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標簽 > 刻蝕
刻蝕,英文為Etch,它是半導體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻 [1] 相聯系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕,實際上狹義理解就是光刻腐蝕,先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理,然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。
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半導體濕法刻蝕過程中殘留物的形成,其背后的機制涵蓋了化學反應、表面交互作用以及側壁防護等多個層面,下面是對這些機制的深入剖析: 化學反應層面 1 刻蝕劑...
等離子體刻蝕和濕法刻蝕是集成電路制造過程中常用的兩種刻蝕方法,雖然它們都可以用來去除晶圓表面的材料,但它們的原理、過程、優缺點及適用范圍都有很大的不同。...
在刻蝕清洗機中,熱電阻可以用于溫度監測和控制,但需根據具體應用場景和需求選擇合適類型,并注意其局限性。以下是詳細分析: 1. 熱電阻的適用性 溫度測量:...
芯片刻蝕是半導體制造中的關鍵步驟,用于將設計圖案從掩膜轉移到硅片或其他材料上,形成電路結構。其原理是通過化學或物理方法去除特定材料(如硅、金屬或介質層)...
ICP(Inductively Coupled Plasma,電感耦合等離子體)刻蝕技術是半導體制造中的一種關鍵干法刻蝕工藝,廣泛應用于先進集成電路、M...
半導體BOE(Buffered Oxide Etchant,緩沖氧化物蝕刻液)刻蝕技術是半導體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關鍵工藝,尤其在微結構加工、...
濕法刻蝕和清洗在半導體加工過程中都是重要的化學處理步驟,但它們在目的、原理以及操作上存在明顯的區別。以下是對這兩者的詳細對比: 一、目的 濕法刻蝕 主要...
2025-04-08 標簽:刻蝕 199 0
中微公司ICP雙反應臺刻蝕機Primo Twin-Star取得新突破
近日,中微半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”,股票代碼“688012.SH”)宣布通過不斷提升反應臺之間氣體控制的精度, ICP雙反應...
華林科納半導體高選擇性蝕刻是指在半導體制造等精密加工中,通過化學或物理手段實現目標材料與非目標材料刻蝕速率的顯著差異,從而精準去除指定材料并保護其他結構...
半導體濕法刻蝕殘留物的原理涉及化學反應、表面反應、側壁保護等多個方面。 以下是對半導體濕法刻蝕殘留物原理的詳細闡述: 化學反應 刻蝕劑與材料的化學反應:...
都說半導體濕法刻蝕工藝復雜,但是你真的了解過嗎?雖然復雜,還是有流程有規律可循。你知道到底半導體刻蝕有哪些工藝嗎?不知道的話今天就是一個科普好機會,一起...
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