LMG1020 器件是一款單通道低側(cè)驅(qū)動器，設(shè)計用于在高速應(yīng)用中驅(qū)動 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET，包括 LiDAR、飛行時間、面部識別以及任何涉及低側(cè)驅(qū)動器的電源轉(zhuǎn)換器。LMG1020 的設(shè)計簡單性可實現(xiàn) 2.5 納秒的極快傳播延遲和 1 納秒的最小脈沖寬度。通過在柵極與 OUTH 和 OUTL 之間分別連接外部電阻器，可以獨立調(diào)節(jié)上拉和下拉邊緣的驅(qū)動強度。
*附件：lmg1020.pdf

該驅(qū)動器具有欠壓鎖定 （UVLO） 和過熱保護 （OTP） 功能，可在過載或故障情況下使用。

0.8mm × 1.2mm WCSP 封裝LMG1020可最大限度地降低柵極環(huán)路電感，并最大限度地提高高頻應(yīng)用中的功率密度。

特性

• 用于 GaN 和硅 FET 的低側(cè)超快速柵極驅(qū)動器
• 1 ns 最小輸入脈沖寬度
• 高達 60 MHz 的工作頻率
• 2.5 ns（典型值），4.5 ns（最大傳播延遲）
• 400 ps（典型值）上升和下降時間
• 7A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
• 5V 電源電壓
• UVLO 和過熱保護
• 0.8 mm × 1.2 mm WCSP 封裝

參數(shù)

方框圖

概述

LMG是一款專為驅(qū)動GaN FET和邏輯級MOSFET設(shè)計的低側(cè)柵極驅(qū)動器，適用于高速應(yīng)用，如LiDAR、飛行時間激光驅(qū)動器、面部識別等。其特點包括極低的傳播延遲（.ns典型值）、高速開關(guān)性能以及獨立的源極和漏極驅(qū)動能力。

. 主要特性

• ?超低傳播延遲?：典型值為.ns，最大值為.ns。
• ?高速開關(guān)?：上升和下降時間典型值為ps。
• ?高驅(qū)動能力?：峰值源電流A，峰值漏電流A。
• ?低電壓供電?：V單電源供電。
• ?保護功能?：欠壓鎖定（UVLO）和過溫保護（OTP）。
• ?小封裝?：采用.mm x .mm WCSP封裝，最小化柵極環(huán)路電感。

. 應(yīng)用領(lǐng)域

• LiDAR系統(tǒng)
• 飛行時間（ToF）激光驅(qū)動器
• 面部識別技術(shù)
• Class-E無線充電器
• VHF諧振功率轉(zhuǎn)換器
• GaN基同步整流器
• 增強現(xiàn)實（AR）設(shè)備

. 功能描述

. 輸入階段

• 采用兩個施密特觸發(fā)器輸入（IN+和IN-），減少噪聲敏感性。
• IN+和IN-信號通過AND門邏輯處理，確保輸入穩(wěn)定性。

. 輸出階段

• 提供OUTH（源極輸出）和OUTL（漏極輸出）兩個獨立輸出，允許用戶通過外部電阻獨立調(diào)整開通和關(guān)斷驅(qū)動強度。
• OUTL在欠壓條件下被拉低，防止意外電荷積累。

. 欠壓鎖定（UVLO）

• UVLO閾值設(shè)定在.V至.V之間，具有mV的遲滯，確保GaN功率器件在低RDS(ON)區(qū)域切換。

. 過溫保護（OTP）

• OTP觸發(fā)點約為°C，具有°C的遲滯，允許器件在結(jié)溫低于°C時重新啟動。

. 典型應(yīng)用

• 推薦使用至少Ω的電阻連接在OUTH和OUTL，以避免由于感性振鈴引起的電壓過應(yīng)力。
• 提供了詳細(xì)的布局指南，強調(diào)最小化柵極環(huán)路電感和正確接地的重要性。

. 布局與接地

• 推薦使用四層或更高層數(shù)的PCB板，以減小寄生電感。
• 柵極驅(qū)動電阻和電容器應(yīng)盡可能靠近LMG和GaN FET，以最小化環(huán)路電感。
• GND引腳應(yīng)連接到GaN FET的源極，并盡可能接近LMG，以減少地彈噪聲。

. 電源推薦

• 必須在VDD和GND引腳之間連接低ESR/ESL陶瓷電容器，以支持FET開通時的高峰值電流。
• 推薦使用.μF的或穿通式電容器（最靠近LMG）和μF的電容器組合。

. 文檔與支持

• 提供了相關(guān)的技術(shù)文檔、應(yīng)用指南和PSpice模型。
• 可以通過TI的EE支持論壇獲取快速的設(shè)計幫助和驗證答案。