### 產品簡介
B25S65L-VB 是一款高電壓、高功率單級N溝道 MOSFET，封裝形式為 TO263。采用 SJ_Multi-EPI 技術，專為處理高電壓應用而設計，具有穩定的性能和高可靠性，適合用于高壓開關和功率控制系統。

### 詳細參數說明
- **型號**: B25S65L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單級N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊
B25S65L-VB 適用于以下領域和模塊：

1. **高壓電源開關**：用于高電壓電源系統中，實現高效的開關控制和功率管理。
2. **工業電源**：在工業設備的高電壓開關和電源控制模塊中，確保穩定可靠的性能。
3. **電動汽車**：處理電動汽車中的高電壓功率轉換和電池管理系統，提供高效的開關解決方案。
4. **電力轉換器**：在高電壓 DC-DC 轉換器中作為開關元件，提升電力轉換效率并保持系統穩定。