SuperFET?IIIMOSFET是安森美半導(dǎo)體全新的高壓超結(jié)（SJ）MOSFET系列，利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極充電性能。這種先進(jìn)技術(shù)專為最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能和承受極高的dv / dt速率而量身定制。因此，SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電源系統(tǒng)。 700 V @ TJ = 150°C 典型值。 RDS（on）=105mΩ 超低柵極電荷（典型值Qg = 46 nC） 低效輸出電容（典型值Coss（eff。）= 439 pF）< / li> 100％雪崩測試 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)