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      標簽　>　光刻膠

      光刻膠

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      光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。

      文章：307個 瀏覽：30381次 帖子：4個

      光刻膠技術

      半導體材料概述

      半導體材料作為半導體產業鏈上游的重要環節，在芯片的生產制造過程中起到關鍵性作用。根據芯片制造過程劃分，半導體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其...

      2023-08-14 標簽：芯片半導體晶圓 1868 0

      光刻技術的種類介紹

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      根據維基百科的定義，光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所...

      2023-04-25 標簽：光刻半導體器件光刻膠 1867 0

      用于2.5D與3D封裝的TSV工藝流程是什么？有哪些需要注意的問題？

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      2024-04-17 標簽：CMPTSV光刻膠 1857 0

      常見的晶圓顯影方式

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      晶圓顯影過程是光刻工序中必不可少的步驟，顯影過程已經經歷了幾十年的創新和進步。那么常見的顯影方式有幾種？顯影液的種類有哪些？顯影的機理是什么？顯影主要的...

      2023-09-11 標簽：芯片晶圓光刻膠 1813 0

      材料幫助圖形成像以解決PPAC中的矛盾

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      2020-08-13 標簽：半導體半導體產業半導體制造 1774 0

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      光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高...

      2023-11-13 標簽：半導體材料光刻膠 1726 0

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      光學模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學成像理論，預先計算出透射相交系數（TCCs），從而描述光刻機的光學成像。光學模型中，經過優化的光源，通過光刻...

      2023-12-11 標簽：晶圓光刻機器學習 1720 0

      微氣泡對光刻膠層的影響

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      關鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環保光刻膠去除方法的候選方法。已經證明，臭氧微氣泡可以去除...

      2022-01-10 標簽：半導體光刻晶片 1675 0

      ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕 南通華林科納

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      最近在外延膜的導電率控制和高質量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進展重新引起了我們對用于紫外光發射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質結構系統的興趣。

      2021-12-13 標簽：半導體襯底光刻膠 1506 0

      淺談DRAM制造工藝及微縮挑戰

      薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化，厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸（Critical Dimensions：CD）。

      2023-01-09 標簽：電容器DRAM光刻膠 1491 0

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      首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC，通過物理氣相傳輸（PVT）制備單晶 第二，使用多線切割設備切割SiC，晶體切成薄片，厚度不超過1毫米 ...

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      2021-12-13 標簽：納米材料納米襯底 1274 0

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      本發明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細地說，是一種半導體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導體裝置的制...

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      2022-09-21 標簽：光刻機EUV光刻膠 1094 0

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