單晶硅晶片的超聲輔助化學蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法單晶硅晶片紋理化的替代方法在晶片表面形成倒金字塔結構[1，2]形貌取決于以下成分蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2混合物中的擴散控制溶解過程通過改變流量形成各種形態蝕刻混合物的速度[4，5]超聲波輔助導致蝕刻的高速運動晶片表面的混合物。

單晶硅晶片的超聲輔助化學蝕刻

結果

HF-HCl-Cl2溶液允許各向異性蝕刻過程，產生比氫氧化鉀標準紋理反射低的隨機倒金字塔，導致低反射值至6.3%的陰影效應，導致晶圓邊緣到中間的形態變化，通過超聲輔助化學蝕刻(USACE)紋理單晶硅晶圓在在線蝕刻過程中似乎是最可行的。

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2023-10-23 09:00:17

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PCB線路板的蝕刻工藝需要注意哪些細節問題

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2023-09-18 11:06:30

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2023-08-26 11:52:12

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太陽能發電選單晶硅還是多晶硅？

電源電路DIY制作

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2023-08-19 08:36:27

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半導體蝕刻系統市場預計增長到2028年的120億美元，復合年增長率為2.5%

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2023-08-15 15:51:58

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刻蝕工藝流程和步驟酸性蝕刻和堿性蝕刻的區別

刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結構。

2023-07-28 15:16:59

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深度解讀硅微納技術之蝕刻技術

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鋁等離子體蝕刻率的限制

都使用Cl基蝕刻化學物質。當在等離子體放電中分解時，CCl為還原物質提供了來源，并用于去除表面氧化物和Cl，與下面的Al反應。

2023-06-27 13:24:11

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14.3 SiC體單晶的制備_clip001

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13.4 ZnO的單晶的摻雜

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13.3 ZnO的薄膜單晶的制備

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11.6 GaN薄膜單晶的摻雜

單晶

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11.5 GaN薄膜單晶的制備_clip002

單晶

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11.5 GaN薄膜單晶的制備_clip001

單晶

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11.4 GaN體單晶的制備

單晶

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9.3 絕緣體上的單晶硅薄膜SOI

單晶

jf_75936199發布于 2023-06-24 18:36:00

9.2 單晶硅薄膜材料（下）

單晶

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9.2 單晶硅薄膜材料（上）_clip002

單晶

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9.2 單晶硅薄膜材料（上）_clip001

單晶

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8.5 直拉硅單晶的缺陷

單晶

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8.3 直拉硅單晶的輕元素雜質_clip002

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8.3 直拉硅單晶的輕元素雜質_clip001

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8.2 直拉硅單晶的摻雜濃度_clip002

單晶

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8.2 直拉硅單晶的摻雜濃度_clip001

單晶

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8.1 直拉硅單晶的摻雜技術（下）

單晶

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8.1 直拉硅單晶的摻雜技術（上）

單晶

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7.6 直拉硅單晶的加工（下）

單晶

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7.6 直拉硅單晶的加工（上）

單晶

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7.5 新型直拉硅單晶生長工藝

單晶

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7.4 單晶生長的主要影響因素

單晶

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7.3 直拉硅單晶生長的基本工藝（下）

單晶

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7.2 直拉硅單晶生長的基本工藝（中）

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7.2 直拉硅單晶生長的基本工藝（上）_clip002

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7.2 直拉硅單晶生長的基本工藝（上）_clip001

單晶

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7.1 直拉硅單晶

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6.3 區熔硅單晶（下）

單晶

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硅片獨角獸高景太陽能IPO獲受理！三年營收從不到9萬沖到175億，募資50億

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單晶硅和多晶硅的區別

什么是單晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，單晶硅和多晶硅有什么區別，多晶矽與單晶硅的主要差異體現在物理性質方面，主要包括力學性質、電學性質等方面，下面具體來了解下。

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單晶硅結晶

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華耀光電IPO獲受理！營收年復合增長率超400%，募資29億擴充單晶硅片產能等

資金，用于12GW單晶硅片生產項目（二期）、年產10GW高效N型（異質結）電池項目（一期）等。天眼查顯示，去年1月華耀光電剛完成由東海投資領投，天風天睿、銀河資本等投資機構參與的近4億元Pre-IPO融資。公司控股股東是華耀投資，其直接持有公司70.46%的股份

2023-05-27 07:45:02

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華耀光電IPO獲受理！營收年復合增長率超400%，募資29億擴充單晶硅片產能等

資金，用于12GW單晶硅片生產項目（二期）、年產10GW高效N型（異質結）電池項目（一期）等。 ? 天眼查顯示，去年1月華耀光電剛完成由東海投資領投，天風天睿、銀河資本等投資機構參與的近4億元Pre-IPO融資。公司控股股東是華耀投資，其直接持有公司70.46%的股

2023-05-26 00:05:00

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濕式化學蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業人員。因此，英思特開發了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。

2023-05-25 13:47:51

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led晶片推拉力機半導體推拉力測試儀

led晶片

力標精密設備發布于 2023-05-24 17:40:04

如何在蝕刻工藝中實施控制？

蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。

2023-05-19 10:27:31

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PCB常見的五種蝕刻方式

一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金

2023-05-18 16:23:48

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硅晶片的酸基蝕刻：傳質和動力學效應

拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。

2023-05-16 10:03:00

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硅片表面染色對銅輔助化學蝕刻的影響

在硅基光伏產業鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過程中，由于金剛石線和硅片的反復摩擦，硅片表面發生了大量的脆性損傷和塑性損傷。

2023-05-15 10:49:38

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簡述晶圓減薄的幾種方法

減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。

2023-05-09 10:20:06

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《炬豐科技-半導體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技摘要采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷

2023-04-23 11:15:00

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酸性化學品供應控制系統

[技術領域] 本實用新型涉及半導體制造技術領域，具體地說是一種酸性化學品供應控制系統。由于半導體行業中芯片生產線的工作對象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形以及清洗硅晶片上的雜質、微粒子的化學

2023-04-20 13:57:00

飛秒激光輔助制造石英晶體MEMS諧振器

提出了一種利用飛秒激光誘導化學蝕刻（FLICE）制造壓電致動的石英晶體MEMS諧振器的方法。

2023-04-20 09:10:46

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干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）

2023-04-12 14:54:33

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氮化鋁單晶的濕法化學蝕刻

清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。

2023-03-31 10:56:19

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單晶硅刻蝕工藝流程

FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。

2023-03-30 09:39:18

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PCB加工的蝕刻工藝

印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在

2023-03-29 10:04:07

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單晶硅晶片的超聲輔助化學蝕刻

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