### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**B20NM50-VB** 是一款單極N溝道MOSFET，封裝形式為TO263。該器件采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，具備高耐壓和相對(duì)較低的導(dǎo)通電阻，適合高電壓和高功率應(yīng)用。這款MOSFET提供可靠的高電壓開(kāi)關(guān)性能，適用于各種電力電子和能源管理系統(tǒng)。
### 參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**：B20NM50-VB
- **封裝**：TO263
- **配置**：?jiǎn)螛ON溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**：20A
- **技術(shù)**：SJ_Multi-EPI
### 適用領(lǐng)域和模塊
**B20NM50-VB** MOSFET 在以下領(lǐng)域和模塊中表現(xiàn)優(yōu)異：
1. **高壓開(kāi)關(guān)電源**：適合用于高壓開(kāi)關(guān)電源中，能夠處理高電壓負(fù)載，同時(shí)保持較低的導(dǎo)通電阻，提升電源效率和穩(wěn)定性。
2. **逆變器**：在逆變器應(yīng)用中，這款MOSFET 能夠承受高電壓，提供穩(wěn)定的電力轉(zhuǎn)換性能，適用于太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器。
3. **工業(yè)電源管理**：用于高電壓電源管理系統(tǒng)，能夠在高電壓環(huán)境下提供可靠的開(kāi)關(guān)功能，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能。
4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**：在高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，B20NM50-VB 可以提供有效的電力開(kāi)關(guān)管理，支持高電壓下的電機(jī)高效運(yùn)行。
5. **電力轉(zhuǎn)換設(shè)備**：適用于各種高功率電力轉(zhuǎn)換設(shè)備，能處理高電壓負(fù)載，保證設(shè)備的可靠性和高效性。