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GaN基功率器件憑借其高電子漂移速度和遷移率、高耐壓特性與熱穩(wěn)定性、低導(dǎo)通電阻和開啟電壓等優(yōu)異特性被廣泛應(yīng)用在低 壓級消費(fèi)電子領(lǐng)域、中壓級的汽車電子領(lǐng)域和高壓級的工業(yè)電機(jī)領(lǐng)域中。其中，肖特基勢壘二極管（SBD）是功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中 的核心組件之一，而實(shí)現(xiàn)具有低開啟電壓和超高耐壓的GaN基SBD是目前所追求的主要目標(biāo)。為此，依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD 仿真平臺，我司技術(shù)團(tuán)隊(duì)自主設(shè)計(jì)并成功制備了一種新型的GaN基SBD，實(shí)現(xiàn)器件性能的大幅改善。
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