GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開(kāi)關(guān)速度，更高的功率密度和效率之類(lèi)的能力而在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器時(shí)變得越來(lái)越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個(gè)缺點(diǎn)是電流損耗會(huì)導(dǎo)致電流崩潰。器件關(guān)閉和熱電子
2021-03-22 12:42:23
8435 
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強(qiáng)模式開(kāi)發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 （MIS） 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動(dòng)的低柵極漏電流，以及柵極注入晶體管 （GIT
2022-07-25 08:05:312595 
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開(kāi)關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們?cè)谶@里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動(dòng)機(jī)應(yīng)用的功率和逆變器階段提供的優(yōu)勢(shì)。
2022-07-27 14:03:561602 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:212799 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 `Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2021-01-07 10:08:51
GaN功率轉(zhuǎn)換器件的文件，但它僅建立了測(cè)試這些器件的開(kāi)關(guān)可靠性的方法。 硅MOSFET與氮化鎵HEMT的開(kāi)關(guān)特性。圖片由富士通提供克萊斯勒，福特和通用汽車(chē)在1990年代成立了汽車(chē)電子協(xié)會(huì)（AEC），以
2020-09-23 10:46:20
電機(jī)設(shè)計(jì)中對(duì)于GaN HEMT的使用GaN HEMT的電氣特性使得工程師們選擇它來(lái)設(shè)計(jì)更加緊湊、承受高壓和高頻的電動(dòng)機(jī)，綜上所述這類(lèi)器件有如下優(yōu)點(diǎn)：較高的擊穿電壓，允許使用更高（大于1000V
2019-07-16 00:27:49
。每個(gè)階段都會(huì)對(duì)效率產(chǎn)生影響。這里，通過(guò)實(shí)現(xiàn)不同的電路拓?fù)浜洼^少的階段來(lái)提高電力系統(tǒng)的效率。圖2顯示了這個(gè)問(wèn)題的解決方案。PFC級(jí)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)隨著可以在更高電壓和更高速度下工作的GaN晶體管而改變。較高
2017-05-03 10:41:53
以及Class D半橋逆變測(cè)試，配套測(cè)試設(shè)備可實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)的效率監(jiān)測(cè)以及GaN器件的溫度監(jiān)測(cè)。測(cè)試平臺(tái)的電路原理圖如圖2所示，對(duì)應(yīng)系統(tǒng)的實(shí)物圖如圖3所示，該測(cè)試平臺(tái)的驅(qū)動(dòng)IC為Si8274，利用驅(qū)動(dòng)IC
2023-06-25 15:59:21
進(jìn)展[1~ 3] ，在國(guó)外工作于綠光到紫光可見(jiàn)光區(qū)內(nèi)的GaN LED 早已實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化[2]；國(guó)內(nèi)多家單位成功制作了藍(lán)色發(fā)光二極管，并初步實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化[3]。而眾多的研究[4~ 14] 表明，GaN
2019-06-25 07:41:00
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
`Wolfspeed的CGHV96100F2是在碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 與其他技術(shù)相比，這種GaN內(nèi)部匹配（IM）FET具有出色的功率附加效率
2021-01-07 09:56:31
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
安路 SALEAGLE? （以下簡(jiǎn)稱(chēng) AL3）系列 FPGA 有 5 個(gè)器件，定位低成本、低功耗可編程市場(chǎng)。AL3 器件旨在用于大批量，成本敏感的應(yīng)用，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)師在降低成本的同時(shí)又能夠滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)
2022-10-27 07:58:23
塊中包括了雙向的I/O緩沖以及一些可編程的I/O特性功能，如施密特觸發(fā)、上拉電阻和各種電平標(biāo)準(zhǔn)。I/O塊的左右兩側(cè)各有2個(gè)GCLK管腳可用作全局時(shí)鐘輸入，這4個(gè)管腳輸入的信號(hào)在器件內(nèi)部具有低延時(shí)、高
2015-01-27 11:43:10
LTC2217手冊(cè)上寫(xiě)的，模擬輸入范圍(AIN+減去AIN-)為2.75Vpp，正常的差分輸入AIN+減去AIN-是有負(fù)值的，請(qǐng)問(wèn)該器件AIN+減去AIN-為2.75Vpp到底是什么意思？
2023-12-05 06:27:56
`住友電工的GaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供了更高的增益。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是高電壓的低電流和寬帶應(yīng)用。高壓操作
2021-03-30 11:37:49
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無(wú)與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內(nèi)運(yùn)行。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2021-08-04 11:50:58
和 AlGaN。AlGaN 材料對(duì)于紫外 (UV) 發(fā)射器和高電子遷移率晶體管 (HEMT) 結(jié)構(gòu)很重要，因此已經(jīng)在整個(gè) Al 成分范圍內(nèi)研究了 AlGaN 光學(xué)特性。InGaN材料（In含量< 50
2021-07-08 13:08:32
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
介微波陶瓷主要是以AL2O3和AIN的應(yīng)用，低介微波陶瓷基覆銅板用絕緣散熱材料的理想性能是既要導(dǎo)熱性能好，散熱好，還要在高頻微波作用下產(chǎn)生損耗盡量小。BeO陶瓷是目前陶瓷基覆銅板中絕緣散熱的絕佳材料
2017-09-19 16:32:06
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:22 編輯
我現(xiàn)在 要使用AIN0-AIN3 做普通的ADC使用，而不是用作觸屏ADC使用，修改drivers\staging\iio
2018-06-21 03:49:53
、磁性等或具有高強(qiáng)、高韌，高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、高熱導(dǎo)、絕熱或良好生物相容性等優(yōu)異性能。氧化鋁（Al2O3）陶瓷綜合性能較好，目前應(yīng)用最成熟。氧化鋁（Al2O3）陶瓷原料豐富、價(jià)格低，強(qiáng)度、硬度高
2021-03-29 11:42:24
諸多應(yīng)用難點(diǎn)，極高的開(kāi)關(guān)速度容易引發(fā)振蕩，過(guò)電流和過(guò)電壓導(dǎo)致器件在高電壓場(chǎng)合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開(kāi)通門(mén)限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET，在橋式拓?fù)涞膽?yīng)用中容易發(fā)生誤
2023-09-18 07:27:50
在過(guò)去的十多年里，行業(yè)專(zhuān)家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，這在我的版本（ADS 2013）中沒(méi)有。請(qǐng)?zhí)崆皫椭x謝。 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21:37
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)是當(dāng)前的熱門(mén)話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿(mǎn)足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過(guò)去，PA 設(shè)計(jì)以大致的起點(diǎn)開(kāi)始并運(yùn)用大量
2019-07-31 08:13:22
/BCB)上制作了CPW結(jié)構(gòu)的傳輸線,通過(guò)仿真、測(cè)量、比較和分析其傳輸損耗特性得出Si/Al2O3/BCB多層薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)襯底有效地降低了普通硅襯底的高頻損耗(20GHz時(shí)CPW傳輸線的損耗為1.18dB
2010-04-24 09:02:35
是否有必要使用AIN2 / AIN3將AFR2設(shè)置為1？以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 Is it necessary to set AFR2 to 1 using AIN2/AIN3 ?
2019-04-01 07:13:29
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時(shí)，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個(gè)功率放大器模擬，我需要一個(gè)GaN器件。請(qǐng)?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
最近用ad7799做電子秤，如何選擇AIN1/AIN2/AIN3通道。可以循環(huán)重復(fù)設(shè)置配置寄存器和模式寄存器，然后等待讀取數(shù)據(jù)嗎？我采用這種辦法，用的單次轉(zhuǎn)換模式，讀出來(lái)的三個(gè)通道數(shù)據(jù)完全一樣，糾結(jié)了。我感覺(jué)是單次轉(zhuǎn)換，數(shù)據(jù)寄存器可以把數(shù)據(jù)保存很久而不丟失。還怎么解決？
2023-12-13 07:45:37
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
特性：可以看到，GaN和Si的熱導(dǎo)率基本差異不大，但是GaN可以比Si能擁有更高的結(jié)溫。因此，同時(shí)良好的熱導(dǎo)率加上更高的熱耐受力共同提升了器件的使用壽命和可靠性。GaN器件優(yōu)越的性能也其器件結(jié)構(gòu)有極
2021-12-01 13:33:21
鋰電池用納米氧化鋁（Al2O3 VK-L30D）在鋰離子電池充放電過(guò)程中，鋰離子在正負(fù)極材料中反復(fù)嵌入與脫嵌，使LiCo02活性材料的結(jié)構(gòu)在多次收縮和膨脹后發(fā)生改變，同時(shí)導(dǎo)致LiCoO2發(fā)生層間
2014-05-12 13:44:47
普通型氧化鋁陶瓷系按Al2O3含量不同分為99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品種，有時(shí)Al2O3含量在80％或75％者也劃為斯利通普通氧化鋁陶瓷系列。
2019-06-20 17:09:31
通過(guò)對(duì)陽(yáng)極氧化多孔Al2O3 薄膜感濕材料的制備工藝及其電容濕敏特性進(jìn)行研究,將陽(yáng)極氧化參數(shù)對(duì)多孔Al2O3 薄膜的結(jié)構(gòu)和形態(tài)的影響與多孔Al2O3 薄膜作為濕度傳感器感濕材料的濕敏特
2009-06-22 11:24:50
13 藍(lán)寶石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED襯底材料的選用比較
對(duì)于制作LED芯片來(lái)說(shuō)，襯底材料的選用是首要考慮的問(wèn)題。應(yīng)該采用
2009-11-17 09:39:204932 金屬氧化物膜濕敏元件的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)
Fe2O3、Fe3O4、Cr2O3、Al2O3、Mg2O3及ZnO、TiO2，等金屬氧化物的細(xì)粉，吸收水分后有極快的速干特性，
2009-11-30 09:37:52903 MIS器件,MIS器件是什么意思
以SiO2為柵介質(zhì)時(shí)，叫MOS器件，這是最常使用的器件形式。歷史上也出現(xiàn)過(guò)以Al2O3為柵介質(zhì)的MAS器件和以Si3N4
2010-03-04 16:01:241425 什么是MIS
金屬－絕緣體－半導(dǎo)體（簡(jiǎn)寫(xiě)為 MIS）系統(tǒng)的三層結(jié)構(gòu)如圖1所示。如絕緣層采用氧化物,則稱(chēng)為金屬-氧化物-半導(dǎo)體(簡(jiǎn)寫(xiě)為MOS)
2010-03-04 16:04:267890 Toshiba推出C-BAND SATCOM應(yīng)用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，東芝美國(guó)電子元器件公司推出其功率放大器產(chǎn)品系列中的50W C頻段氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體高電子遷移晶體管(HEMT)。
Toshiba 的
2010-06-10 10:47:331757 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達(dá)10V，工作電流在20A，擊穿電壓達(dá)到730V。
2018-03-15 09:56:086681 
氮化鎵太赫茲HEMT研究中，短溝道效應(yīng)導(dǎo)致的跨導(dǎo)降低，將直接影響器件頻率特性。盡管高鋁組分與超薄勢(shì)壘外延結(jié)構(gòu)可以緩解短溝道效應(yīng)帶來(lái)的問(wèn)題，但同時(shí)也引起了歐姆接觸難以制備的問(wèn)題。選區(qū)再生長(zhǎng)n+GaN
2018-11-06 14:59:465836 EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場(chǎng)、產(chǎn)品應(yīng)用和技術(shù)特性方面的信息，以及英飛凌相關(guān)業(yè)務(wù)和此次量產(chǎn)產(chǎn)品的細(xì)節(jié)。
2018-12-06 18:06:214654 據(jù)外媒報(bào)道，韓國(guó)漢陽(yáng)大學(xué)（Hanyang University）的一組研究人員利用非晶Al2O3實(shí)現(xiàn)石墨表面改良（surface modification of graphite），這是一種高效的方式，旨在提升鋰離子電池石墨陽(yáng)極材料的快充性能表現(xiàn)。
2019-03-25 14:53:55718 本文報(bào)道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負(fù)漂移。該器件在強(qiáng)pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時(shí)間（反向柵極偏置應(yīng)力），然后測(cè)量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 基于溫度步進(jìn)應(yīng)力實(shí)驗(yàn)，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應(yīng)力下的退化規(guī)律及退化機(jī)理。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)： 在結(jié)溫為 139 ～ 200 ℃ 時(shí)，AlGaN /GaN HEMT 器件
2020-06-23 08:00:002 充電、電源開(kāi)關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場(chǎng)。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、 Power FET電力電子器件工藝兩大類(lèi)。
2020-07-27 10:26:001 本文將 3D 打印技術(shù)與注射成型工藝相結(jié)合用于 Al2O3 陶瓷坯體的快速成型，即采用注射成型的原理制備低粘度、高固相量、穩(wěn)定均勻的熱塑性 Al2O3 陶瓷漿料，通過(guò) FDM 3D 打印成型技術(shù)制備
2020-07-13 08:00:000 GaN 基高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)管（HEMT）在高頻大功率器件方面具有突出的優(yōu)勢(shì)，并在其應(yīng)用領(lǐng)域已取得重要進(jìn)展，但GaN基HEMT器件大功率應(yīng)用的最大挑戰(zhàn)是其normally-on特性。對(duì)于傳統(tǒng)
2020-09-21 09:53:013557 
在實(shí)際應(yīng)用中，為實(shí)現(xiàn)失效安全的增強(qiáng)模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結(jié)構(gòu)的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強(qiáng)型GaN HEMT器件。在實(shí)際的器件制備過(guò)程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態(tài)密度直接影響器件閾值電壓均勻性
2020-10-09 14:18:508850 GaN-HEMT以高效率提供高射頻輸出功率而聞名。由于這些特性，這類(lèi)晶體管可以顯著改善微波到毫米波無(wú)線電通信和雷達(dá)系統(tǒng)的性能。這些HEMTs可用于氣象雷達(dá)系統(tǒng)、監(jiān)測(cè)和預(yù)報(bào)局地強(qiáng)降水，以及5G系統(tǒng)，提供毫米波段的通信。
2020-11-29 10:28:463061 
本周《漲知識(shí)啦》主要給大家介紹的是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的能帶分布的變化與其電容-電壓特性。 圖 1 ?(a) MIS結(jié)構(gòu)示意圖 ?(b) MIS
2020-12-10 11:06:422984 
本周《漲知識(shí)啦》主要給大家介紹的是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的能帶分布的變化與其電容-電壓特性。 圖 1 ?(a) MIS結(jié)構(gòu)示意圖 ?(b) MIS
2020-12-10 11:09:445075 
工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向?qū)ǎ堑降子羞€是沒(méi)有體二極管？
2021-03-15 09:41:078331 ，導(dǎo)致嚴(yán)重的熱衰退（thermal droop）現(xiàn)象。 根據(jù)我司技術(shù)團(tuán)隊(duì)前期關(guān)于MIS結(jié)構(gòu)的相關(guān)仿真結(jié)果可知，MIS型
2021-12-21 13:55:50555 
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場(chǎng)，如圖1所示。
2022-02-10 15:27:4318442 
GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導(dǎo)體材料。與普通的半導(dǎo)體材料——硅相比，具有更優(yōu)異的物理性能，目前利用其高頻特性的應(yīng)用已經(jīng)開(kāi)始增加。
2022-04-06 16:33:031326 
作者研究了四個(gè)商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內(nèi)的性能。據(jù)作者介紹，正如原始文章中所報(bào)道的，所有測(cè)試的器件都可以在低溫下成功運(yùn)行，性能整體有所提高。然而，不同的 GaN HEMT 技術(shù)意味著器件柵極控制的顯著變化。
2022-07-25 09:20:28933 
Imec 展示了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和耗盡型 （d-mode） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 在基于 p 型氮化鎵 （GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上開(kāi)發(fā)的 on-SOI 智能功率集成電路 （IC） 平臺(tái)。
2022-07-29 15:34:03837 雖然乍一看似乎比較簡(jiǎn)單，但這些器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路需要仔細(xì)設(shè)計(jì)。首先，通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負(fù)電壓來(lái)將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài)，從而避免意外開(kāi)啟。
2022-07-29 09:27:171367 
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強(qiáng)模式開(kāi)發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 (MIS) 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動(dòng)的低柵極泄漏電流，以及柵極注入晶體管 (GIT
2022-07-29 09:19:44762 。基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有卓越的電氣特性，是高壓和高開(kāi)關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們?cè)谶@里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動(dòng)機(jī)應(yīng)用的功率和逆變器級(jí)中提供的優(yōu)勢(shì)。
2022-08-08 09:15:48816 
針對(duì)熱效應(yīng)機(jī)理和熱電模型,我們將著重考慮熱導(dǎo)率和飽和速率隨晶格溫度的變化。由于熱電效應(yīng)最直接的外部反映是就是直流I-V特性,因此這里主要模擬GaN HEMT器件的直流特性曲線。通過(guò)編寫(xiě) Silvaco程序來(lái)模擬 GaN HEMT器件的特性曲線,再與實(shí)驗(yàn)曲線作對(duì)比,獲得準(zhǔn)確的模型參數(shù)。
2022-09-08 10:44:051571 ，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國(guó)防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。
2022-09-19 09:33:211670 氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場(chǎng)，如圖1所示。
2022-09-27 10:30:173330 GaN HEMT 模型初階入門(mén)：非線性模型如何幫助進(jìn)行 GaN PA 設(shè)計(jì)？（第一部分，共兩部分）
2022-12-26 10:16:25805 
GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
2023-01-30 14:17:44556 ，而特性更具有優(yōu)勢(shì)，因此電源廠商均計(jì)劃導(dǎo)入GaN器件來(lái)實(shí)現(xiàn)下一代電源系統(tǒng)的迭代，在30W-100W的適配器應(yīng)用中，QR反激因成本優(yōu)勢(shì)，占據(jù)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的半壁江山。基于GaN器件的QR反激，有助于減小開(kāi)關(guān)損耗，可用于提高開(kāi)關(guān)頻率，增加功率密度。
2023-02-02 17:20:25836 
第三代半導(dǎo)體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時(shí)具有較強(qiáng)的自熱效應(yīng)，在大功率工作條件下會(huì)產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性理論，器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯(lián)系，因此準(zhǔn)確檢測(cè)GaN HEMT的溫度就顯得極為重要。
2023-02-13 09:27:521084 
的平帶電壓解析模型，然后考慮柵絕緣層和勢(shì)壘層界面電荷對(duì)兩個(gè)模型進(jìn)行對(duì)比，提取出了MIS-HEMT和MOS-HEMT兩種器件的有效界面電荷密度。
2023-02-13 09:33:581173 
C-V測(cè)試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測(cè)量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
2023-02-14 09:17:15943 
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三種器件結(jié)構(gòu)的關(guān)態(tài)柵漏電曲線，漏極電壓Vd設(shè)定在0V，反向柵極電壓從0V掃描至-10V，正向柵電壓掃描至5V。
2023-02-14 09:18:541887 
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢(shì)壘層、及2nm GaN帽層，勢(shì)壘層鋁組分設(shè)定為30%。
2023-02-14 09:31:161496 
配對(duì)；Beo盡管具備出色的綜合型能，但是其具有很高的產(chǎn)品成本和有毒的缺陷限制它項(xiàng)目研究。因此不論是特性、成本費(fèi)、環(huán)保規(guī)定方面來(lái)講AL2O3和Beo陶瓷早已無(wú)法滿(mǎn)足電子器件電力電子器件發(fā)展和要求了，取代
2023-02-16 14:44:57924 
一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計(jì)過(guò)程詳解 張書(shū)源，鐘世昌 發(fā)表于 2020-01-22 16:55:00 模擬技術(shù) +關(guān)注 0 引言 近年來(lái)，寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料
2023-02-17 09:52:430 氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。GaN 外延材料的 質(zhì)量決定了高電子遷移率
2023-02-20 11:47:22876 氧化鋁有許多同質(zhì)異晶體，例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等，其中以α-Al2o3的穩(wěn)定性較高，其晶體結(jié)構(gòu)緊密、物理性能與化學(xué)性能穩(wěn)定，具有密度與機(jī)械強(qiáng)度較高的優(yōu)勢(shì)，在工業(yè)中的應(yīng)用也較多。
2023-03-30 14:10:221079 傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:00735 
GaN基功率開(kāi)關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開(kāi)關(guān)的核心器件增強(qiáng)型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793 
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)
2023-05-24 09:40:011375 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。
2023-05-25 15:14:061222 
最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍(lán)寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質(zhì)襯底上通過(guò)金屬有機(jī)氣象外延(MOCVD)進(jìn)行外延制備。由于異質(zhì)
2023-06-14 14:00:551654 
速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時(shí)，極快的開(kāi)關(guān)速度又對(duì)其動(dòng)態(tài)特性的測(cè)試提出了更高的要求，稍有不慎就會(huì)得到錯(cuò)誤結(jié)果。 為了能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)試，對(duì)應(yīng)的測(cè)試系統(tǒng)往往需要 注意以下幾
2023-07-17 18:45:02711 
摘要：研究了基于AlGaN/GaN型結(jié)構(gòu)的氣敏傳感器對(duì)于CO的傳感性.制備出AlGaN/GaN型氣敏傳感器器件，并測(cè)試得到了器件在50℃時(shí)對(duì)于不同濃度（1%，9000，8000，5000
2023-09-01 16:22:490 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:342704 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來(lái)降低功率并簡(jiǎn)化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11293 
了很多關(guān)注，由寬禁帶半導(dǎo)體所制備的功率器件可作為具有低導(dǎo)通電阻的高壓開(kāi)關(guān)，可以取代硅功率器件。此外，寬禁帶異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高的載流子密度和二維電子氣通道，以及較大的臨界電場(chǎng)強(qiáng)度等物理特性，其中的氮化鎵 (Gallium Nitride, GaN）已被認(rèn)為可制備極佳的功率開(kāi)關(guān)。
2023-11-09 11:26:43439 
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動(dòng)速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 報(bào)告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58178 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論