三安光電10月23日宣布，旗下湖南三安在碳化硅產品上取得階段性進展，實現8英寸襯底準量產，部分產品已進入主流新能源汽車企業供應鏈。

三安光電介紹，在大尺寸碳化硅襯底方面，湖南三安8英寸碳化硅襯底已完成開發，依托精準熱場控制的自主PVT工藝，實現了更低成本及更低缺陷密度，產品進入小批量生產及送樣階段，后續公司將繼續注重良率提升，加快設備調試與工藝優化，并持續推進湖南與重慶工廠量產進程。

碳化硅MOSFET方面，該公司推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET產品，具有高性能、高一致性和高可靠性等優點。其中，1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆變器的輔助電源，1200V/75mΩ MOSFET主要應用于新能源汽車的OBC，兩款產品均已處于客戶端導入階段，將逐步批量供貨；1200V /16mΩ車規級芯片已在戰略客戶處進行模塊驗證。

此外，湖南三安與意法半導體在重慶設立三安意法半導體（重慶）有限公司，專門生產8英寸碳化硅晶圓，該項目前期相關審批事項已成功獲批，各項工作有序推進，預計2025年完成階段性建設并投產，2028年實現達產。

意法半導體攜手三安光電，共建8英寸碳化硅制造廠

IFWS&SSLCHINA：第三代半導體產業發展風向標

當前第三代半導體繼往開來進入新的發展階段，人工智能、數字信息時代將為產業發展帶來動態且多樣復雜的機遇和挑戰。新科技時代背景下，第三代半導體將迎來更廣闊的發展前景，國內外第三代半導體產業發展勢頭正盛。第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開。

審核編輯：劉清