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光刻機(jī)

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光刻機(jī)技術(shù)

光刻機(jī)的常見類型解析

光刻機(jī)有很多種類型，但有時(shí)也很難用類型進(jìn)行分類來(lái)區(qū)別設(shè)備，因?yàn)橛行┓诸悆H是在某一分類下的分類。

2024-04-10 標(biāo)簽：攝像機(jī)晶體管光刻機(jī) 2699 0

用來(lái)提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)介紹

? 本文介紹了用來(lái)提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)。芯片制造：光刻技術(shù)的演進(jìn) 過(guò)去半個(gè)多世紀(jì)，摩爾定律一直推動(dòng)著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，但當(dāng)光刻機(jī)的光源波長(zhǎng)...

2024-11-24 標(biāo)簽：芯片制造光刻機(jī)光刻技術(shù) 2316 0

光刻機(jī)的分類與原理

本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片光刻機(jī)和面板光...

2025-01-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻機(jī) 2297 0

EUV光刻工藝制造技術(shù)主要有哪些難題？

光掩?？梢员徽J(rèn)為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩?？梢晕栈蛏⑸涔庾?，或允許它們穿過(guò)晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。

2023-03-03 標(biāo)簽：gpu 晶體管光刻機(jī) 2281 0

半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類，包括光刻（光刻機(jī)）、刻蝕（刻蝕機(jī)）、薄膜生長(zhǎng)（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備）、擴(kuò)散（擴(kuò)散...

2023-05-30 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體工藝 2241 0

用于***照明均勻化的微柱面鏡陣列設(shè)計(jì)

在投影光刻機(jī)照明系統(tǒng)中，均勻照明是保證加工出的線條線寬均勻一致的一項(xiàng)重要技術(shù)。通常，用于光刻機(jī)照明系統(tǒng)的勻光元件有積分棒、衍射光學(xué)元件和微透鏡陣列。積分...

2023-05-17 標(biāo)簽：照明系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)光刻機(jī) 2226 0

SPM光刻工藝的研究報(bào)告

在這篇文章中，我們?nèi)A林科納演示了在鈦薄膜上形成納米尺度陽(yáng)極氧化物的設(shè)備，以及在接觸或半接觸模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM對(duì)其進(jìn)行表征。

2022-02-08 標(biāo)簽：電極光刻光刻機(jī) 2161 0

光刻工藝的基本步驟 ***的整體結(jié)構(gòu)圖

光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，...

2023-12-18 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律光刻機(jī) 2086 0

組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)介紹

? 本文介紹了組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)。光刻技術(shù)作為制造集成電路芯片的重要步驟，其重要性不言而喻。光刻機(jī)是實(shí)現(xiàn)這一工藝的核心設(shè)備，它的工作原理類似于傳統(tǒng)...

2025-01-07 標(biāo)簽：照明光源光刻機(jī) 2082 0

光源掩模協(xié)同優(yōu)化的原理與應(yīng)用

由于SMO優(yōu)化的結(jié)果是要應(yīng)用到整塊芯片上去的，而對(duì)所有的圖形進(jìn)行SMO是極為耗時(shí)的，因此，我們需要使用關(guān)鍵圖形篩選技術(shù)提前將重復(fù)或者冗余的圖形剔除，以保...

2023-08-01 標(biāo)簽：摩爾定律芯片制造光刻機(jī) 2055 0

幾種新興存儲(chǔ)器的技術(shù)對(duì)比

根據(jù)存儲(chǔ)與計(jì)算的距離遠(yuǎn)近，將廣義存算一體的技術(shù)方案分為三大類，分別是近存計(jì)算 (Processing Near Memory，PNM)、存內(nèi)處理(Pro...

2023-06-09 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器光刻機(jī)EUV 2012 0

如何評(píng)估CPU硬件效率？CPU硬件運(yùn)行效率介紹

提到CPU性能，大部分同學(xué)想到的都是CPU利用率，這個(gè)指標(biāo)確實(shí)應(yīng)該首先被關(guān)注。但是除了利用率之外，還有很容易被人忽視的指標(biāo)，就是指令的運(yùn)行效率。

2023-05-17 標(biāo)簽：寄存器 PMC 光刻機(jī) 2011 0

納米壓印，終于走向臺(tái)前？

納米壓印技術(shù)，即Nanoimprint Lithography（NIL），是一種新型的微納加工技術(shù)。該技術(shù)將設(shè)計(jì)并制作在模板上的微小圖形，通過(guò)壓印等技術(shù)...

2023-05-19 標(biāo)簽：晶體管納米光刻機(jī) 1998 0

EUV 光刻制造全流程設(shè)計(jì)解析

其全流程涉及了從 EUV 光源到反射鏡系統(tǒng)，再到光掩模，再到對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，再到晶圓載物臺(tái)，再到光刻膠化學(xué)成分，再到鍍膜機(jī)和顯影劑，再到計(jì)量學(xué)，再到單個(gè)晶圓。

2023-03-07 標(biāo)簽：芯片晶圓光刻 1958 0

淺談不同階段光刻機(jī)工作方式

在曝光過(guò)程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1，分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)...

2024-03-08 標(biāo)簽：芯片制造光刻光刻機(jī) 1940 0

什么是納米壓印技術(shù)？能否取代***？

納米壓印是微納工藝中最具發(fā)展?jié)摿Φ牡谌饪坦に?，是最有希望取代極紫外光的新一代工藝。最近，海力士公司從佳能購(gòu)買了一套奈米壓印機(jī)，進(jìn)行了大規(guī)模生產(chǎn)，并取...

2023-11-08 標(biāo)簽：芯片晶體管光刻機(jī) 1915 0

請(qǐng)問(wèn)ARTPI是怎樣使用軟件I2C讀取mpu6050的？

喜報(bào)！我國(guó)第一臺(tái)28nm光刻機(jī)，交付時(shí)間已定！

2023-08-02 標(biāo)簽：傳感器連接器光刻機(jī) 1901 0

EUV反射鏡的鍍膜工藝：如何選擇合適的鍍膜機(jī)

對(duì)基板移動(dòng)進(jìn)行仔細(xì)管理和將基板支架的機(jī)械公差降至最低，實(shí)現(xiàn)無(wú)與倫比的厚度均勻性濺射工藝的卓越穩(wěn)定性和極高水平的層厚度精度。

2024-02-21 標(biāo)簽：光譜反射鏡鍍膜機(jī) 1892 0

浸沒(méi)式光刻，拯救摩爾定律

2000年代初，芯片行業(yè)一直致力于從193納米氟化氬（ArF）光源光刻技術(shù)過(guò)渡到157納米氟（F 2 ）光源光刻技術(shù)。

2023-08-23 標(biāo)簽：編碼器晶圓交換機(jī) 1799 0

步進(jìn)式***在碲鎘汞紅外芯片工藝中的應(yīng)用以及取得的效果

光刻是制備碲鎘汞紅外探測(cè)器芯片過(guò)程中非常關(guān)鍵的工藝。

2023-06-18 標(biāo)簽：晶圓紅外探測(cè)器光刻機(jī) 1686 0

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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無(wú)線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊，內(nèi)置無(wú)線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實(shí)現(xiàn)無(wú)線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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