)到2-5cm，與硅基襯底有著較大的差異。并且隨著碳化硅晶體尺寸擴(kuò)大， 其生長(zhǎng)工藝難度呈幾何級(jí)增長(zhǎng)。

(2) 黑箱操作良率低。碳化硅襯底核心參數(shù)包括微管密度、位錯(cuò)密度、電阻率、翹 曲度、表面粗糙度等。其生產(chǎn)過(guò)程完全處于高溫的密閉石墨腔體中完成， 需要在密 閉高溫腔體內(nèi)進(jìn)行原子有序排列并完成晶體生長(zhǎng)、同時(shí)控制參數(shù)指標(biāo)，非常依賴(lài)廠(chǎng) 商的工藝經(jīng)驗(yàn)。因此穩(wěn)定量產(chǎn)各項(xiàng)性能參數(shù)指標(biāo)波動(dòng)幅度較低的高品質(zhì)碳化硅晶片的技術(shù)難度很大，易產(chǎn)生各類(lèi)缺陷等問(wèn)題導(dǎo)致晶體生長(zhǎng)環(huán)節(jié)難度大、良率低、產(chǎn)量小。

(3) 碳化硅晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)型眾多，但僅其中少數(shù)幾種晶體結(jié)構(gòu)的碳化硅為所需材料， 雜質(zhì)控制難度高，故在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，需精確控制硅碳比、生長(zhǎng)溫度梯度、晶體 生長(zhǎng)速度以及氣流氣壓等參數(shù)， 否則容易產(chǎn)生多晶型夾雜，降低產(chǎn)品良率。

2、切割研磨拋光環(huán)節(jié)：碳化硅晶體制備完畢后，需要將其沿著一定方向切割成厚度 不超過(guò)1mm的薄片， 并通過(guò)不同顆粒粒徑的金剛石研磨液進(jìn)行研磨， 去除刀痕及變 質(zhì)層并控制厚度后， 再進(jìn)行CMP拋光以實(shí)現(xiàn)全局平坦化后進(jìn)入最終的清洗環(huán)節(jié)。

切磨拋難點(diǎn)：由于碳化硅是高硬度的脆性材料， 期切磨拋的加工難度增加，加工過(guò) 程中其曲翹開(kāi)裂等問(wèn)題嚴(yán)重， 損耗巨大，根據(jù)英飛凌的數(shù)據(jù)， 在傳統(tǒng)的往復(fù)式金剛 石固結(jié)磨料多線(xiàn)切割方法下，在切割環(huán)節(jié)對(duì)整體材料利用率僅有50% ，經(jīng)過(guò)拋光研磨環(huán)節(jié)后，切損耗比例則高達(dá)75%，可用部分比例較低。

(三) 發(fā)展趨勢(shì)：大尺寸&切割拋光技術(shù)升級(jí)，襯底成本有望得到優(yōu)化

1、大尺寸化。與硅基晶圓發(fā)展路徑相同，未來(lái)碳化硅襯底也將持續(xù)提升晶片尺寸， 降低單位面積芯片成本，推進(jìn)碳化硅器件的成本下降。海內(nèi)外襯底廠(chǎng)商以6寸為主流， 目前正在向8寸過(guò)渡。

襯底尺寸的提升，芯片成本有望顯著下降。

根據(jù)Wolfspeed數(shù)據(jù)，在相同尺寸的芯 片下，8英寸襯底片可切出的芯片數(shù)量相比6英寸襯底片提高約90%，同時(shí)降低約7% 的邊緣浪費(fèi)，帶來(lái)生產(chǎn)力和效率的大幅提升。伴隨著尺寸擴(kuò)張帶來(lái)的規(guī)模效應(yīng)以及自動(dòng)化產(chǎn)線(xiàn)帶來(lái)的相關(guān)成本的降低，Wolfspeed預(yù)計(jì)至2024年，8英寸襯底帶來(lái)的單位芯片成本相較于2022年6英寸襯底的單位芯片成本降低超過(guò)60%，這將持續(xù)推進(jìn) 碳化硅產(chǎn)品的降價(jià)，加速對(duì)硅基器件的替代。

2、切割技術(shù)優(yōu)化：以英飛凌冷裂技術(shù)為例，英飛凌在2018年斥資1.39億美元收購(gòu) Siltectra獲得其Cold Split冷裂技術(shù)， 作為激光切割的一種形式，Cold Split冷裂技術(shù) 是一種高效的晶體材料加工工藝，能夠?qū)⒉牧蠐p失降到最低。根據(jù)英飛凌的披露， 傳統(tǒng)的線(xiàn)切割造成SiC晶錠損失比例超過(guò)75% ，2021年對(duì)晶錠采用冷裂技術(shù)會(huì)降低損失比例50%，未來(lái)還可以對(duì)晶圓進(jìn)行冷裂，一片晶圓經(jīng)過(guò)冷裂可以變成兩片晶圓， 這將顯著提升公司材料的利用效率與總體產(chǎn)量，目前該技術(shù)仍在進(jìn)一步發(fā)展中。

3、拋光技術(shù)提升：SiC的外延層生長(zhǎng)過(guò)程中的晶體缺陷和污染可能會(huì)延伸到外延層和 晶圓表面，形成各種表面缺陷，從而影響其性能參數(shù)。上述表面缺陷出現(xiàn)的部分原 因與拋光劃痕息息相關(guān)，因此正確的拋光技術(shù)對(duì)碳化硅后續(xù)順利加工至關(guān)重要。目 前，已開(kāi)發(fā)出如下圖所示的三種CMP方式以實(shí)現(xiàn)更高的材料去除率、更低的表面粗 糙度、更少的劃痕和更均勻的表面形貌，以滿(mǎn)足更穩(wěn)定的外延生長(zhǎng)的需求。Wolfspeed 碳化硅晶片經(jīng)過(guò)CMP加工后，晶片表面缺陷較低， 可獲得的質(zhì)量較高的碳化硅 襯底， 為后續(xù)的外延與晶圓制造打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

技術(shù)升級(jí)帶動(dòng)襯底成本優(yōu)化。受益于襯底制備技術(shù)持續(xù)進(jìn)步，碳化硅襯底成本將有 望得到優(yōu)化，根據(jù)英飛凌數(shù)據(jù)，2023年至2027年襯底價(jià)格將得到顯著下降。根據(jù)東 尼電子公告披露數(shù)據(jù)，2023年向客戶(hù)交付6英寸碳化硅襯底單價(jià)為5,000元/片，2024 年MOS襯底價(jià)格為4750RMB/片， 2025年MOS襯底價(jià)格為4510RMB/片；2024年 SBD襯底價(jià)格為4275RMB/片， 2025年SBD襯底價(jià)格為4060RMB/片。我們認(rèn)為 ， 未來(lái)隨著襯底尺寸從6寸向8寸提升，持續(xù)優(yōu)化良率以及相關(guān)生產(chǎn)切割、拋光工藝的 的升級(jí)，碳化硅材料成本有望顯著下降，將有效降低整體器件價(jià)格，提升下游客戶(hù) 的替代意愿，拉升碳化硅功率器件的市場(chǎng)滲透率。

?二、市場(chǎng)高度集中，產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張加速?

( 一 ) 競(jìng)爭(zhēng)格局：收購(gòu)與合作浪潮涌動(dòng)，市場(chǎng)高度集中

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠(chǎng)積極布局的特征。細(xì)分來(lái)看 主要表現(xiàn)出以下三個(gè)特點(diǎn)：( 1 ) 原本的碳化硅材料廠(chǎng)商進(jìn)行縱向整合，向下游器件 端拓展市場(chǎng)。代表企業(yè)：Wolfspeed、II-VI等。(2) 傳統(tǒng)的功率大廠(chǎng)橫向切入碳化 硅賽道，積極布局全部或部分產(chǎn)業(yè)鏈。代表企業(yè)：意法半導(dǎo)體、英飛凌、斯達(dá)半導(dǎo) 等。(3) 其他廠(chǎng)商搶入碳化硅賽道， 布局部分產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)。代表企業(yè)：東尼電子、露笑科技等。

國(guó)際大廠(chǎng)間的收購(gòu)與合作錯(cuò)綜復(fù)雜，都在建立自己的產(chǎn)業(yè)陣營(yíng)。在SiC器件在功率器 件市場(chǎng)持續(xù)滲透的背景下，獲得大批量高質(zhì)量襯底變得至關(guān)重要。為獲取到長(zhǎng)期穩(wěn) 定有效的碳化硅襯底供應(yīng)， 海外功率大廠(chǎng)均在大力布局，與碳化硅襯底公司合作頻 繁，建立自己的產(chǎn)業(yè)陣營(yíng)， 形式包括簽訂長(zhǎng)期供貨訂單，或直接收購(gòu)?fù)顿Y上游襯底 廠(chǎng)商等行為。

襯底市場(chǎng)高度集中， CR3占據(jù)主要份額。目前導(dǎo)電型襯底市場(chǎng)呈現(xiàn)出高度集中的格 局， CR3憑借出色的技術(shù)實(shí)力與突出的產(chǎn)能供應(yīng)占據(jù)全球接近90%的市場(chǎng)。其中 Wolfspeed一家獨(dú)大，市場(chǎng)占有率超過(guò)60%；II-VI和SiCrystal ( Rohm子公司)分別 占據(jù)14%、13%；國(guó)內(nèi)企業(yè)天科合達(dá)排名第五，市占率約4%。

(二) 市場(chǎng)規(guī)模：海內(nèi)外廠(chǎng)商積極擴(kuò)產(chǎn)，襯底市場(chǎng)快速擴(kuò)容

海外廠(chǎng)商擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)。如上文所述， 目前碳化硅襯底市場(chǎng)被海外大廠(chǎng)牢牢占據(jù)，競(jìng)爭(zhēng) 格局高度集中。根據(jù)英飛凌引用yole的數(shù)據(jù)，目前海外主要襯底廠(chǎng)商持續(xù)加大擴(kuò)產(chǎn) 力度，23-24年產(chǎn)能較20-22年實(shí)現(xiàn)總產(chǎn)能約4倍的擴(kuò)充，最大產(chǎn)能將達(dá)285萬(wàn)片/年(合 6寸)。但從市占率的層面來(lái)看， 相較于21年總和約90%的市場(chǎng)占比，預(yù)計(jì)至2024 年，海外主要襯底廠(chǎng)商市場(chǎng)份額將降至約65%，究其主要原因，和中國(guó)碳化硅襯底 企業(yè)的大力擴(kuò)產(chǎn)息息相關(guān)。

本土企業(yè)異軍突起。2021年，全球碳化硅襯底市場(chǎng)中，僅有天科合達(dá)占比較高，達(dá) 9%，其余企業(yè)占比均不足1%。從22年開(kāi)始，本土碳化硅襯底企業(yè)進(jìn)入高速擴(kuò)產(chǎn)期， 預(yù)計(jì)至2024年，天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、山西爍科、三安光電以及中電化合物為首的 本土公司合計(jì)總產(chǎn)能有望超過(guò)150萬(wàn)片/年，市場(chǎng)占比合計(jì)約為35%。

碳化硅襯底市場(chǎng)規(guī)?？焖贁U(kuò)容。在海內(nèi)外企業(yè)積極擴(kuò)產(chǎn)的背景下，碳化硅襯底市場(chǎng) 規(guī)模將得到顯著提升，根據(jù)wolfspeed的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)至2026年，全球碳化硅材料 (襯 底+外延) 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)17億美元，相較于2022年提升近2.5倍。

三、建議關(guān)注布局碳化硅襯底賽道的本土公司

國(guó)內(nèi)企業(yè)發(fā)力布局碳化硅產(chǎn)業(yè)。從產(chǎn)業(yè)模式看與國(guó)外產(chǎn)業(yè)鏈主要以縱向多環(huán)節(jié)整合 為主不同， 國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈相對(duì)來(lái)較為分散，除三安光電以及中電科下屬研究所采用產(chǎn) 業(yè)鏈全覆蓋模式之外，更多廠(chǎng)商選擇專(zhuān)注于產(chǎn)業(yè)鏈中某個(gè)特定環(huán)節(jié)。

目前我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)整體處于早期階段，本土企業(yè)已開(kāi)始加大布局力度， 在技術(shù)升 級(jí)與下游客戶(hù)導(dǎo)入上均實(shí)現(xiàn)突破，國(guó)產(chǎn)替代正有序推進(jìn)。展望未來(lái)，本土碳化硅玩 家有望在3-5年內(nèi)加速成長(zhǎng)，成為國(guó)際市場(chǎng)上的重要力量。

(一) 天岳先進(jìn)：國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底龍頭， 持續(xù)拓展導(dǎo)電型襯底

公司成立于2010年，主營(yíng)業(yè)務(wù)為碳化硅襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。2021年公司營(yíng)業(yè) 收入為4.94億元， 同比增長(zhǎng)16.25%；歸母凈利潤(rùn)為0.90億元，同比增長(zhǎng)114.02%。從營(yíng)收結(jié)構(gòu)來(lái)看，公司營(yíng)收主要分為碳化硅襯底業(yè)務(wù)和其他業(yè)務(wù)，其中碳化硅襯底 業(yè)務(wù)收入為3.87億元，同比增長(zhǎng)10.89%；其他業(yè)務(wù)收入為1.07億元，同比增長(zhǎng)40.79%。

公司碳化硅業(yè)務(wù)進(jìn)展：2022年7月22 日，公司發(fā)布公告稱(chēng) “2023年至2025年，公司及公司全資子公司上海天岳向合同對(duì)方銷(xiāo)售6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品，預(yù)計(jì)含稅 銷(xiāo)售三年合計(jì)金額為人民幣13.93億元”。該公告彰顯公司已具備較強(qiáng)的導(dǎo)電型碳化 硅襯底實(shí)力，同時(shí)，公司2022年IPO募資25億元建設(shè)6寸導(dǎo)電型碳化硅襯底項(xiàng)目，22 年開(kāi)始試生產(chǎn)，預(yù)計(jì)26年達(dá)產(chǎn)，形成對(duì)應(yīng)襯底30萬(wàn)片/年的生產(chǎn)能力，將為公司提供 充足成長(zhǎng)動(dòng)力。

(二) 東尼電子：大力開(kāi)拓新業(yè)務(wù)，碳化硅襯底打開(kāi)全新成長(zhǎng)空間

公司成立于2008年， 主營(yíng)業(yè)務(wù)為超微細(xì)合金線(xiàn)材、金屬基復(fù)合材料及其它新材料的 應(yīng)用研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。2021年公司營(yíng)業(yè)收入為13.39億元，同比增長(zhǎng)44.27%；歸 母凈利潤(rùn)為0.33億元，同比減少30.14%。從營(yíng)收結(jié)構(gòu)來(lái)看，公司營(yíng)收主要分為消費(fèi) 電子、光伏、新能源和醫(yī)療，其中消費(fèi)電子業(yè)務(wù)收入為10.04億元， 同比增長(zhǎng)23.49%；光伏業(yè)務(wù)收入為1.24億元， 同比增長(zhǎng)202.44%；醫(yī)療業(yè)務(wù)收入為1.05億元，同比增 長(zhǎng)118.75%；新能源業(yè)務(wù)收入為0.69億元，同比增長(zhǎng)200%。

公司碳化硅業(yè)務(wù)進(jìn)展：2023 年1月9日，公司子公司東尼半導(dǎo)體與下游客戶(hù)T簽訂《采 購(gòu)合同》， 約定東尼半導(dǎo)體 2023年向該客戶(hù)交付6英寸碳化硅襯底13.50萬(wàn)片，含 稅銷(xiāo)售金額合計(jì)人民幣 6.75 億元；2024年商品交付數(shù)量為30萬(wàn)片， 其中MOS交付 數(shù)量大于總量50%；2025年商品交付數(shù)量為50萬(wàn)片，其中MOS交付數(shù)量大于總量 55%。

(三) 三安光電：全產(chǎn)業(yè)鏈布局，碳化硅業(yè)務(wù)揚(yáng)帆起航

公司成立于1993年，主營(yíng)業(yè)務(wù)為化合物半導(dǎo)體的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。2021年公司營(yíng) 業(yè)收入為125.72億元，同比增長(zhǎng)48.71%；歸母凈利潤(rùn)為13.13億元，同比增長(zhǎng)29.20%。從營(yíng)收結(jié)構(gòu)來(lái)看，公司營(yíng)收主要分為化合物半導(dǎo)體、材料銷(xiāo)售、和租金、物業(yè)、服 務(wù)收入， 其中化合物半導(dǎo)體收入為96.61億元，同比增長(zhǎng)61.80%；材料銷(xiāo)售收入為 26.39億元， 同比增長(zhǎng)14.14%；租金、物業(yè)、服務(wù)收入為2.72億元， 同比增長(zhǎng)59.06%。

公司碳化硅業(yè)務(wù)進(jìn)展：公司投資160億建設(shè)碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈，是全國(guó)首條、全球第三 條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈。2021年公司湖南三安碳化硅產(chǎn)線(xiàn)產(chǎn)線(xiàn)已通線(xiàn)，進(jìn)入試量 產(chǎn)。碳化硅配套產(chǎn)能擴(kuò)充到3萬(wàn)片/月。

公司的碳化硅產(chǎn)品在下游市場(chǎng)已取得多點(diǎn)突破，在服務(wù)器電源、通信電源、光伏逆 變器、充電樁、車(chē)載充電機(jī)等細(xì)分應(yīng)用市場(chǎng)標(biāo)桿客戶(hù)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定供貨。2022年11月6日，公司全資子公司湖南三安與需求方 (主要從事新能源汽車(chē)業(yè)務(wù)的公司) 簽署了 碳化硅芯片《戰(zhàn)略采購(gòu)意向協(xié)議》， 本協(xié)議約定：供方按照一定的價(jià)格向需方提供 產(chǎn)品和服務(wù)，需方根據(jù)實(shí)際需求向供方下立采購(gòu)訂單，基于2022年市場(chǎng)價(jià)格感知， 包含2023年產(chǎn)生的研發(fā)業(yè)務(wù)需求，至2027年預(yù)估該金額總數(shù)為人民幣38億元(含稅)。

編輯：黃飛