UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側柵極驅動器器件,能夠有效驅動 MOSFET 和 IGBT 電源開關。UCC2752x 采用一種從本質上就將擊穿電流降至最低的設計,可向容性負載提供高達 5A 拉電流和 5A 灌電流的高峰值電流脈沖,同時具有軌到軌驅動能力和極小的傳播延遲(通常為 13ns)。此外,驅動器具有兩個通道之間的匹配內部傳播延遲。這些 delay 非常適合需要具有關鍵時序的雙柵極驅動的 應用,例如 synchronous rectifier。這還允許將兩個通道并聯,以有效地提高電流驅動能力,或用一個輸入信號驅動兩個并聯的開關。輸入引腳閾值基于 TTL 和 CMOS 兼容的低電壓邏輯,該邏輯是固定的,獨立于 VDD 電源電壓。高閾值和低閾值之間的寬滯后提供了出色的抗噪性。
*附件:ucc27526.pdf
UCC2752x 系列提供三個標準邏輯選項的組合 — 雙反相、雙同相、一個反相和一個同相驅動器。UCC27526 采用雙輸入設計,可為每個通道提供靈活的反相 (IN– 引腳) 和非反相 (IN+ 引腳) 配置。IN+ 或 IN– 引腳控制驅動器輸出的狀態。未使用的 input 引腳用于 enable 和 disable 功能。為安全起見,UCC2752x 系列中所有器件的輸入引腳上的內部上拉和下拉電阻器可確保在輸入引腳處于浮動狀態時,輸出保持為低電平。UCC27523 和 UCC27525 器件具有使能引腳(ENA 和 ENB),可以更好地控制驅動程序應用程序的運行。引腳在內部上拉至 VDD 以實現高電平有效邏輯,并保持開放狀態以進行標準作。
UCC2752x 系列器件采用 SOIC-8 (D)、帶外露焊盤 (DGN) 的 MSOP-8 封裝和帶外露焊盤 (DSD) 的 3mm × 3mm WSON-8 封裝。UCC27526僅提供 3mm × 3mm WSON (DSD) 封裝。
特性
- 行業標準引腳布局
- 兩個獨立的柵極驅動通道
- 5A 峰值拉電流和灌電流驅動電流
- 每個輸出的獨立啟用功能
- TTL 和 CMOS 兼容邏輯閾值,與電源電壓無關
- 具有高抗噪能力的遲滯邏輯閾值
- 輸入和使能引腳電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓的限制
- 4.5V 至 18V 單電源范圍
- 在 VDD-UVLO 期間,輸出保持低電平(確保在上電和斷電時無毛刺運行)
- 快速傳播延遲 (典型值為 13ns)
- 快速上升和下降時間(典型值為 7ns 和 6ns)
- 兩個通道之間的 1ns 典型延遲匹配
- 兩個輸出并聯,以實現更高的驅動電流
- 當輸入懸空時,輸出保持低電平
- PDIP (8)、SOIC (8)、MSOP (8) PowerPAD? 和 3mm × 3mm WSON-8 封裝選項
- 工作溫度范圍為 –40°C 至 140°C
參數
方框圖
一、產品概述
- ?型號?:UCC
- ?類型?:雙通道、高速、低側柵極驅動器
- ?特點?:
- 雙獨立柵極驅動通道
- A峰值源和沉驅動電流
- 獨立使能功能
- TTL和CMOS兼容邏輯閾值
- 寬VDD工作范圍:.V至V
- 輸出在VDD欠壓鎖定(UVLO)期間保持低電平
- 低傳播延遲:典型值3ns
- 通道間ns典型延遲匹配
二、應用領域
三、引腳配置與功能
- ?ENA/ENB?:使能輸入,高電平使能對應通道輸出,低電平禁用輸出,允許懸空。
- ?INA/INB?:輸入A/B,用于控制對應通道的輸出狀態。
- ?GND?:地,所有信號參考此引腳。
- ?OUTA/OUTB?:輸出A/B,提供柵極驅動電流。
- ?VDD?:偏置供電輸入。
- ? INA+/INB+ ?、? INA-/INB- ?(UCC特有):提供反相和非反相輸入配置選項,未使用的輸入引腳可作為使能功能。
四、電氣特性
- ?VDD工作范圍?:.V至V
- ?輸入閾值?:
- VIN_H(輸入高閾值):典型值2.1V
- VIN_L(輸入低閾值):典型值1.2V
- 輸入滯回:典型值0.9V
- ?輸出特性?:
- 峰值源/沉電流:A
- 高電平輸出電壓(VOH):I OUT = -0 mA時,0.5V至.V(VDD=V時)
- 低電平輸出電壓(VOL):I OUT = mA時,.1V至.5V(VDD=2V時)
- ?傳播延遲?:
- 輸入到輸出延遲:典型值3ns(VDD=2V,C LOAD = .nF)
- 使能到輸出延遲:典型值3ns(VDD=2V,C LOAD = .nF)
五、保護功能
- ?UVLO?:欠壓鎖定功能,當VDD電壓低于UVLO閾值時,輸出被拉低。
六、設備功能模式
- ?反相/非反相模式?:通過選擇輸入引腳(IN-或IN+)來配置通道的輸出邏輯。
- ?使能功能?:通過使能引腳(ENA/ENB)或未使用的輸入引腳(IN+/IN-)來控制通道的輸出狀態。
七、典型應用
- 提供了典型應用電路圖,展示了如何使用UCC6驅動功率MOSFET。
- 詳細描述了設計要求和設計過程,包括輸入輸出邏輯配置、VDD偏置供電電壓、峰值源和沉電流、傳播延遲、使能功能等考慮因素。
八、布局指南
- 推薦將驅動器盡可能靠近功率MOSFET放置,以最小化柵極驅動回路的電感。
- 推薦在VDD和GND之間放置低ESR/ESL陶瓷電容器,以支持FET開通時的高峰值電流。
- 提供了布局示例和功率耗散考慮因素。
九、文檔與支持
- 提供了相關技術文檔、工具、軟件和社區資源的鏈接。
- 提供了靜電放電警示和術語表。
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