### 產品簡介

**型號**: B21NM50N-VB  
**封裝**: TO263  
**配置**: 單極性N溝道MOSFET  
**耐壓**: 650V  
**門源電壓**: ±30V  
**閾值電壓**: 3.5V  
**導通電阻**: 160mΩ @ V_GS = 10V  
**最大漏電流**: 20A  
**技術**: SJ_Multi-EPI

### 詳細參數說明

- **型號**: B21NM50N-VB  
- **封裝類型**: TO263  
- **配置**: 單N溝道MOSFET  
- **漏極-源極耐壓 (V_DS)**: 650V  
- **柵極-源極最大電壓 (V_GS)**: ±30V  
- **閾值電壓 (V_th)**: 3.5V  
- **導通電阻 (R_DS(ON))**: 160mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏電流 (I_D)**: 20A  
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域與模塊示例

1. **高壓開關電源**  
  B21NM50N-VB 的高耐壓能力和穩定性使其適用于高壓開關電源中，用于處理高電壓和高功率，提供高效的電源轉換和保護。

2. **逆變器**  
  由于其高耐壓和適中的導通電阻，該MOSFET 可用于逆變器中，幫助將直流電轉換為交流電，廣泛應用于太陽能逆變器和工業逆變器。

3. **功率控制系統**  
  在各種功率控制系統中，如電機驅動和工業設備，B21NM50N-VB 的高電壓承受能力能夠提供可靠的開關功能和穩定的功率控制。

4. **焊接設備**  
  該MOSFET 的高耐壓和功率處理能力使其適合用于焊接設備中的開關元件，確保高電壓操作時的穩定性和安全性。