SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據產品的不同，膜層的層數也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實際有64，128，400層等層數。
2024-03-19 12:26:42
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在設計防止AI大模型被黑客病毒入侵時，需要考慮到復雜的加密和解密算法以及模型的實現細節，首先需要了解模型的結構和實現細節。
以下是我使用Python和TensorFlow 2.x實現深度學習模型
2024-03-19 11:18:16
一般來說SiO2是作為大部分器件結構中的絕緣體 或 在器件制作過程中作為擴散或離子注入的阻擋層。
2024-03-11 10:19:11104 
我正在使用 CY8C5867LTI-LP025。
我知道我需要使用 SIO 端口來使用 I2C、UART 等。
SPI通信是否也需要使用 SIO 端口？
2024-03-06 06:23:39
ITO薄膜在提高異質結太陽能電池效率方面發揮著至關重要的作用，同時優化ITO薄膜的電學性能和光學性能使太陽能電池的效率達到最大。沉積溫度和濺射功率也是ITO薄膜制備過程中的重要參數，兩者對ITO薄膜
2024-03-05 08:33:20235 
用于開發過程中模型的靜態檢查，包括規范檢查、復雜度度量，提供MAAB、HIS、CG、MISRA_AC_SLSF、MISRA_AC_TL、dSPACE標準規范及檢查，
2024-03-01 11:29:03
? 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001551 
HarmonyOS 3.1 版本（API 9）推出了全新應用開發模型 - Stage 模型，該模型重新定義了應用開發的能力邊界，從應用開發模型的角度，支持多窗口形態下統一的應用組件生命周期，并支持
2024-02-18 09:28:26321 
絕緣層位于IGBT的N區表面，通常使用氧化硅（SiO2）等絕緣材料，用于隔離控制電極（柵極）與功率電極（P區和N+區）。
2024-02-06 10:29:19226 
電壓和漏源極電壓的作用下保持不變，漏極電流先增大后不變。
P溝道耗盡型MOS管，SIO2絕緣層摻入大量負離子，即使不加柵源電壓，也會形成反型層和導電溝道，在此基礎上加負向電壓溝道電阻變小，加正向電壓導電溝道變小，而且正向電壓減小到一定程度反型層消失導電溝道消失。
2024-01-30 11:51:42
減小到一定程度反型層消失導電溝道消失。
P溝道增強型MOS管在其柵源之間加負向電壓，形成反型層和導電溝道，溝道電阻先小后大，漏極電流先增大后不變。
P溝道耗盡型MOS管，SIO2絕緣層摻入大量負離子
2024-01-30 11:38:27
ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜，主要優點是其高透明度和導電性，可以作為透明電極應用在光伏電池中。在TOPCon電池中，添加ITO薄膜可以有效提升電池的短路電流密度和轉換效率，是提高
2024-01-20 08:32:51280 額定門極驅動電壓：門極驅動電壓在±20V范圍內施加超過此范圍的電壓時，門極-發射極間的氧化膜（SiO2）有可能發生絕緣破壞或導致可靠性下降。
2024-01-05 09:06:321842 
在太陽能電池的沉積工藝中，制備高性能的ITO薄膜是其首要任務。電池廠商在制備ITO薄膜時，往往需要考慮自身的方阻與影響ITO薄膜方阻的因素，從而在了解的基礎上更好的解決對ITO薄膜方阻有不利
2023-12-28 08:33:00418 技術革新日新月異，大模型的興起更是顛覆了千行百業。自ChatGPT問世以來，大模型的應用前景充滿了無限的機遇與挑戰。 12月16日，在2023開放原子開發者大會的“大模型應用開發之道”分論壇
2023-12-21 19:35:01412 據悉，研究人員使用金屬有機氣相外延技術在覆蓋有微圖案SiO2掩模的石墨烯層上生長GaN微盤。然后將微盤加工成Micro LED，并成功轉移到可彎曲基板上。這項研究表明，可通過石墨烯上生長出高質量LED，并將其集成到靈活的Micro LED設備中。
2023-12-13 16:55:39487 
，以及pulsar2作為推理引擎的一些細節。
1、完整流程概括
可以將模型部署細分為以下幾個步驟，其實就是和用onnxruntime\\\\openvino\\\\tensorRT這些部署步驟是一樣
2023-12-10 16:34:43
在太陽能電池的生產工藝中，退火工藝和氧氣含量作為外界條件往往是影響ITO薄膜性能的關鍵因素，因此，為了較高程度的提升ITO薄膜的性能，電池廠商都會通過在生產中嚴謹的操作手段來保證其性能的提升，并通過
2023-12-07 13:37:19292 GaN 技術的過去和現在
2023-12-06 18:21:00432 
GaN 如何改變了市場
2023-12-06 17:10:56186 
GaN是常用半導體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 09:28:15913 
GaN是否可靠？
2023-12-05 10:18:41169 
某種電介質的介電常數ε與真空介電常數ε0的比值，稱為該電介質的相對介電常數，符號為εr，即εr=ε/ε0，εr是無量綱的純數，其中真空介電常數ε0=8.854E-12F/m，SIO2的相對介電常數為εr=3.9，所以SIO2的介電常數ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m
2023-11-30 15:39:12671 摘要本發明涉及芯片制造技術領域。硅基的cu/sio2混合結合樣品和金剛石基礎的cu/sio2混合結合樣品的準備后，進行等離子體活性。經等離子體活性處理后，將cu/sio2混合結合試料浸泡在有機酸溶液中清洗后干燥。
2023-11-22 09:25:59285 
擴散模型和 GAN 的混合模型最早是英偉達的研究團隊在 ICLR 2022 上提出的 DDGAN（《Tackling the Generative Learning Trilemma with Denoising Diffusion GANs》）。其靈感來自于普通擴散模型對降噪分布進行高斯假設的根本缺陷。
2023-11-21 16:02:19275 
yolov8nsim.onnx --output_dir output --config config.json, 將會得到output/compiled.axmodel文件。
開發板上運行模型評測
2023-11-20 12:19:32
鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產生電場的效應來控制半導體(S)導電溝道開關的場效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕
2023-11-18 08:11:021317 
鎵(GaN)納米線的光子器件，這些器件可以受益于紫外透明波導，包括近場掃描光學顯微鏡、垂直腔激光器和直寫光刻技術。
2023-11-16 11:13:50231 
開發者關系經理李博和英邁中國技術工程師李寧在現場探討了汽車行業前沿趨勢與未來風向標。下文將帶領讀者回顧嘉賓們在“NVIDIA 加速汽車行業大語言模型的開發與應用”研討會上的重點分享。 基于深度學習的 AI 技術——大語言模型（LLM），通常擁有數十億到數萬億的
2023-11-03 19:10:03356 電子發燒友網站提供《太陽能光伏玻璃及其薄膜的開發與應用（一）.pdf》資料免費下載
2023-11-03 09:18:03
0 電子發燒友網站提供《太陽能光伏玻璃及其薄膜的開發與應用(四).pdf》資料免費下載
2023-11-03 09:12:300 10 月 28?日上午?10?點 ，NVIDIA 解決方案架構師陳文愷將出席研討會，講解 ?NVIDIA 如何助力汽車行業開發企業級大語言模型 ，加速行業創新和發展 。會議期間還將有兩位神秘嘉賓助陣
2023-10-27 20:05:02182 
自從擴散模型發布以來，GAN的關注度和論文是越來越少了，但是它們里面的一些思路還是值得我們了解和學習。所以本文我們來使用Pytorch 來實現SN-GAN
2023-10-18 10:59:17231 
在異質結太陽能電池的結構中，ITO薄膜對其性能的影響是非常重要且直接的，ITO薄膜自身的優劣與制備ITO薄膜過程的順利往往能直接決定異質結太陽能電池的后期生產過程以及實際應用是否科學有效
2023-10-16 18:28:09700 硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業照明領域已經實現規模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術和低功率PA正在進行工程化開發。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31317 
在鈣鈦礦太陽能電池的生產工藝中，ITO薄膜沉積是能夠提升鈣鈦礦太陽能電池光電轉換率的關鍵步驟，其中，真空蒸鍍沉積技術可較為便捷的制備高純度、高質量的ITO薄膜，是沉積工藝中的一項核心技術
2023-10-10 10:15:53649 RKNN 是 Rockchip NPU 平臺(也就是開發板)使用的模型類型，是以.rknn 結尾的模型文件。
RKNN SDK 提 供 的 demo 程 序 中 默 認 自 帶 了 RKNN 模 型
2023-09-21 11:39:02
由于異質結電池不同于傳統的熱擴散型晶體硅太陽能電池，因此在完成對其發射極以及BSF的注入后，下一個步驟就是在異質結電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補異質結電池在注入發射極后的低導電性
2023-09-21 08:36:22407 諸多應用難點，極高的開關速度容易引發振蕩，過電流和過電壓導致器件在高電壓場合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開通門限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET，在橋式拓撲的應用中容易發生誤
2023-09-18 07:27:50
GaN因其特性，作為高性能功率半導體材料而備受關注，近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25657 
：ArmSoM P2 Pro 物聯網開發板評測，支持PoE供電[]()
硬件說明
SoC 旁邊是 512 MB DDR3 內存。規格表明SoC的DDR接口支持DDR2、LPDDR2和DDR3內存
2023-09-13 12:21:21
你好，我用tensorflow訓練的模型導出后，用ncc工具箱進行轉化，轉化后的模型導入過程中出現問題：
1、我采用maxipy官方的固件，用micropython導入該模型是可以正常使用
2、根據
2023-09-13 07:34:46
P-NUCLEO-IOD01A1 是一款 STM32 Nucleo 套件，包括 NUCLEO-L073RZ 開發板、STEVAL-IOD003V1 評估板、以及 X-NUCLEO-IKS01A2
2023-09-13 06:39:09
P-NUCLEO-IOD01A1 是一款 STM32 Nucleo 套件，包括 NUCLEO-L073RZ 開發板、STEVAL-IOD003V1 評估板、以及 XNUCLEO-IKS01A2 擴展
2023-09-13 06:01:51
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅動器專為特定的GaN FET驅動要求而設計，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態抗擾度、一套集成式保護功能
2023-09-05 06:58:54
傳感新品 【長春工業大學：研發PAM@SiO2-NH2/石墨烯導電水凝膠傳感器】 導電水凝膠因其在軟機器人、電子設備和可穿戴技術等領域的潛在應用而備受關注。然而，由于傳統水凝膠固有的脆性，其廣泛應用
2023-08-21 17:24:49960 
之前我們使用網頁文本輸入的方式體驗了訊飛星火認知大模型的功能（是什么讓科大訊飛1個月股價翻倍？），本篇博文將從開發者角度來看看如何使用訊飛星火認知大模型API。
2023-08-15 12:22:264164 
用于快速模型的模型調試器是用于可擴展集群軟件開發的完全可重定目標的調試器。它旨在滿足SoC軟件開發人員的需求。
Model Debugger具有易于使用的GUI前端，并支持：
?源代碼級調試
2023-08-10 06:33:37
用于快速模型的模型調試器是用于可擴展集群軟件開發的完全可重定目標的調試器。它旨在滿足SoC軟件開發人員的需求。
Model Debugger具有易于使用的GUI前端，并支持：
?源代碼級調試
2023-08-09 07:57:45
20世紀60年代以前，半導體基片拋光還大都沿用機械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，以SiO2漿料為代表的化學機械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407523 
硅在暴露在空氣中時會形成一層氧化硅（SiO2）層。在許多制程步驟中，如在熱處理過程之前，需要移除這層氧化硅。氫氟酸是唯一能夠有效清洗硅片表面氧化硅的化學品。氫氟酸能夠與SiO2發生反應，生成揮發性的氟硅酸，從而清除硅片表面的氧化物層。
2023-08-02 10:40:25543 
器件溝道長度為1μm，HFO2柵介質厚度為4.88nm；SiO2柵介質厚度為2nm；P襯底摻雜濃度4E15cm^-3；柵電極為鋁金屬。
2023-07-05 16:45:21419 
針對測量ITO導電薄膜的應用場景，CP200臺階儀能夠快速定位到測量標志位；輕松實現一鍵多點位測量；能直觀測量數值變化趨勢。
2023-06-27 10:49:44713 
由于ITO膜具有一定的透光性，而硅基板具有較強的反射率，會對依賴反射光信號進行圖像重建的光學輪廓儀造成信號干擾導致ITO膜厚圖像重建失真，因此考慮采用接觸式輪廓儀對ITO膜厚進行測量，由于其厚度范圍
2023-06-27 10:47:070 地被開發出來。GaN器件的低導通內阻、低寄生電容和高開關速度等特性，使得對應的Class D功放系統能夠具有更高的效率，更高的功率密度，同時因為更少的反饋需求所帶來的非線性失真度將更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
GaN功率半導體集成驅動性能
2023-06-21 13:24:43
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
GaN功率集成電路技術:過去，現在和未來
2023-06-21 07:19:58
金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產生電場的效應來控制半導體(S)導電溝道開關的場效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應管。
2023-06-20 09:18:001044 
低規格GaN快速充電器的脈沖ACF
2023-06-19 12:09:55
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路的進展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路可靠性的系統方法
2023-06-19 06:52:09
GaN技術實現快速充電系統
2023-06-19 06:20:57
基于GaN器件的產品設計可以提高開關頻率，減小體積無源器件，進一步優化產品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
最近在用M051開發板實現PWM輸出的控制，因為涉及多種PWM控制模式，所以想設置多個按鍵控制。而按鍵控制需要中斷的產生，敢問2個外部中斷EXINT0、EXINT1跟GPIOP0P1P2P3P
2023-06-16 08:13:28
一小部分2D圖像合成復雜3D場景的新視圖方面提供了最先進的質量。 作者提出了一個生成模型HyperNeRFGAN，它使用超網絡范式來生成由NeRF表示的三維物體。超網絡被定義為為解決特定任務的單獨目標網絡生成權值的神經模型。基于GAN的模型，利用超網絡范式將高斯噪
2023-06-14 10:16:11639 
目前，許多企業在SiC MOSFET的批量化制造生產方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
2023-06-13 16:48:17376 
賽米卡爾科技有限公司技術團隊基于先進的TCAD仿真設計平臺開發出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型數據庫，并系統地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR結構對GaN基垂直腔面發射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL）電學和熱學特性的影響。
2023-06-07 13:49:03271 
ISO774x器件在低功耗下提供高電磁抗擾度和低發射，同時隔離CMOS或LVCMOS數字I/O。每個隔離通道都有一個由雙電容二氧化硅（SiO2）絕緣屏障分隔的邏輯輸入和輸出緩沖器。
2023-06-01 15:27:15651 UIAbility通過WindowStage持有了一個窗口，該窗口為ArkUI提供了繪制區域。
Context
在Stage模型上，Context及其派生類向開發者提供在運行期可以調用的各種能力
2023-05-25 17:44:46
GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態
2023-05-24 09:40:011374 
本系列文章將在 AI 愛克斯開發板上使用 OpenVINO 開發套件依次部署并測評 YOLOv8 的分類模型、目標檢測模型、實例分割模型和人體姿態估計模型。
2023-05-05 11:47:53559 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主要優勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業大放異彩。
2023-04-25 15:08:212335 
應用模型是OpenHarmony為開發者提供的應用程序所需能力的抽象提煉，它提供了應用程序必備的組件和運行機制。有了應用模型，開發者可以基于一套統一的模型進行應用開發，使應用開發更簡單、高效
2023-04-24 10:26:20
運動控制系統開發與應用 運動 是以 為控制對象，以控制器為核心，以電力電子、功率變換裝置為執行機構，在控制理論指導下組成的電氣傳動控制系統。運動控制系統多種多樣，但從基本結構上看，一個典型的現代運動
2023-04-21 18:04:19690 是否有關于 NXP GaN 放大器長期記憶的任何詳細信息。數據表說“專為低復雜性線性系統設計”。長期記憶是否不再是當前幾代 GaN 器件的關注點？這是整個產品堆棧嗎？
2023-04-17 06:12:19
與LMG5200評估模塊 (EVM) 一同提供的還有一塊驅動GaN集成電路 (IC) 的電路。你需要將其斷開，并且連接你的LaunchPad開發套件。
2023-04-14 10:06:17424 
在本研究工作中，邊緣耦合器和圖案化溝槽在具有220 nm厚的頂部Si層和3 μm厚的SiO2掩埋氧化物（BOX）層的SOI晶片上制造。
2023-04-13 10:56:02166 STM32開發板 STM32F103RCT6最小系統板 ARM 一鍵串口下載 液晶屏
2023-04-04 11:05:04
零序電流互感器是絕對不可以穿零線的對嗎？
2023-04-03 11:27:38
N32G430C8L7_STB開發板用于32位MCU N32G430C8L7的開發
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發，開發板主MCU芯片型號N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
BM02B-ACHLKS-GAN-ETF
2023-03-28 14:51:28
HiHope 滿天星智能家居開發套件
2023-03-28 13:07:10
ATK-Mini Linux開發板-EMMC
2023-03-28 13:05:54
ATK-Mini Linux開發板-NAND
2023-03-28 13:05:54
TI CC2541開發套件
2023-03-25 01:27:25
電子發燒友App
工商網監
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