UCC27511和UCC27512單通道高速低側柵極驅動器件可有效驅動金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）電源開關.UCC27511和UCC27512采用的設計方案可最大程度減少擊穿電流，從而為電容負載提供較高的峰值拉/灌電流脈沖，同時提供軌到軌驅動能力以及超短的傳播延遲（典型值為13ns）。

UCC27511特有雙輸入設計，同一器件可靈活實現反相（IN-引腳）和非反相（IN +引腳）配置.IN +引腳和IN-引腳均可用于控制驅動器輸出的狀態。未使用的輸入引腳可用于啟用和禁用功能。出于安全考慮，輸入引腳上的內部上拉和下拉電阻器在輸入引腳處于懸空狀態時，確保 UCC27 511器件的輸入引腳閾值基于與TTL和COMS兼容的低電壓邏輯電路，此邏輯電路是固定的且與V _DD 電源電壓無關。高低閾值間的寬滯后提供了出色的抗擾度。

UCC27511和UCC27512提供4A拉電流，8A灌電流（非對稱驅動）峰值驅動電流能力。非對稱驅動中的強勁灌電流能力提升了抗寄生，米勒接通效應的能力.UCC27511器件還具有一個獨特的分離輸出配置，其中的柵極驅動電流通過OUTH引腳拉出，通過OUTL引腳灌入。這種獨特的引腳排列使得用戶能夠分別在OUTH和OUTL引腳上使用獨立的接通和關斷電阻，并且能輕松控制開關轉換率。

UCC27511和UCC27512具有4.5V至18V的寬V _DD 范圍，以及-40°C至140°C的寬溫度范圍.V _DD 引腳上的內部欠壓鎖定（UVLO）電路可在超出V _DD 運行范圍時使輸出保持低電平。此器件能夠在低壓（例如低于5V）下運行，并且擁有同類產品中較好的開關特性，因此非常適用于驅動諸如氮化鎵功率半導體器件等新上市的寬帶隙電源開關器件。