### 產品簡介

**B15S65-VB** 是一款單極N溝道MOSFET，封裝形式為TO263。采用SJ_Multi-EPI技術，具有高耐壓和適中的導通電阻。此MOSFET特別適合用于高電壓應用中，如電力轉換和開關電源，能在高電壓環境下提供可靠的性能和穩定性。

### 參數說明

- **型號**：B15S65-VB
- **封裝**：TO263
- **配置**：單極N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：300mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**：15A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊

**B15S65-VB** MOSFET 在以下領域和模塊中表現優異：

1. **高壓開關電源**：其高耐壓能力使其適合用于高壓開關電源中，能夠處理高電壓負載，并提供穩定可靠的開關性能。
2. **逆變器**：適用于逆變器應用，能夠在高電壓條件下穩定工作，確保電力轉換的高效性和可靠性。
3. **工業電源管理**：在工業電源管理系統中，B15S65-VB 可用于高電壓負載開關和電源調節，提升系統的整體性能和穩定性.
4. **太陽能逆變器**：在太陽能逆變器中，此MOSFET 能承受高電壓并提供高效能，適合用于太陽能發電系統中的電源轉換和管理。
5. **高電壓電機驅動**：適合用于高電壓電機驅動系統中，能提供穩定的開關操作并確保電機的高效運行。