GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開關速度，更高的功率密度和效率之類的能力而在設計電源轉換器時變得越來越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個缺點是電流損耗會導致電流崩潰。器件關閉和熱電子
2021-03-22 12:42:23
8435 
已經為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強模式開發了兩種不同的結構。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 （MIS） 結構，2具有由電壓驅動的低柵極漏電流，以及柵極注入晶體管 （GIT
2022-07-25 08:05:312595 
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關頻率電機控制應用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機應用的功率和逆變器階段提供的優勢。
2022-07-27 14:03:561602 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務器應用以及 USB-C、激光雷達和 LED 照明中很受歡迎。然而，小尺寸和最小的封裝寄生效應為動態表征這些功率器件帶來了多重挑戰。本文回顧了GaN半導體制造商在表征這些器件方面面臨的挑戰，以及一些有助于應對這些挑戰的新技術。
2022-10-19 17:50:34789 
本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關內容。
2023-11-27 17:12:011023 
D類放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增強型高電子遷移率晶體管 （E-HEMT）。E-HEMT采用GaN Systems的島技術 （Island Technology?） 單元布局以減小器件尺寸和成本，同時提供比其他GaN器件更高的電流和更優異的性能。
2020-07-06 14:10:191025 Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:212799 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 GaN功率轉換器件的文件，但它僅建立了測試這些器件的開關可靠性的方法。 硅MOSFET與氮化鎵HEMT的開關特性。圖片由富士通提供克萊斯勒，福特和通用汽車在1990年代成立了汽車電子協會（AEC），以
2020-09-23 10:46:20
電機設計中對于GaN HEMT的使用GaN HEMT的電氣特性使得工程師們選擇它來設計更加緊湊、承受高壓和高頻的電動機，綜上所述這類器件有如下優點：較高的擊穿電壓，允許使用更高（大于1000V
2019-07-16 00:27:49
和FPGA的低直流電源通常需要多級直流 - 直流轉換和調節。如果高壓設備可用于進行轉換，則可以減少轉換次數。GaN器件提供了這種潛力。一個例子是數據中心電源系統。數據中心包含許多需要高電流低電壓的高功率
2017-05-03 10:41:53
領域的熱點。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導體材料的核心技術之一，具有禁帶寬度高、擊穿場強大、電子飽和速度高等優勢。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關速度快、寄生參數低等優良特性
2023-06-25 15:59:21
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態，對GaN 調制摻雜場效應晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
LTC2217手冊上寫的，模擬輸入范圍(AIN+減去AIN-)為2.75Vpp，正常的差分輸入AIN+減去AIN-是有負值的，請問該器件AIN+減去AIN-為2.75Vpp到底是什么意思？
2023-12-05 06:27:56
`住友電工的GaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供了更高的增益。該器件的目標應用是高電壓的低電流和寬帶應用。高壓操作
2021-03-30 11:37:49
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內運行。該器件采用行業標準
2021-08-04 11:50:58
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉換級，設計師可以在單級中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉換器使得功率密度和系統成本顯著增加，同時提高了可靠性。與硅
2019-07-29 04:45:02
目前傳統硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲，效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
為了滿足數據中心快速增長的需求，對電源的需求越來越大更高的功率密度和效率。在本文中，我們構造了一個1.5 kW的LLC諧振變換器模塊，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，這在我的版本（ADS 2013）中沒有。請提前幫助，謝謝。 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21:37
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設計是當前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數新型微波功率放大器需求的領先解決方案。過去，PA 設計以大致的起點開始并運用大量
2019-07-31 08:13:22
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請提出你的建議
2019-01-17 15:55:31
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT） 的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2023-02-14 15:06:51
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
開關特性和動態特性上做了一個對比，更詳細的了解其差異所在。[size=0.19]WGB65E150S表二 GaN 器件DC參數從上圖GaN晶體管的DC參數可以看到，其在直流參數上，沒有反向二極管（0
2021-12-01 13:33:21
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設計是當前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數新型微波功率放大器需求的領先解決方案。過去，PA 設計以大致的起點開始并運用大量
2018-08-04 14:55:07
描述此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現了一款數兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區時間調節，此參考設計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
MIS器件,MIS器件是什么意思
以SiO2為柵介質時，叫MOS器件，這是最常使用的器件形式。歷史上也出現過以Al2O3為柵介質的MAS器件和以Si3N4
2010-03-04 16:01:241425 什么是MIS
金屬－絕緣體－半導體（簡寫為 MIS）系統的三層結構如圖1所示。如絕緣層采用氧化物,則稱為金屬-氧化物-半導體(簡寫為MOS)
2010-03-04 16:04:267890 Toshiba推出C-BAND SATCOM應用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，東芝美國電子元器件公司推出其功率放大器產品系列中的50W C頻段氮化鎵(GaN)半導體高電子遷移晶體管(HEMT)。
Toshiba 的
2010-06-10 10:47:331757 科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出業界首款面向衛星通信應用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)
2011-06-23 09:09:212124 TI正在設計基于GaN原理的綜合質量保證計劃和相關的應用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開關具有令人興奮且具有突破性的全新特性—功率GaN。高電子遷移晶體管（HEMT）。
2016-04-25 14:16:152683 這篇文章的目的是提供一個指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導體設備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
23 低壓氮化鎵（GaN）器件市場越來越重要，EPC是低壓硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的主要供應商。
2017-10-18 17:22:0710585 松下宣布研發出新型MIS結構的Si基GaN功率晶體管，可以連續穩定的工作，柵極電壓高達10V，工作電流在20A，擊穿電壓達到730V。
2018-03-15 09:56:086681 
本文討論了紅外顯微鏡用于測量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的局限性。它還將描述Qorvo的熱分析集成方法，它利用建模、經驗測量（包括顯微拉曼熱成像）和有限元分析（FEA）。該方法是非常有效的，并已被經驗驗證。通過承認紅外顯微鏡的局限性，預測和測量可以比用低功率密度技術開發的傳統方法更精確。
2018-08-02 11:29:0011 氮化鎵太赫茲HEMT研究中，短溝道效應導致的跨導降低，將直接影響器件頻率特性。盡管高鋁組分與超薄勢壘外延結構可以緩解短溝道效應帶來的問題，但同時也引起了歐姆接觸難以制備的問題。選區再生長n+GaN
2018-11-06 14:59:465836 EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場、產品應用和技術特性方面的信息，以及英飛凌相關業務和此次量產產品的細節。
2018-12-06 18:06:214654 LMG3410R070 GaN功率級器件的一個關鍵優點是在硬切換時控制轉換速率，這種控制對于抑制PCB寄生電阻和EMI具有重要意義，TI這款產品采用可編程電流來驅動GaN門，使得轉換速率可以設定在30~100V/ns之間。
2019-01-07 10:39:335256 產品包括SBD、常關型FET、常開型FET、級聯FET等產品，面向無線充電、電源開關、包絡跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2019-02-03 12:54:0011330 本文報道了algan/gan高電子遷移率晶體管（hemt）在反向柵偏壓作用下閾值電壓的負漂移。該器件在強pinch-off和低漏源電壓條件下偏置一定時間（反向柵極偏置應力），然后測量傳輸特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 基于溫度步進應力實驗，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同溫度應力下的退化規律及退化機理。實驗發現： 在結溫為 139 ～ 200 ℃ 時，AlGaN /GaN HEMT 器件
2020-06-23 08:00:002 充電、電源開關、包絡跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、 Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2020-07-27 10:26:001 《漲知識啦19》---HEMT 的電流崩塌效應 在之前的《漲知識啦》章節中，小賽已經介紹了GaN材料中極化效應以及二維電子氣（2DEG）的產生原理。因2DEG具有超高的溝道遷移率，所以2DGE可以
2020-09-21 16:35:441856 
GaN 基高電子遷移率場效應管（HEMT）在高頻大功率器件方面具有突出的優勢，并在其應用領域已取得重要進展，但GaN基HEMT器件大功率應用的最大挑戰是其normally-on特性。對于傳統
2020-09-21 09:53:013557 
在實際應用中，為實現失效安全的增強模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結構的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強型GaN HEMT器件。在實際的器件制備過程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態密度直接影響器件閾值電壓均勻性
2020-10-09 14:18:508850 GaN-HEMT以高效率提供高射頻輸出功率而聞名。由于這些特性，這類晶體管可以顯著改善微波到毫米波無線電通信和雷達系統的性能。這些HEMTs可用于氣象雷達系統、監測和預報局地強降水，以及5G系統，提供毫米波段的通信。
2020-11-29 10:28:463061 
本周《漲知識啦》主要給大家介紹的是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）結構的能帶分布的變化與其電容-電壓特性。 圖 1 ?(a) MIS結構示意圖 ?(b) MIS
2020-12-10 11:06:422984 
本周《漲知識啦》主要給大家介紹的是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）結構的能帶分布的變化與其電容-電壓特性。 圖 1 ?(a) MIS結構示意圖 ?(b) MIS
2020-12-10 11:09:445075 
工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向導通，那到底有還是沒有體二極管？
2021-03-15 09:41:078331 對于許多設計來說，氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。與硅MOSFET相比，氮化鎵HEMT具有出色的特定動態導通電阻和更小的電容，因此更適于做高速開關。
2021-09-08 18:03:541518 氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表，器件在高頻功率應用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。
2022-02-10 15:27:4318442 
GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料——硅相比，具有更優異的物理性能，目前利用其高頻特性的應用已經開始增加。
2022-04-06 16:33:031326 
本文重點討論氮化鎵功率器件在陣列雷達收發系統中的應用。下面結合半導體的物理特性，對氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）的特點加以說明。
2022-04-24 16:54:334237 
作者研究了四個商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之間的寬溫度范圍內的性能。據作者介紹，正如原始文章中所報道的，所有測試的器件都可以在低溫下成功運行，性能整體有所提高。然而，不同的 GaN HEMT 技術意味著器件柵極控制的顯著變化。
2022-07-25 09:20:28933 
納米電子和數字技術研究與創新中心 Imec 在 2021 年國際電子器件會議（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通過在基于 p 型氮化鎵 （GaN） HEMT 的 200-V
2022-07-26 08:02:43837 
Imec 展示了高性能肖特基勢壘二極管和耗盡型 （d-mode） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 在基于 p 型氮化鎵 （GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上開發的 on-SOI 智能功率集成電路 （IC） 平臺。
2022-07-29 15:34:03837 雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅動器電路需要仔細設計。首先，通常關閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負電壓來將其關閉并將其保持在關閉狀態，從而避免意外開啟。
2022-07-29 09:27:171367 
已經為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強模式開發了兩種不同的結構。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 (MIS) 結構，2具有由電壓驅動的低柵極泄漏電流，以及柵極注入晶體管 (GIT
2022-07-29 09:19:44762 。基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有卓越的電氣特性，是高壓和高開關頻率電機控制應用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機應用的功率和逆變器級中提供的優勢。
2022-08-08 09:15:48816 
GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復雜工業電機控制應用中的傳統 MOSFET 和 IGBT。
2022-08-12 15:31:231530 
針對熱效應機理和熱電模型,我們將著重考慮熱導率和飽和速率隨晶格溫度的變化。由于熱電效應最直接的外部反映是就是直流I-V特性,因此這里主要模擬GaN HEMT器件的直流特性曲線。通過編寫 Silvaco程序來模擬 GaN HEMT器件的特性曲線,再與實驗曲線作對比,獲得準確的模型參數。
2022-09-08 10:44:051571 ，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。
2022-09-19 09:33:211670 氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表，器件在高頻功率應用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。
2022-09-27 10:30:173330 Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優異的性能指標；CG2H80060D包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移
2022-11-01 09:29:51593 GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進行 GaN PA 設計？（第一部分，共兩部分）
2022-12-26 10:16:25805 
GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計
2023-01-30 14:17:44556 ，而特性更具有優勢，因此電源廠商均計劃導入GaN器件來實現下一代電源系統的迭代，在30W-100W的適配器應用中，QR反激因成本優勢，占據了國內市場的半壁江山。基于GaN器件的QR反激，有助于減小開關損耗，可用于提高開關頻率，增加功率密度。
2023-02-02 17:20:25836 
第三代半導體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時具有較強的自熱效應，在大功率工作條件下會產生較高的結溫。根據半導體器件可靠性理論，器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯系，因此準確檢測GaN HEMT的溫度就顯得極為重要。
2023-02-13 09:27:521084 
的平帶電壓解析模型，然后考慮柵絕緣層和勢壘層界面電荷對兩個模型進行對比，提取出了MIS-HEMT和MOS-HEMT兩種器件的有效界面電荷密度。
2023-02-13 09:33:581173 
通過AlN柵介質層MIS-HEMT和Al2O3柵介質層MOS-HEMT器件對比研究發現，PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸運特性；但是由于材料屬性和生長工藝的局限性
2023-02-14 09:16:411278 
C-V測試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半導體表征系統的CVU模塊測量了肖特基柵和絕緣柵異質結構的C-V特性。
2023-02-14 09:17:15943 
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結構如圖1所示， AlGaN/GaN異質結采用MOCVD技術在2英寸c面藍寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢壘層、及2nm GaN帽層，勢壘層鋁組分設定為30%。
2023-02-14 09:31:161496 
一款GaN HEMT內匹配功率放大器設計過程詳解 張書源，鐘世昌 發表于 2020-01-22 16:55:00 模擬技術 +關注 0 引言 近年來，寬禁帶材料與微波功率器件發展非常迅猛。GaN材料
2023-02-17 09:52:430 氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導體材料的典型代表，具有高擊穿電場強度和高熱導率 等優異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。GaN 外延材料的 質量決定了高電子遷移率
2023-02-20 11:47:22876 GaN基功率開關器件能實現優異的電能轉換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:00793 
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產
2023-05-18 16:34:23465 GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態
2023-05-24 09:40:011375 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應用于大功率和高頻電子設備。
2023-05-25 15:14:061222 
襯底材料和GaN之間純在較大的晶格失配和熱失配，外延層中往往存在大量的缺陷，使得HEMT器件中存在較強電流崩塌效應，影響器件的性能發揮。
2023-06-14 14:00:551654 
速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關速度又對其動態特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結果。 為了能夠實現對GaN HEMT功率器件動態特性進行精準測試，對應的測試系統往往需要 注意以下幾
2023-07-17 18:45:02711 
英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日宣布
2023-10-10 17:12:15201 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統架構，這是GaN HEMT技術的主要挑戰之一。凹進的AlGaN/GaN結構是實現常關操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11293 
一般而言，GaN器件具有優異的低導通電阻和高速開關性能，因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。然而，器件的使用面臨著柵極耐壓、控制IC（負責GaN器件的驅動控制
2023-10-25 15:45:02236 
了很多關注，由寬禁帶半導體所制備的功率器件可作為具有低導通電阻的高壓開關，可以取代硅功率器件。此外，寬禁帶異質結場效應晶體管具有較高的載流子密度和二維電子氣通道，以及較大的臨界電場強度等物理特性，其中的氮化鎵 (Gallium Nitride, GaN）已被認為可制備極佳的功率開關。
2023-11-09 11:26:43439 
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 報告內容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結構的生長
GaN HEMT 技術面臨的挑戰
2023-12-14 11:06:58178 
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667
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