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現(xiàn)有非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)都以DRAM模擬非易失性內(nèi)存（Non- Volatile memory，NVM）進(jìn)行測試，而沒有充分考慮兩者間的寫時(shí)延和寫磨損特性差異，使得測試結(jié)果無法準(zhǔn)確反映文件系統(tǒng)在NVM物理設(shè)備上的寫性能以及對(duì)NVM造成的磨損情況。現(xiàn)有NVM模擬器準(zhǔn)確度不高，且仿真接口不完備，無法滿足內(nèi)存文件系統(tǒng)對(duì)NVM的仿真需求。對(duì)此，提出一種面向非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)的NVM模擬與驗(yàn)誣方法。首先，結(jié)合非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)本身的數(shù)據(jù)讀寫特性，提出內(nèi)存文件系統(tǒng)中NVM寫時(shí)延的模擬方案;其次，跟蹤內(nèi)存文件系統(tǒng)對(duì)NVM的讀寫操作，以驗(yàn)證文件系統(tǒng)對(duì)NVM物理設(shè)備的寫磨損分布情況。選取多個(gè)典型內(nèi)存文件系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)上述方法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，提岀的寫時(shí)延模擬方法能夠?qū)憰r(shí)延的模擬誤差平均降低65%，寫磨損驗(yàn)證方法能夠較準(zhǔn)確地反映內(nèi)存文件系統(tǒng)對(duì)不同粒度NVM頁面的磨損分布情況。
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