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標(biāo)簽 > 光刻膠

光刻膠

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光刻膠(Photoresist)又稱(chēng)光致抗蝕劑,是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。

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光刻膠技術(shù)

PCB的加工步驟了解

芯板,中間是介質(zhì),兩面是銅箔,就是雙層板時(shí)用的介質(zhì)板,比如ROGERS 4350B等。

2022-11-01 標(biāo)簽:pcb光刻膠 2084 0

關(guān)于PCB通孔及尺寸要求

合包與分包(pack and unpack,PAU)工藝被用于制備通孔陣列。與其他雙重曝光工藝不同,PAU工藝并不直接提供額外的圖形分辨率。

2022-10-24 標(biāo)簽:pcb光刻膠 5801 0

光刻膠的原理和正負(fù)光刻膠的主要組分是什么

光刻膠的組成:樹(shù)脂(resin/polymer),光刻膠中不同材料的粘合劑,給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)(如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等);感光劑,感光劑...

2022-10-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光刻膠 2.1萬(wàn) 2

高數(shù)值孔徑 EUV 系統(tǒng)的好處

隨著光刻膠層變得更薄,整體光刻膠的特性變得不那么重要,并且光刻膠(暴露與否)與顯影劑和底層之間的界面變得更加重要。

2022-09-21 標(biāo)簽:光刻機(jī)EUV光刻膠 1094 0

一文詳解光刻膠剝離工藝

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雖然通過(guò)蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(guò)(例如抗蝕劑)掩模對(duì)襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來(lái)完成的,但是在剝離過(guò)程中,材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護(hù)的位置。本章描述了獲...

2022-07-12 標(biāo)簽:工藝蝕刻光刻膠 2440 0

SPM光刻膠剝離和清洗工藝詳解

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硫酸(H2SO4)和過(guò)氧化氫(H2O2)混合物(SPM)用于各種濕法清洗工藝步驟。表2.1顯示了SPM的一些常見(jiàn)清潔和表面處理順序:

2022-07-11 標(biāo)簽:清洗光刻膠SPM 8301 0

過(guò)氧化氫溶液的作用解讀 在半導(dǎo)體材料制備中硅晶片清洗

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引言 過(guò)氧化氫被認(rèn)為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過(guò)氧化氫水溶液來(lái)清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅...

2022-07-07 標(biāo)簽:芯片硅晶片光刻膠 4225 0

蝕刻后殘留物和光刻膠的去除方法

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在未來(lái)幾代器件中,光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關(guān)鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴(kuò)展、haIos、深阱),使用PR封閉部分電路...

2022-07-04 標(biāo)簽:蝕刻晶片光刻膠 9717 0

一文看懂:光刻膠的創(chuàng)新應(yīng)用與國(guó)產(chǎn)替代機(jī)會(huì)

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引言 ? 光刻膠又稱(chēng)“光致抗蝕劑”或“光阻劑”,被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作,是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的...

2022-04-25 標(biāo)簽:電子元器件半導(dǎo)體光刻膠 1.1萬(wàn) 0

通過(guò)臭氧微氣泡進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的光刻膠去除實(shí)驗(yàn)

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半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的,一般使用硫酸和過(guò)氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是,這些廢液的處理是極其困難的,與...

2022-04-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓光刻膠 1382 0

一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法

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本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細(xì)地說(shuō),是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法,該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制...

2022-04-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造工藝光刻膠 1142 0

使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實(shí)驗(yàn)

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關(guān)鍵詞:超臨界清洗,離子注入光刻膠,光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法,使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng),在40℃到100℃和...

2022-01-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓化學(xué) 2720 0

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關(guān)鍵詞:氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明,臭氧微氣泡可以去除...

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最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進(jìn)展重新引起了我們對(duì)用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。

2021-12-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體襯底光刻膠 1505 0

光刻膠中金屬雜質(zhì)對(duì)硅基基質(zhì)的吸附機(jī)理 南通華林科納分析

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應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學(xué)放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評(píng)估了兩個(gè)重要的工藝參數(shù),即烘烤溫度和襯底類(lèi)型(...

2021-12-13 標(biāo)簽:納米材料納米襯底 1273 0

一文解析對(duì)準(zhǔn)光刻蝕刻光刻的基本知識(shí)(SALELE)

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通過(guò)逐步的說(shuō)明,本系列說(shuō)明并向您展示了確保在當(dāng)今最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)中確保布局保真度所需的自對(duì)準(zhǔn)模式創(chuàng)建的復(fù)雜性。第1部分介紹了SADP和SAQP。在本期的最后...

2021-04-11 標(biāo)簽:PTD光刻膠 1.1萬(wàn) 0

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2020-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體制造 1774 0

浸沒(méi)式光刻原理淺析

到2002年底浸入式技術(shù)迅速成為光刻技術(shù)中的新寵,而此前業(yè)界并沒(méi)有認(rèn)為浸入式技術(shù)有如此大的功效。

2019-08-08 標(biāo)簽:EUV光刻膠 2.0萬(wàn) 0

詳解光刻膠技術(shù)并闡述光刻膠產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和國(guó)內(nèi)發(fā)展趨勢(shì)

光刻膠是電子領(lǐng)域微細(xì)圖形加工關(guān)鍵材料之一,是由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下...

2019-02-19 標(biāo)簽:芯片光刻膠 4.0萬(wàn) 0

光刻膠材料的制備和基本要素

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光刻膠是指通過(guò)紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X 射線等光源的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:半導(dǎo)體領(lǐng)域的集成電路和...

2019-02-11 標(biāo)簽:euv光刻膠 2.6萬(wàn) 1

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    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě),中文翻譯為“車(chē)載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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