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英飛凌推出高功率密度和高可靠性的汽車級品質功率模塊

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模塊如何實現盡可能高的功率密度

的高效率、高功率密度高可靠性的挑戰需要通過持續的模塊改進來支持。阻斷電壓為 1700V 和 3300V 的全 SiC MOSFET 模塊已從研究階段成功開發到量產,并滿足最高的牽引質量、可靠性和性能標準。 封裝和芯片移位 近年來,下一代高功率
2023-10-24 16:11:30383

提高4.5kV IGBT模塊功率密度

提高4.5kV IGBT模塊功率密度
2023-11-23 15:53:38281

功率半導體冷知識:功率器件的功率密度

功率半導體冷知識:功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45266

功率設備提升功率密度的方法

在電力電子系統的設計和優化中,功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關系到設備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277

英飛凌推出密度功率模塊,為AI數據中心降本增效

隨著人工智能(AI)技術的飛速發展,全球數據生成量呈現出爆炸式增長,進而推動了芯片對能源需求的急劇上升。在這一背景下,英飛凌科技近日宣布推出TDM2254xD系列雙相功率模塊,旨在為AI數據中心提供卓越的功率密度、質量和總體成本(TCO)優化方案。
2024-03-12 09:58:24227

英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V,在不影響系統可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574

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