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標(biāo)簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱(chēng)光致抗蝕劑,是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。
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芯板,中間是介質(zhì),兩面是銅箔,就是雙層板時(shí)用的介質(zhì)板,比如ROGERS 4350B等。
合包與分包(pack and unpack,PAU)工藝被用于制備通孔陣列。與其他雙重曝光工藝不同,PAU工藝并不直接提供額外的圖形分辨率。
光刻膠的組成:樹(shù)脂(resin/polymer),光刻膠中不同材料的粘合劑,給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)(如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等);感光劑,感光劑...
隨著光刻膠層變得更薄,整體光刻膠的特性變得不那么重要,并且光刻膠(暴露與否)與顯影劑和底層之間的界面變得更加重要。
雖然通過(guò)蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(guò)(例如抗蝕劑)掩模對(duì)襯底的全表面涂層進(jìn)行部分腐蝕來(lái)完成的,但是在剝離過(guò)程中,材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護(hù)的位置。本章描述了獲...
過(guò)氧化氫溶液的作用解讀 在半導(dǎo)體材料制備中硅晶片清洗
引言 過(guò)氧化氫被認(rèn)為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過(guò)氧化氫水溶液來(lái)清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅...
一文看懂:光刻膠的創(chuàng)新應(yīng)用與國(guó)產(chǎn)替代機(jī)會(huì)
引言 ? 光刻膠又稱(chēng)“光致抗蝕劑”或“光阻劑”,被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作,是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的...
通過(guò)臭氧微氣泡進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的光刻膠去除實(shí)驗(yàn)
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的,一般使用硫酸和過(guò)氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是,這些廢液的處理是極其困難的,與...
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法,更詳細(xì)地說(shuō),是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法,該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制...
最近在外延膜的導(dǎo)電率控制和高質(zhì)量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進(jìn)展重新引起了我們對(duì)用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質(zhì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的興趣。
光刻膠中金屬雜質(zhì)對(duì)硅基基質(zhì)的吸附機(jī)理 南通華林科納分析
應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學(xué)放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評(píng)估了兩個(gè)重要的工藝參數(shù),即烘烤溫度和襯底類(lèi)型(...
一文解析對(duì)準(zhǔn)光刻蝕刻光刻的基本知識(shí)(SALELE)
通過(guò)逐步的說(shuō)明,本系列說(shuō)明并向您展示了確保在當(dāng)今最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)中確保布局保真度所需的自對(duì)準(zhǔn)模式創(chuàng)建的復(fù)雜性。第1部分介紹了SADP和SAQP。在本期的最后...
為什么尺寸縮小并沒(méi)按應(yīng)有的速度不斷進(jìn)步呢?為什么高端硅成本依然如此昂貴?答案就在于芯片設(shè)計(jì)的復(fù)雜性——如今的芯片設(shè)計(jì)層數(shù)繁多,各層之間還必須無(wú)縫連接。
2020-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體制造 1774 0
到2002年底浸入式技術(shù)迅速成為光刻技術(shù)中的新寵,而此前業(yè)界并沒(méi)有認(rèn)為浸入式技術(shù)有如此大的功效。
詳解光刻膠技術(shù)并闡述光刻膠產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀和國(guó)內(nèi)發(fā)展趨勢(shì)
光刻膠是電子領(lǐng)域微細(xì)圖形加工關(guān)鍵材料之一,是由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下...
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