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摘要:采用VHF-PECVD技術(shù)制備了不同功率系列的微晶硅薄膜和電池,測(cè)試結(jié)果表明:制備的適用于微晶硅電池的有源層材料的暗電導(dǎo)和光敏性都在電池要求的參數(shù)范圍內(nèi).低功率或高功率條件下,電池從n和p方向的喇曼測(cè)試結(jié)果是不同的,在晶化率方面材料和電池也有很大的差別,把相應(yīng)的材料應(yīng)用于電池上時(shí),這一點(diǎn)很重要.采用VHF-PECVD技術(shù)制備的微晶硅電池效率為5%,Voc=0.45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0.253cm2
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關(guān)鍵詞:甚高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積;微晶硅薄膜;微晶硅電池
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關(guān)鍵詞:甚高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積;微晶硅薄膜;微晶硅電池
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