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標簽 > 光刻技術
隨著半導體技術的發展,光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數量級(從毫米級到亞微米級),已從常規光學技術發展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術;使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。
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總體上,三分之二的調查參與者認為這將產生積極的影響。前往EUV時,口罩的數量減少了。這是因為EUV將整個行業帶回單一模式。具有多個圖案的193nm浸入需...
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本文介紹了7納米工藝面臨的各種挑戰與解決方案。 一、什么是7納米工藝? 在談論7納米工藝之前,我們先了解一下“納米”是什么意思。納米(nm)是一個長度單...
Molecular Imprints將為半導體大批量制造提供先進光刻設備
奈米圖案成形系統與解決方案的市場與技術廠商Molecular Imprints, Inc. (MII) 宣佈,該公司已經獲得一份包含多個壓印範本的採購訂...
Rolith宣布安裝由SUSS MicroTec建造的第2代納米結構原型工具
Rolith, Inc.,今天宣布成功安裝 由Rolith, Inc. 獨家授權SUSS MicroTec AG建造的第 2 代納米結構原型工具 – R...
當人們意識到汽油動力機器和車輛對環境的負面影響時,似乎只要改用電池就可以解決這些問題了。從那時起,似乎沒有人質疑這種新的、所謂完全環保的選擇。然而,沒過...
據彭博社3月15日報道,三星電子有望從美國政府獲得逾60億美元的《CHIP》法案補貼。該公司目前正在美國得克薩斯州新建一座工廠,此前計劃于今年7月開始...
ASML即將上任的首席執行官Christophe Fouquet面臨的最大挑戰將是帶領公司進入一個新時代,救火員工程文化必須改變。
為滿足集成電路中對納米結構器件的尺寸及質量的高性能要求,有效地解決表面等離子體光刻技術中存在的near-field OPE問題,中國科學院大學集成電路學...
中國在半導體芯片制造方面仍落后于美國。早在上世紀60年代,美國就開始占據世界半導體市場的絕對主導地位。隨著技術的不斷發展,半導體芯片的制造越來越精細化。...
近期的演示會上,美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個節點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得...
Imec 與三井化學公司簽署戰略合作協議,將用于 EUV 光刻技術的 CNT 薄膜技術商業化
來源:半導體芯科技 SiSC編譯 魯汶(比利時),2023 年 12 月 14 日 — 世界領先的納米電子和數字技術研究和創新中心 Imec 與日本領先...
盡管EUV的生產力還沒有達到客戶的預期,但幾年來,EUV 已經成為世界上最先進芯片的生產過程中不可或缺的一部分。
EUV掩膜,也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜,對于極紫外光刻(EUVL)這種先進光刻技術至關重要。EUV光刻是一種先進技術,用于制造具有更小特征尺寸和增...
宿敵英特爾則積極投身于新興高數值孔徑超紫外光刻領域,已有數臺設備投入其芯片制造部門使用。據透露,英特爾正計劃在即將推出的18A(1.8納米)工藝節點中試...
近日,比利時微電子研究中心(IMEC)與全球光刻技術領軍企業阿斯麥(ASML)共同宣布,在荷蘭費爾德霍芬正式啟用聯合High-NA EUV光刻實驗室。
Fab 34是英國在歐洲如今唯一運用-極紫外線(EUV)光刻技術的芯片制作基地,負責生產英特爾第四代Intel 4工藝的生產力工具如Meteor Lak...
英特爾:預計2027年末10A節點投產,投資千億美元擴大晶圓制造
根據先前記載,10A將會是英特爾繼使用High-NA EUV光刻技術的首批主要節點之后的第二例,預計可呈現出超過10%的每瓦性能改善。
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