### 產品簡介

**B15S60L-VB** 是一款采用 TO263 封裝的單級 N 溝道 MOSFET。該器件使用 SJ_Multi-EPI 技術，提供高耐壓和適中的導通電阻，適合中高電壓和中電流的應用。

### 參數說明

- **封裝**：TO263
- **配置**：單級 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：300mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**：15A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊示例

1. **電力轉換器**：B15S60L-VB 的高漏源電壓特性使其適用于高電壓電力轉換器，能在高電壓條件下穩定工作，適合用于電源管理和電力轉換應用。

2. **開關電源**：在開關電源模塊中，適合用作高電壓開關，能夠處理較高電壓和電流，同時提供穩定的電流控制。

3. **電動汽車**：該 MOSFET 可用于電動汽車的電池管理系統和電機驅動模塊，處理高電壓和中電流負載，提高系統的效率和安全性。

4. **工業控制**：在工業控制系統中，該 MOSFET 可以作為開關組件，用于高電壓控制電路，提升系統的可靠性和性能。