接下來我們繼續(xù)研究下面這幅圖。

在 t2~t3 期間：放大區(qū)

在 t3 之后：飽和區(qū)

當(dāng)飽和之后，Rdson 很小，分壓下來，漏極電壓就會很低

理論上 Vds 直線下降，但事實(shí)上是非線性的。在實(shí)際測試波形時， 中間那一段非線性不一定能測得出來。那么，在 t3 時刻之后，Vds 的曲線就如下圖所示

接下來討論 t3 時刻之后，米勒效應(yīng)就消失，固有轉(zhuǎn)移特性結(jié)束

當(dāng)米勒效應(yīng)消失，就只有原來的紅色這條回路了

實(shí)際上米勒電容和電壓也有關(guān)系，Crss 電容不是一成不變的，與 漏極的電壓也有關(guān)系，漏極電壓越高，效應(yīng)越明顯；漏極電壓越低， 效應(yīng)不明顯。這就是為什么高壓的管子怕米勒效應(yīng)，低壓的管子不怕， 這都是和漏極電壓有關(guān)系的。結(jié)論：高壓系統(tǒng)中的管子，越要注意米 勒效應(yīng)。理論上講，t3 時刻之后，Vds 就是 Rdson 兩端的壓降，待會 兒再討論這個壓降還會受什么因素的影響

我們知道，在米勒平臺之后，只有紅色這一條回路，Vgs 電壓繼續(xù) 上升，最終充到 12V

對于 MOS 管來說，放大區(qū)是危險區(qū)域。那么進(jìn)入飽和區(qū)之后，還 要深入去研究 Rdson，也就是說，在飽和區(qū)內(nèi) Rdson 還會受到 Vgs 電 壓幅值的影響。為什么呢？理論上講，過了平臺區(qū)就完全飽和了，而 平臺區(qū)的電壓比如說 4.5V，那么 5V 就完全飽和了啊。但事實(shí)上，由 于 MOSFET 內(nèi)在的特性，Rdson 還沒達(dá)到最小，隨著 Vgs 兩端電壓幅 值的升高，Rdson 還會繼續(xù)降低。那么，是不是 Vgs 越大越好呢？實(shí) 際上，當(dāng)電壓大于 10V 時，Rdson 就變化不那么明顯了。所以，一般 我們都用 12V 15V 作為 Vgs 的驅(qū)動電壓，一般情況下，Vgs 不要超過 ±20V，否則管子會損壞。那么，一般為了降低導(dǎo)通損耗，就需要提高 Vgs，這是因?yàn)?P=I^2*Rdson

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