### 產品簡介

**B20NM60D-VB** 是一款高耐壓單N溝道 MOSFET，封裝形式為 TO263。該 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術，適合高電壓和中等電流的開關應用。它具備較高的漏源電壓和較大的柵源電壓范圍，適用于各種高壓電源管理和功率轉換模塊。

### 詳細參數說明

- **型號**: B20NM60D-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (V_DS)**: 650V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±30V
- **柵源閾值電壓 (V_th)**: 3.5V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**:
 - 10V 柵源電壓下: 300mΩ
- **最大漏電流 (I_D)**: 15A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊

**B20NM60D-VB** 適用于以下領域和模塊：

1. **高壓開關電源**:
  - 用于高壓電源的開關控制，支持650V高耐壓，確保電源的高效穩定運行。
2. **電動汽車 (EV)**:
  - 在電動汽車的高壓電池管理系統中提供高耐壓開關功能，提升系統的安全性和可靠性。
3. **工業電源管理**:
  - 適合工業設備中的高壓電源模塊，處理高電壓和中等電流的開關需求。
4. **功率轉換器**:
  - 在功率轉換器中作為開關元件，適合高電壓應用，提供可靠的電流控制。

這些應用場景展示了 B20NM60D-VB 在高電壓和高功率應用中的重要作用。