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      標簽　>　光刻膠

      光刻膠

      +關注10人關注

      光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。

      文章：307個 瀏覽：30381次 帖子：4個

      光刻膠技術

      濕法去膠液的種類有哪些？去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

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      光刻技術通過光刻膠將圖案成功轉移到硅片上，但是在相關制程結束后就需要完全除去光刻膠，那么這個時候去膠液就發揮了作用，那么去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

      2023-09-06 標簽：晶圓光刻機光刻技術 4038 0

      碳化硅功率半導體工藝流程

      首先，以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC，通過物理氣相傳輸（PVT）制備單晶 第二，使用多線切割設備切割SiC，晶體切成薄片，厚度不超過1毫米 ...

      2023-09-06 標簽：功率半導體光刻膠碳化硅 1423 0

      光伏刻蝕工藝流程 光刻蝕刻加工原理是什么

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      2023-08-24 標簽：太陽能電池光刻膠刻蝕 4686 0

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      2023-08-14 標簽：芯片半導體晶圓 1867 0

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      2023-08-14 標簽：CMP光刻膠ICT技術 2101 0

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      今年的大部分討論都集中在 EUV 的下一步發展以及高數值孔徑 EUV 的時間表和技術要求上。ASML戰略營銷高級總監Michael Lercel表示，目...

      2023-08-11 標簽：EUV光刻膠光刻設備 651 0

      光刻技術的發展如何彎道超車或者換道超車

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      三十年來，半導體掩模技術基本保持不變，掩模的制作是在可變成形機上進行的，這些機器將可變元件限制在 45 度角。隨著功能縮小并變得更加復雜，電子束和多束掩...

      2023-08-01 標簽：光刻EUV光刻膠 554 0

      干法刻蝕工藝介紹 硅的深溝槽干法刻蝕工藝方法

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      第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體

      2023-07-14 標簽：TCPSSP電感耦合 6304 0

      ***誰發明出來的 ***有多難制造

      光刻機的制造是一項復雜而精密的工藝，需要高度專業化的技術和設備。它涉及到許多關鍵的工藝步驟和組件，如光學系統、曝光光源、掩模制作等。

      2023-07-04 標簽：集成電路光學系統光刻機 1.4萬 0

      制造集成電路的版圖基本知識

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      在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。

      2023-06-25 標簽：集成電路CMOSMOSFET 9292 0

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      光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。

      2023-06-08 標簽：集成電路邏輯電路晶圓 6597 0

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      感光速度:即光刻膠受光照射發生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時間內芯片制造的產出越高，經濟效益越好，另-方面，過快的感光速度會對引起工藝...

      2023-05-25 標簽：光刻膠半導體工藝 1124 0

      采用光刻膠犧牲層技術改善薄膜電路制備工藝

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      2023-05-16 標簽：電感光刻膠薄膜電路 2257 0

      芯片的制作為什么要用半導體？Wafer晶圓半導體制造工藝

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      所謂“半導體”，是一種導電性能介于“導體”和“絕緣體”之間的物質總稱。導體能導電，比如鐵銅銀等金屬，絕緣體不導電，比如橡膠。芯片的制作為什么要用半導體？

      2023-05-15 標簽：晶圓半導體制造光刻膠 8913 0

      一文講透光刻膠及芯片制造關鍵技術

      一文講透光刻膠及芯片制造關鍵技術

      在集成電路制造領域，如果說光刻機是推動制程技術進步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。

      2023-05-13 標簽：集成電路pcb芯片制造 2235 0

      全面解讀光刻膠工藝制造流程

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      光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，...

      2023-05-11 標簽：集成電路三極管印刷電路板 5791 0

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      光刻技術的種類介紹

      根據維基百科的定義，光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所...

      2023-04-25 標簽：光刻半導體器件光刻膠 1867 0

      光刻技術的詳細工序

      光刻技術的詳細工序

      清洗硅片（Wafer Clean） 清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性 基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。

      2023-04-25 標簽：硅片光刻機光刻膠 5671 0

      半導體制造中的等離子體刻蝕過程

      從下圖中可以看出結合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高，明顯高于這兩種工藝單獨使用時的刻蝕速率總和。

      2023-02-23 標簽：半導體晶圓光刻膠 4862 0

      淺談DRAM制造工藝及微縮挑戰

      薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化，厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸（Critical Dimensions：CD）。

      2023-01-09 標簽：電容器DRAM光刻膠 1490 0

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