高功率密度的模塊電源目前在我國(guó)的工業(yè)、通訊和制造業(yè)領(lǐng)域占據(jù)著主導(dǎo)地位，如何在設(shè)計(jì)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)高頻率電源的低損耗和散熱平衡，就成為了很多生產(chǎn)商和研發(fā)人員所面臨的頭號(hào)問(wèn)題。本文將會(huì)就這一問(wèn)題展開(kāi)簡(jiǎn)要的敘述分析，幫助工程師們更有效的實(shí)現(xiàn)低損耗高功率的電源設(shè)計(jì)。
2015-07-24 10:43:15
1048 英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專(zhuān)為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計(jì)的新型二極管系列：英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能力，關(guān)斷速度可達(dá)5 kA/μs。
2018-06-22 14:38:394929 為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過(guò)程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測(cè)試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過(guò)雙脈沖測(cè)試對(duì)影響 IGBT 開(kāi)關(guān)損耗的參數(shù)( Eon
2023-03-06 15:02:511535 進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化。開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，可進(jìn)一步提升大功率應(yīng)用的效率ROHM利用獨(dú)有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)出新型封裝，從而開(kāi)發(fā)并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產(chǎn)品。由此，全SiC功率模塊在工業(yè)
2018-12-04 10:20:43
損耗最佳值約為-8～10V。柵極參數(shù)對(duì)電路的影響 IGBT內(nèi)部的續(xù)流二極管的開(kāi)關(guān)特性也受柵極電阻的影響，并也會(huì)限制我們選取柵極阻抗的最小值。IGBT的導(dǎo)通開(kāi)關(guān)速度實(shí)質(zhì)上只能與所用續(xù)流二極管反向恢 復(fù)
2011-08-17 09:26:02
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計(jì)算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
公式 帶入上述幾個(gè)參數(shù)可以推出： 7、IGBT的開(kāi)通損耗計(jì)算 設(shè)開(kāi)關(guān)頻率為Fsw情況下，那么直接計(jì)算損耗為： 由于每次Eon均與電流相關(guān)，開(kāi)關(guān)電壓相同。且經(jīng)過(guò)上管IGBT的電流的函數(shù)關(guān)系為 8
2023-02-24 16:47:34
，也就是說(shuō)將近5mA的電流損耗在7805里了。有沒(méi)有低損耗的電源芯片，可以最大限度的降低損耗呢？哪位神哥給推薦一個(gè)??！
2019-10-25 03:59:57
瑞薩科技公司（Renesas）宣布，推出RKT101xxxMU m-Chip*1引入線(xiàn)*2。這是一種安裝在RFID（射頻識(shí)別）IC上的m-Chip，其全球最薄的85微米厚度有助于改善RFID標(biāo)簽
2018-08-28 15:42:17
2023 年 3 月 14 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出兩個(gè)基于Arm?Cortex? -M33內(nèi)核和Arm TrustZone?技術(shù)
2023-03-14 15:30:18
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
的用戶(hù)和市場(chǎng)推出超過(guò)300款“成功產(chǎn)品組合”。2022年11月，瑞薩宣布建立統(tǒng)一的全球銷(xiāo)售和市場(chǎng)組織，將來(lái)自其汽車(chē)電子解決方案事業(yè)本部（ABU）和物聯(lián)網(wǎng)及基礎(chǔ)設(shè)施事業(yè)本部（IIBU）的團(tuán)隊(duì)合并，以加快
2023-03-02 14:29:51
瑞薩電子MPU中，4個(gè)獨(dú)立RAM頁(yè)可以跨頁(yè)檢索嗎？
2022-09-26 18:08:28
瑞薩電子MPU中，DRP相機(jī)圖像處理庫(kù)如何應(yīng)對(duì)色差？
2022-09-26 18:06:44
瑞薩電子與3db Access合作推出安全超寬帶解決方案
2021-02-05 07:05:13
下一代無(wú)線(xiàn)電（5G NR）的高性能RF計(jì)時(shí)解決方案，該解決方案將瑞薩支持IEEE1588的系統(tǒng)同步器作為DFE ZCU670評(píng)估套件的一部分。瑞薩電子射頻通信、工業(yè)與通信事業(yè)部副總裁Naveen
2023-02-21 11:18:19
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布，將與AMD合作展示面向5G有源天線(xiàn)系統(tǒng)（AAS）無(wú)線(xiàn)電的完整RF前端解決方案。全新RF前端與經(jīng)實(shí)地驗(yàn)證的AMD Zynq^?^ UltraScale+
2023-02-21 13:49:33
瑞薩電子智能家居解決方案
2015-01-21 18:28:13
瑞薩電子（又稱(chēng)：Renesas注1)高壓MOS在客戶(hù)電源等產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)該注意哪些事項(xiàng)？具體該怎么操作？
2019-08-19 06:47:04
移動(dòng)電話(huà)、汽車(chē)電子、電腦/影視以及家電等各種領(lǐng)域中的需求。從低端的4位、8位產(chǎn)品到高端的16位、32位產(chǎn)品中，都有瑞薩科技的身影。并且，瑞薩科技還將在面向下一代市場(chǎng)的開(kāi)發(fā)方面繼續(xù)加大投入力度，展開(kāi)以
2012-08-08 19:59:58
瑞薩電子推出了適用于空間受限、能源敏感的物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 端點(diǎn)應(yīng)用的新型微控制器 (MCU)，包括可穿戴設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、電器和工業(yè)自動(dòng)化。新的 RA2E2 MCU 組基于最新的 Arm
2021-11-11 08:18:16
瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲(chǔ)器MCU作者：時(shí)間：2009-04-21來(lái)源：電子產(chǎn)品世界字號(hào)： 小 中 大關(guān)鍵詞： 瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH 瑞薩
2022-01-26 06:01:47
跪求瑞薩R5F71253D50FA芯片的中文資料！謝謝了！
2015-12-05 08:03:46
瑞薩電子集團(tuán)今日宣布，與RISC-V架構(gòu)嵌入式CPU內(nèi)核及相關(guān)SoC開(kāi)發(fā)環(huán)境的領(lǐng)先供應(yīng)商——Andes Technology啟動(dòng)技術(shù)IP合作。瑞薩選擇AndesCoreTM32位RISC-V CPU
2020-10-13 16:33:01
瑞薩MCU的數(shù)據(jù)手冊(cè)，很實(shí)用的
2015-08-07 18:42:43
confirm the signal of the CLOCK or RESET,WAIT and so on.(E1200416),查了半天，沒(méi)看出那里有問(wèn)題，WIN8系統(tǒng)，使用的是瑞薩提供的Emulator的仿真下載板。。。。。有圖
2019-04-30 06:36:14
技術(shù)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)課題的“答案”期待“功能模塊”長(zhǎng)期以來(lái)，瑞薩對(duì)于IGBT和MOSFET等功率器件以及模擬數(shù)字IC、光電耦合器、驅(qū)動(dòng)器IC等產(chǎn)品推出了低端到高端的各類(lèi)控制用MCU，而瑞薩提案把電力電子技術(shù)電路
2012-12-06 16:15:17
瑞薩解決方案之LCD直接驅(qū)動(dòng)瑞薩車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng)解決方案瑞薩解決方案之洗衣機(jī)方案瑞薩解決方案之洗衣機(jī) (740系列, R8C Tiny, H8 Tiny)瑞薩電子智能家居解決方案【視頻】瑞薩純數(shù)字照明
2015-01-30 18:27:24
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)今日宣布推出15款第二代新型多相數(shù)字控制器和6款SPS，可支持10A至1000A以上的負(fù)載電流，適用于先進(jìn)的CPU、FPGA、GPU和面向物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)
2020-11-26 06:17:51
隨著消費(fèi)電子行業(yè)向超移動(dòng)便攜式設(shè)計(jì)演進(jìn)，提高能效和延長(zhǎng)電池使用壽命已成為基本的設(shè)計(jì)要求。對(duì)于嵌入式開(kāi)發(fā)人員而言，未來(lái)的便攜式和電池供電器件要求每個(gè)部件都以超低功率運(yùn)行，特別是8位微控制器(MCU
2019-07-25 08:22:31
薩電子的R8C，RX和SuperH微控制器（MCU）。這些解決方案基于連接IO-n和n-Link的Redpine公司的信號(hào)，這可以很容易地設(shè)計(jì)新的系統(tǒng)和升級(jí)現(xiàn)有產(chǎn)品，滿(mǎn)足各種功率和吞吐量要求的同時(shí)提供
2013-06-27 09:53:44
IGBT3-T3，開(kāi)關(guān)損耗降低20%。損耗的降低有利于提高功率模塊的效率。然而，只降低損耗還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。器件本身的開(kāi)關(guān)特性也是一個(gè)重要因素。全新的IGBT針對(duì)應(yīng)用要求進(jìn)行了優(yōu)化。IGBT4-T4擁有比低功率
2018-12-03 13:49:12
[/url]產(chǎn)品特性瑞薩電子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特點(diǎn)：1、784KB 片上RAM， 可支持2048節(jié)點(diǎn)的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低帶外噪聲3、支持完整的EAP
2019-04-11 17:15:41
領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）今日宣布推出三款可編程電源管理IC---ISL91302B、ISL91301A和ISL91301B，可為智能手機(jī)和平板電腦應(yīng)用處理器提供最高
2018-10-23 16:14:35
Stackpole Electronics公司新推PCMC系列功率扼流圈感應(yīng)器，具有高電流飽和度及工作頻率，同時(shí)具有低損耗和小尺寸，采用帶有屏蔽的表面貼裝封裝?！ ≡摦a(chǎn)品的尺寸為7.3
2018-11-19 16:52:07
近日，山特電子（深圳）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)山特）宣布，將推出新一代城堡EX系列
2010-04-27 16:25:36
引言
很高興能有機(jī)會(huì)參加【瑞薩RA MCU創(chuàng)意氛圍賽】，在以前學(xué)習(xí)stm32的時(shí)候，就是野火的開(kāi)發(fā)板、文檔以及視頻帶我入門(mén)的?，F(xiàn)在有空體驗(yàn)一下野火的產(chǎn)品——瑞薩系統(tǒng)的 啟明4M2 ，主控
2023-05-21 17:02:36
瑞薩MCU的愛(ài)好者積極參與！報(bào)名入口：https://bbs.elecfans.com/jishu_464761_1_1.html以下是本次活動(dòng)的相關(guān)說(shuō)明：1） 活動(dòng)形式： 聚餐 + 技術(shù)/行業(yè) 交流
2015-01-09 11:05:12
，希望廣大瑞薩MCU的愛(ài)好者積極參與，以下是本次活動(dòng)的相關(guān)說(shuō)明：1） 活動(dòng)形式： 聚餐 + 技術(shù)/行業(yè) 交流 ；2） 活動(dòng)費(fèi)用： AA制，先預(yù)付 ￥50RBM，方便確定人數(shù)(以實(shí)際花銷(xiāo)均攤，多退少補(bǔ)
2015-01-07 00:35:26
`[/url]產(chǎn)品特性瑞薩電子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特點(diǎn)：1、784KB 片上RAM， 可支持2048節(jié)點(diǎn)的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低帶外噪聲3、支持完整的EAP
2019-04-14 16:11:45
32位RA系列MCU簡(jiǎn)介資料！瑞薩電子RA系列是基于ARM?Cortex?-M核心架構(gòu)構(gòu)建的新的32位MCU系列，瑞薩電子RA系列具有廣泛的性能和功能，可滿(mǎn)足幾乎所有嵌入式產(chǎn)品的可擴(kuò)展性，功耗和性能需求
2020-09-02 19:02:21
產(chǎn)品特性瑞薩電子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特點(diǎn)：1、784KB 片上RAM， 可支持2048節(jié)點(diǎn)的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低帶外噪聲3、支持完整的EAP/ADP
2019-04-22 14:07:14
電源需要降低功耗，因此對(duì)高效率開(kāi)關(guān)器件的需求也在增長(zhǎng)。這催生了對(duì)于PFC電路中低損耗開(kāi)關(guān)器件和更高開(kāi)關(guān)頻率的需求。東芝在其新款IGBT中引入了最新的工藝。優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu)確保了行業(yè)領(lǐng)先的0.35mJ
2023-03-09 16:39:58
Molex推出下一代高性能超低功率存儲(chǔ)器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開(kāi)關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書(shū)的規(guī)格值，對(duì)1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
請(qǐng)教大俠們 瑞薩的集成LO芯片8V97051，8V97051 L,8V97051 A
這三款有沒(méi)有區(qū)別？？
2023-10-30 12:36:41
，與使用快速恢復(fù)二極管（FRD）的IGBT相比，可以 顯著降低損耗 。該系列產(chǎn)品非常適用于電氣化車(chē)輛（xEV）中的車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能發(fā)電用的功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)逆變器等處理大功率的汽車(chē)
2022-07-27 10:27:04
咨詢(xún)下搞瑞薩單片機(jī)的高手,瑞薩H8/3062的單片機(jī)如何讀取芯片內(nèi)部程序啊?能讀出來(lái)嗎
2017-03-23 22:40:05
已成為工業(yè)自動(dòng)化的支撐技術(shù)之一。本文以瑞薩電子 32位變頻用MCU V850E/IX3 UPD70F3454為例，闡述其在交流伺服系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2019-07-09 07:08:43
、降低噪音、解放人力并最大限度地節(jié)能，瑞薩電子（本文涉及產(chǎn)品主要為瑞薩電子原NEC部分）推出了一系列變頻控制專(zhuān)用的8位MCU。本文主要介紹了8位MCU――uPD78F0712的主要特點(diǎn)及基于該產(chǎn)品的變頻抽油煙機(jī)解決方案。
2019-07-19 07:40:34
員還能夠訪問(wèn)完整的Arm生態(tài)系統(tǒng)以及瑞薩的廣泛合作伙伴網(wǎng)絡(luò)，獲得各種工具，幫助加快產(chǎn)品上市速度。如果掌握了其中奧秘，設(shè)計(jì)會(huì)得心應(yīng)手。需要看看探究。開(kāi)發(fā)需要FreeRTOS的基礎(chǔ)。新建幾個(gè)task
2023-03-22 19:31:29
來(lái)源：瑞薩電子全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723）今日宣布，基于瑞薩獨(dú)有的SOTB?（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋層覆硅）制程工藝
2020-10-22 16:47:48
的導(dǎo)通能量損耗，并在電力電子學(xué)的典型模式下擴(kuò)大開(kāi)關(guān)元件的安全工作區(qū)域。使用硅IGBT可以?xún)?yōu)化器件的成本。這種減少損耗功率的頻率相關(guān)分量的要求突出了改善IGBT頻率特性的必要性，因?yàn)檎沁@種元件限制了
2023-02-22 16:53:33
簡(jiǎn)要的敘述分析，幫助工程師們更有效的實(shí)現(xiàn)低損耗高功率的電源設(shè)計(jì)?！ ∈紫任覀?b class="flag-6" style="color: red">以通信領(lǐng)域的應(yīng)用作為切入點(diǎn)，具體看一下大功率高密度電源在近幾年快速占據(jù)市場(chǎng)的原因。在我國(guó)的通信設(shè)備設(shè)計(jì)研發(fā)領(lǐng)域，一直以來(lái)都以
2016-01-25 11:29:20
本帖最后由 CODACA科達(dá)嘉電感 于 2022-3-9 15:40 編輯
產(chǎn)品特性科達(dá)嘉電子推出可在+150℃高溫下連續(xù)工作的新款大電流功率電感CPAG2222系列。大電流功率電感
2022-03-07 15:31:00
。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。全SiC功率模塊的結(jié)構(gòu)現(xiàn)在正在量產(chǎn)的全SiC功率模塊有幾種類(lèi)型，有可僅以1個(gè)模塊組成半橋電路的2in1型，也有可僅以1個(gè)模塊組成升壓電路的斬波型。有以
2018-12-04 10:14:32
、優(yōu)化元胞間距、空穴阻擋層技術(shù)等，都能提高IGBT近表面的載流子濃度，進(jìn)一步提升IGBT的性能。圖 6 不同技術(shù)IGBT的折衷曲線(xiàn)對(duì)比各IGBT生產(chǎn)商，采用了以上介紹的一種或多種技術(shù)，推出了多個(gè)系列的IGBT，并根據(jù)技術(shù)特點(diǎn)，對(duì)IGBT進(jìn)行“代”的劃分，但這僅是公司行為，國(guó)際上并無(wú)統(tǒng)一的劃分標(biāo)準(zhǔn)。`
2015-12-24 18:13:54
怎么讀取瑞薩mcu的checksum？
2022-02-10 07:03:23
隨著功率電子和半導(dǎo)體技術(shù)的快速進(jìn)步，各類(lèi)電力電子應(yīng)用都開(kāi)始要求用專(zhuān)門(mén)、專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，以實(shí)現(xiàn)成本和性能的共贏。與傳統(tǒng)的非穿通（NPT） IGBT相比，場(chǎng)截止（FS） IGBT進(jìn)一步降低
2018-09-30 16:10:52
半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商?！ば律?b class="flag-6" style="color: red">瑞薩電子以強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力、設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)平臺(tái)、多種制造技術(shù)為基礎(chǔ)，以世界占有率NO.1的MCU為中心，提供系統(tǒng)LSI、模擬及功率半導(dǎo)體等頗具競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力的產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、PC
2020-05-28 09:28:17
電磁感應(yīng)加熱的原理是什么？有什么方法可以將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低嗎？
2021-05-10 06:41:13
請(qǐng)教一下在瑞薩電子MPU中，視頻流如何轉(zhuǎn)成幀供識(shí)別的？
2022-09-26 18:07:34
M16C通常的指令需要多少個(gè)時(shí)鐘周期？請(qǐng)問(wèn)瑞薩16位R8C/TINY系列單片機(jī)抗干擾能力怎么樣？是怎樣保證的呢？ 請(qǐng)問(wèn)瑞薩16位R8C/TINY單片機(jī)的靜態(tài)功耗是多少？
2021-11-02 07:13:47
請(qǐng)問(wèn)一下在瑞薩電子MPU中DRP的運(yùn)行效率如何？有沒(méi)有哪位大神解答一下啊
2022-09-26 18:05:37
` 本帖最后由 yantel 于 2013-7-22 16:45 編輯
研通Yantel貼片式、低損耗、高功率、射頻特性優(yōu)越的3dB 90°電橋及定向耦合器產(chǎn)品3dB 90°電橋是射頻通信系統(tǒng)中
2013-05-30 09:03:02
、降低噪音、解放人力并最大限度地節(jié)能，瑞薩電子（本文涉及產(chǎn)品主要為瑞薩電子原NEC部分）推出了一系列變頻控制專(zhuān)用的8位MCU。本文主要介紹了8位MCU――uPD78F0712的主要特點(diǎn)及基于該產(chǎn)品的變頻抽油煙機(jī)解決方案。
2019-07-09 07:32:27
。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
公司發(fā)展，掌握國(guó)際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微產(chǎn)品包括二極管三極管、功率器件、電源管理芯片等集成電路三大系列，可以替換英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、富士、三菱、科銳cree等品牌的產(chǎn)品
2024-03-18 11:39:25
20世紀(jì)60年代末就提出了IGBT的構(gòu)想，但直到20世紀(jì)80年代中期才推出商用化的IGBT器件。第一代IGBT采用“穿通”（PT）工藝，開(kāi)關(guān)頻率可以達(dá)到15 kHz，但當(dāng)多個(gè)這樣的器件并聯(lián)時(shí)，集電極
2018-12-03 13:47:00
近年來(lái)，汽車(chē)行業(yè)和綠色能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展迅速推動(dòng)了電子元器件的進(jìn)步，其中高性能電容器的需求越來(lái)越高。在這個(gè)領(lǐng)域中，風(fēng)華高科推出的低損耗、高耐電壓1210C0G630~1000V系列車(chē)規(guī)電容器引起了廣泛
2023-06-09 10:30:42
HS3 IGBT適合高頻應(yīng)用 測(cè)量時(shí)使用50安培(A)額定集極電流的650V IGBT3、650V IGBT4及650V HS3 IGBT，透過(guò)測(cè)量切換損耗來(lái)決定芯片的電子效能。測(cè)量時(shí)，將每個(gè)芯片
2018-10-10 16:55:17
IGBT/FWD功率損耗模擬系統(tǒng) （英文，含第五代U系列IGBT）
2010-07-20 09:10:20
113 低損耗超柔射同軸電纜AMR系列
應(yīng)用環(huán)境
特性分析
2010-09-12 16:46:590 全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司已經(jīng)推出微波電纜組件，其中利用了Temp-Flex?空氣電介質(zhì)（air-dielectric）超低損耗（ultra-low-loss）柔性微波同軸電纜
2013-07-25 11:41:482769 電子資料論文：基于IGBT功率逆變器損耗準(zhǔn)建模方法
2016-07-06 15:14:4727 英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開(kāi)關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）“RC-E系列”（英文發(fā)布資料）。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管
2016-11-14 14:51:361390 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社汽車(chē)電子和機(jī)電系統(tǒng)公司開(kāi)發(fā)出了適用于毫米波段[1] 天線(xiàn)基板的“無(wú)鹵素超低傳輸損耗基板材料（型號(hào)∶R-5515）”，并計(jì)劃于2019年4月開(kāi)始量產(chǎn)。用熱固性樹(shù)脂實(shí)現(xiàn)毫米波段中的行業(yè)最高(※1)的低傳輸損耗[2]，為天線(xiàn)的高效率化、低損耗化、及降低基板的加工成本做出貢獻(xiàn)。
2018-01-29 20:14:3510745 
“超低損耗通信光纖預(yù)制棒及光纖”一條龍的目標(biāo)，是面向5G寬帶網(wǎng)絡(luò)、陸地干線(xiàn)、海洋通信等應(yīng)用領(lǐng)域，加快超低損耗光纖應(yīng)用推廣，推進(jìn)產(chǎn)品系列化開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，提高性能和可靠性，促進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)自動(dòng)化、智能化和網(wǎng)絡(luò)化升級(jí)。
2019-09-27 10:07:251572 
近日，羅杰斯公司正式推出超低損耗半固化片SpeedWave300P。隨著對(duì)5G毫米波、高分辨率77 GHz汽車(chē)?yán)走_(dá)、高可靠性以及高速數(shù)字設(shè)計(jì)等領(lǐng)域的高多層板靈活設(shè)計(jì)需求的與日俱增，SpeedWave
2020-10-11 10:03:312195 ROHM新開(kāi)發(fā)出四款可同時(shí)降低輻射噪聲和功率損耗、并在這兩方面均實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超高特性的IGBT IPM系列產(chǎn)品。
2021-04-20 15:14:47556 
除此之外，我們?cè)谠u(píng)估板上的效率評(píng)估結(jié)果，它被模擬為每個(gè)應(yīng)用程序的電路，以便讓您知道我們的設(shè)備在應(yīng)用電路中也有良好的性能。例如，下圖顯示了逆變電路中的部分評(píng)估結(jié)果。您可以看到瑞薩 IGBT 的良好性能，包括電路效率、作為產(chǎn)品的功率損耗和工作波形。
2022-05-05 09:42:381502 
MegaPhase的NextPhase?低損耗電纜致力于需求低損耗和三重屏蔽的通用型相互連接需求設(shè)計(jì)，最高頻率為40GHz。NextPhase?40GHz低損耗電纜使用包含ATE、陸基和空基電子
2022-11-01 13:52:43968 應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿(mǎn)足包括軌道車(chē)用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。
2022-11-06 21:14:51956 600V耐壓IGBT IPM：BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:21869 
消費(fèi)電子遇冷，磁性材料行業(yè)企業(yè)泛瑞新材適時(shí)調(diào)整產(chǎn)品布局，推出光伏用超低損耗磁粉芯，性能指標(biāo)處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先地位。 廣東泛瑞新材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“泛瑞新材”)前身是業(yè)界熟知的標(biāo)旗磁電，經(jīng)過(guò)這幾年的快速
2023-06-25 14:27:08217 森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355 
是它的低損耗特性。由于其特殊的構(gòu)造和材料選擇，低損耗同軸線(xiàn)纜能夠有效減少信號(hào)的損耗。相比于其他類(lèi)型的線(xiàn)纜，低損耗同軸線(xiàn)纜能夠在長(zhǎng)距離傳輸過(guò)程中保持信號(hào)的穩(wěn)定性和可靠性，極大地降低了信號(hào)傳輸中的能量損耗。 低損耗
2023-11-27 16:19:38244 IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗分別為開(kāi)通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《超低噪聲、高PSRR、快速、RF、1-A低損耗線(xiàn)性穩(wěn)壓器TPS796系列數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-29 16:40:550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《低輸出，可調(diào)，超低功率，100毫安低損耗線(xiàn)性調(diào)節(jié)器TPS76201-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-04 10:59:380
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