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標(biāo)簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱(chēng)光致抗蝕劑,是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。
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光刻蝕(Photolithography)是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù),用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用,...
2023-08-24 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池光刻膠刻蝕 4686 0
在紫外光照射下,三芳基碘鹽光敏劑被激活,釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應(yīng),引發(fā)單體之間的交聯(lián)反應(yīng),導(dǎo)致SU-8光刻膠在...
2024-03-31 標(biāo)簽:光刻膠 4495 0
過(guò)氧化氫溶液的作用解讀 在半導(dǎo)體材料制備中硅晶片清洗
引言 過(guò)氧化氫被認(rèn)為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過(guò)氧化氫水溶液來(lái)清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅...
濕法去膠液的種類(lèi)有哪些?去膠液都有哪些種類(lèi)?去膠原理是什么?
光刻技術(shù)通過(guò)光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上,但是在相關(guān)制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠,那么這個(gè)時(shí)候去膠液就發(fā)揮了作用,那么去膠液都有哪些種類(lèi)?去膠原理是什么?
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹(shù)脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化...
光刻膠按照種類(lèi)可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除,負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 標(biāo)簽:光刻膠半導(dǎo)體工藝 3187 0
制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級(jí)(空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過(guò)約3500)潔凈室,在光刻區(qū)域,潔凈室要求10級(jí)或更高。
黃光的波長(zhǎng)遠(yuǎn)離UV范圍,因此不會(huì)引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線,從而保護(hù)光敏材料免受不必要的曝光。
與正光刻膠相比,電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案。基于聚合物的負(fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過(guò)程中溶解,而曝光的光刻膠則保留...
晶圓級(jí)封裝(WLP)的各項(xiàng)材料及其作用
本篇文章將探討用于晶圓級(jí)封裝(WLP)的各項(xiàng)材料,從光刻膠中的樹(shù)脂,到晶圓承載系統(tǒng)(WSS)中的粘合劑,這些材料均在晶圓級(jí)封裝中發(fā)揮著重要作用。
2023-12-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝封裝工藝光刻膠 2524 0
雖然通過(guò)蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(guò)(例如抗蝕劑)掩模對(duì)襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來(lái)完成的,但是在剝離過(guò)程中,材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護(hù)的位置。本章描述了獲...
改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜,在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來(lái),不再進(jìn)行濕法刻蝕,避免了側(cè)腐蝕對(duì)線條精度和膜基結(jié)合力的...
半導(dǎo)體之ICT技術(shù)先通孔的過(guò)程詳解
對(duì)于先通孔的過(guò)程,首先沉積通孔刻蝕停止層(ESL)的層間介質(zhì)(ILD)、低k電介質(zhì)、溝槽ESL、低k電介質(zhì)的和覆蓋層(下圖(a))。
2023-08-14 標(biāo)簽:CMP光刻膠ICT技術(shù) 2102 0
芯板,中間是介質(zhì),兩面是銅箔,就是雙層板時(shí)用的介質(zhì)板,比如ROGERS 4350B等。
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